【技术实现步骤摘要】
一种MEMS器件的真空封装结构及其制造方法
本专利技术属于微电子机械
。涉及一种MEMS器件的晶圆级真空封装结构。
技术介绍
MEMS器件的晶圆级真空封装是通过晶圆级的键合手段实现器件的真空封装及电极引出。一般常采用硅硅键合、共晶键合、玻璃浆料键合及硅玻键合等技术手段来实现，但封装结构各式各样。常见的封装结构一般是通过低阻硅或金属将电极引出至密封环外实现器件的真空封装。另外还有的封装结构是通过在把器件的电极封装在密封环内，然后在盖帽上开孔至电极处将其引出。 MEMS器件封装时，器件芯片粘接在管壳上，受环境温度影响，管壳上的热应力将影响到器件结构，对器件性能造成影响。
技术实现思路
本专利技术提出了一种新颖的MEMS器件真空封装结构。该结构可以实现三层电极引出及器件的真空封装，且形成倒挂式器件结构，对MEMS器件热稳定性有良好的效果。该结构可以通过硅硅键合、共晶键合、玻璃浆料键合、硅玻键合等工艺实现，适用于MEMS器件的真空封装。 本专利技术采用的技术方案如下:一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层、结构层、盖帽层组成，其特征在于:引线孔开设在衬底层上，金属电极设置在衬底层中引线孔位置的顶层硅的电极引线上，盖帽层粘贴在管壳上。 本专利技术还提供了一种MEMS器件的真空封装结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤:a、制作衬底层，在SOI硅片上先刻蚀浅腔，然后刻蚀硅至埋氧层，形成低阻硅电极引线.b、将SOI娃片结构层与器件衬底层进行娃娃键合；C、去除结构层中SOI硅片的衬底硅和埋氧层，然后经过刻蚀...
【技术保护点】
一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。
【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层(3)、结构层(2)、盖帽层(I)组成，其特征在于:引线孔(6a)开设在衬底层(3 )上，金属电极(6 )设置在衬底层(3 )中引线孔位置的顶层硅的电极引线(3b)上，盖帽层(I)粘贴在管壳(8)上。2.—种MEMS器件的真空封装结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤: a、制作衬底层(3)，在SOI硅片上先刻蚀浅腔，然后刻蚀硅至埋氧层(3a)，形成低阻硅电极引线(3b); b、将SOI娃片结构层(2)与...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈博，黄斌，何凯旋，王新龙，陈璞，王鹏，刘磊，王文婧，郭群英，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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