本发明专利技术提供了一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，属于半导体材料清洗技术领域，包括操作室、上料台和下料台，上料台和下料台之间依次设置有预清洗装置、酸腐蚀槽、超声波清洗装置和烘干装置，操作室的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置，酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间还设置有一QRD氮气保护装置。本发明专利技术还公开了一种大直径区熔用多晶棒料的清洗方法。本发明专利技术能够完成直径140-160mm多晶棒料的自动清洗过程，节省了人力，稳定了产品洗后的质量；适用于大直径区熔用多晶棒料表面的金属杂质的去除，使多晶棒料表面无污染，提高硅多晶质量和成晶率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及属于半导体材料清洗
，具体是。
技术介绍
目前，块状或棒状多晶硅的表面的杂质量通常采用试剂清洗的方法，用于除去杂质的试剂有:氢氟/过氧化氢酸水溶液和水的混合物、纯水、硝酸与氢氟酸的混合液等，用这些试剂清洗多晶硅的表面。现有技术是使用硝酸及氢氟酸的混酸溶液，对硅多晶表面进行腐蚀，然后使用去离子水对多晶棒料进行冲洗、烘干、冷却包装。此过程依靠人力进行多晶棒料的加工清洗，效率低下，清洗品质不够稳定。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是:克服现有技术的不足，提供一种去除大直径区熔用多晶棒料表面的金属杂质，使多晶棒料表面无污染，提高硅多晶质量，提高成晶率，自动化程度高，劳动强度小，酸对人体危害小的大直径区熔用多晶棒料的清洗装置。 为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是:一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，包括操作室和设置在操作室前、后端的上料台和下料台，所述上料台和下料台之间依次设置有预清洗装置、酸腐蚀槽、超声波清洗装置和烘干装置，所述预清洗装置和酸腐蚀装置均为滚动清洗，所述预清洗装置为一水槽，所述水槽的底部设有若干个滚轴，所述水槽的顶部内边缘设有高压水喷头，所述操作室的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置，其中一个物料转移装置位于上料台和酸腐蚀槽之间，另一个物料转移装置位于酸腐蚀槽和下料台之间，所述酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间还设置有一 QDR氮气保护装置，所述QDR氮气保护装置为若干个氮气喷头，所述氮气喷头设置在酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间。 进一步地，所述酸腐蚀槽的底部是由一排滚轴组成。 进一步地，所述酸腐蚀槽的材料为PT或PVC材质。 进一步地，所述酸腐蚀槽的侧壁上连接一自动补酸装置，所述自动补酸装置可对酸腐蚀槽中的混合酸溶液进行补给和替换。 进一步地，所述操作室的后端设有一风淋窗口，所述下料台位于风淋窗口的正下方。 本专利技术要解决的另一个问题是:提供一种大直径区熔用多晶棒料的自动清洗装置的清洗方法。 一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的清洗方法，包括以下步骤: (I)上料:将多晶棒料放置于上料台，随后进行预清洗； (2)预清洗:对多晶棒料的表面污溃进行清洗； (3)酸洗:将多晶棒料放入酸腐蚀槽中旋转滚动，所述酸腐蚀槽中的酸液为硝酸与氢氟酸的混酸溶液； (4)QDR氮气喷淋:在酸洗结束后，将酸腐蚀槽中的多晶棒料取出放入超声波水槽中，此过程需要使用氮气喷淋保护，防止多晶棒料表面氧化； (5)超声:通过超声波震动，去除多晶棒料表面的酸液及杂质； (6)烘干:热风烘干多晶棒料； (7)下料:将多晶棒料经过风淋窗口后放置在下料台上。 进一步地，所述混酸溶液的配比为硝酸:氢氟酸=7.5: I。 进一步地,所述氮气喷淋时长为3min。 进一步地,所述超声时长为15min。 进一步地，所述烘干温度为60_90°C，烘干时间为10_15min。 本专利技术具有的优点和积极效果是: 采用多晶棒料的自动清洗设备，能够完成直径140_160mm多晶棒料的自动清洗过程，节省了人力，稳定了产品洗后的质量；本专利技术适用于大直径区熔用多晶棒料表面的金属杂质的去除，使多晶棒料表面无污染，提闻娃多晶质量，提闻成晶率。 【附图说明】 图1是本专利技术大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的主视图。 图2是本专利技术大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的俯视图。 图中:1、操作室；2、上料台；3、下料台；4、预清洗装置；5、酸腐蚀槽；6、超声波清洗装置；7、烘干装置；8、物料转移装置；9、QRD氮气保护装置；10、自动补酸装置；11、风淋窗P。 【具体实施方式】 如图1、图2所示，一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，包括操作室I和设置在操作室I前、后端的上料台2和下料台3，上料台2和下料台3之间依次设置有预清洗装置4、酸腐蚀槽5、超声波清洗装置6和烘干装置7。预清洗装置4为一水槽，水槽的底部设有若干个滚轴，水槽的顶部边缘设有高压水喷头，对多晶棒料进行预清洗。PVC的酸腐蚀装置5的底部是由一排PVC滚轴组成的，可以防止强酸的腐蚀，酸腐蚀槽5的侧壁上连接一自动补酸装置10，自动补酸装置10可将硝酸与氢氟酸配比混合，然后对酸腐蚀槽5中的混合酸溶液进行补给和替换。操作室I的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置8，其中一个物料转移装置位于上料台2和酸腐蚀槽5之间，另一个物料转移装置位于酸腐蚀槽5和下料台3之间，物料转移装置8为机械臂，机械臂可将多晶棒料由前一装置转移至后一装置。酸腐蚀槽5和超声波清洗装置6之间还设置有一 QRD氮气保护装置9，QRD氮气保护装置9为若干个氮气喷头，氮气喷头设置在酸腐蚀槽5和超声波清洗装置6之间，对在酸腐蚀槽5和超声波清洗装置6之间转移的多晶棒进行氮气喷淋保护，防止多晶棒料表面氧化。烘干装置7为热风烘干机，操作室I的后端设有一风淋窗口 11，下料台3位于风淋窗口 11的正下。 一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的清洗方法，包括以下步骤: (I)上料:将多晶棒料放置于上料台1，随后进行预清洗； (2)预清洗:对多晶棒料的表面污溃进行清洗； (3)酸洗:将多晶棒料放入酸腐蚀槽5中旋转滚动，酸腐蚀槽5中的酸液为硝酸与氢氟酸的混酸溶液，混酸溶液的配比为硝酸:氢氟酸=7.5: I。 (4)QDR氮气喷淋:在酸洗结束后，将酸腐蚀槽中的多晶棒料取出放入超声波水槽中，此过程需要使用氮气喷淋保护，防止多晶棒料表面氧化，氮气喷淋时长为3min。 (5)超声:通过超声波震动，超声时长为15min，去除多晶棒料表面的酸液及杂质； (6)烘干:热风烘干多晶棒料，烘干温度为60_90°C，烘干时间为10_15min ； (7)下料:将多晶棒料经过风淋窗口风淋后放置在下料台上。 本实例的工作过程:将多晶棒料放置在上料台I上，机械臂自动将多晶棒料放入预清洗装置4的水槽中，水槽底部的滚轮转动带动多晶棒料转动，水槽的顶部边缘的高压水喷头对多晶棒料进行喷射，完成多晶硅棒料表面的硅粉和油污的清洗。预清洗完毕之后，机械臂将水槽中的多晶棒料取出，缓慢放入酸腐蚀槽5中，混合酸溶液的配比为硝酸:氢氟酸=7.5: 1，多晶棒料在酸腐蚀槽5中自动旋转滚动腐蚀。酸洗腐蚀结束后，机械臂将酸腐蚀槽5中的多晶棒料取出，氮气喷头对多晶棒进行氮气喷淋3min，然后转移至超声波清洗装置6中，超声震动15min，将多晶棒料表面的酸液及杂质去除。超声清洗完毕后，机械臂将多晶棒料移至烘干装置7中，在60-90°C热风烘干10-15min。机械臂将烘干后的多晶棒料经过风淋窗口 11风淋后，放置到下料台3上，多晶棒料的清洗完成。随着酸腐蚀时间的增长，混合酸溶液的浓度发生变化，自动补酸装置10可将硝酸与氢氟酸配比混合，然后对酸腐蚀槽5中的酸进行补给和替换。 采用多晶棒料的自动清洗设备，能够完成直径140_160mm多晶棒料的自动清洗过程，节省了人力，稳定了产品洗后的质量；本专利技术适用于大直径区熔用多晶棒料表面的金属杂质的去除，使多晶棒料表面无污染，提闻娃多晶质量，提闻成晶率。 以上对本专利技术的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本专利技术的较佳实例，不能被认为用于限定本专利技术的实施范围。凡依本本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，包括操作室和设置在操作室前、后端的上料台和下料台，其特征在于：所述上料台和下料台之间依次设置有预清洗装置、酸腐蚀槽、超声波清洗装置和烘干装置，所述预清洗装置和酸腐蚀装置均为滚动清洗，所述预清洗装置为一水槽，所述水槽的底部设有若干个滚轴，所述水槽的顶部内边缘设有高压水喷头，所述操作室的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置，其中一个物料转移装置位于上料台和酸腐蚀槽之间，另一个物料转移装置位于酸腐蚀槽和下料台之间，所述酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间还设置有一QDR氮气保护装置，所述QDR氮气保护装置为若干个氮气喷头，所述氮气喷头设置在酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间。
【技术特征摘要】
1.一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，包括操作室和设置在操作室前、后端的上料台和下料台，其特征在于:所述上料台和下料台之间依次设置有预清洗装置、酸腐蚀槽、超声波清洗装置和烘干装置，所述预清洗装置和酸腐蚀装置均为滚动清洗，所述预清洗装置为一水槽，所述水槽的底部设有若干个滚轴，所述水槽的顶部内边缘设有高压水喷头，所述操作室的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置，其中一个物料转移装置位于上料台和酸腐蚀槽之间，另一个物料转移装置位于酸腐蚀槽和下料台之间，所述酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间还设置有一 QDR氮气保护装置，所述QDR氮气保护装置为若干个氮气喷头，所述氮气喷头设置在酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间。2.根据权利要求1所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于:所述酸腐蚀槽的底部是由一排滚轴组成。3.据权利要求2所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于:所述酸腐蚀槽的材料为PT或PVC材质。4.根据权利要求1所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于:所述酸腐蚀槽的侧壁上连接一自动补酸装置，所述自动补酸装置可对酸腐蚀槽中的混合酸溶液进行补给和替换。5.根据权利要求1所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于:所述操作室的后...
【专利技术属性】
技术研发人员：张雪囡，李振，马洪艳，张少飞，王刚，乔柳，王彦君，
申请(专利权)人：天津市环欧半导体材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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