【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固态存储领域中一种坏块管理系统及管理方法,特别涉及一种基于块 保留区替换的坏块管理系统及管理方法,属于固态存储
。
技术介绍
NAND Flash存储器由于其具有访问速度快、低功耗、高密度、大容量、抗震性强等 优点,在目前的消费电子、计算机存储系统、数据采集、服务器存储系统等领域得到了广泛 的应用。为提高SSDs的存储容量和降低其单位存储成本,NAND Flash也逐渐从单层单元 (Single Level Cell, SLC)发展到多层单元(Multi-level Cell, MLC)。随着存储单元尺寸 的降低,NAND Flash的可靠性也不断下降,在工厂生产和使用过程中会产生坏块,为了能够 正常使用就必须对坏块进行管理BBM (Bad Block Management)。 NAND Flash由若干存储块构成,每个块由若干页构成。由于制造工艺和成本原因, 生产厂家在NAND Flash成片出厂时均含有坏块,称为出厂坏块。在使用的过程中,由于NAND Flash擦写寿命有限(SLC 10000-100000次,MLC 3000-5000次),当使用到一定时限后就 会产生坏块,称为使用坏块。 1、出厂坏块的识别:出厂坏块信息在出厂时会标记在每个块的固定地址中。读该 固定地址数据就可判断是不是坏块。 2、使用坏块的识别:使用坏块分为两类:(1)擦除或者编程操作失败,产生使用坏 块。(2)读某块内某页数据时,数据出错位数超出了 ECC校验能力,产生使用坏块。 目前国内在NAND Flash ...
【技术保护点】
一种基于块保留区替换的坏块管理系统,其特征在于它包括:用于对坏块扫描并建立坏块信息表的坏块管理初始化模块;用于对坏块地址映射和运行过程中产生的使用坏块进行管理的坏块管理控制模块;用于对坏块管理初始化模块和坏块管理控制模块产生的坏块信息进行保存的坏块信息表RAM;用于对运行过程中产生的使用坏块进行数据合并操作的滞后回写模块;进行滞后回写模块后,进行检测NAND Flash运行过程中是否有坏块产生的模块;坏块管理初始化模块在系统启动时提供坏块初始化信息并将信息保存到坏块信息表RAM中,在结束该操作时,坏块管理初始化模块发送信息给坏块管理控制模块,初始化完成;在系统运行中,坏块管理控制模块需要通过访存坏块信息表RAM执行坏块地址映射和使用中坏块管理功能,当使用中有坏块产生时,坏块管理控制模块在完成地址更新映射后,控制滞后回写模块实现旧块到新块的数据合并操作。
【技术特征摘要】
1. 一种基于块保留区替换的坏块管理系统,其特征在于它包括: 用于对坏块扫描并建立坏块信息表的坏块管理初始化模块; 用于对坏块地址映射和运行过程中产生的使用坏块进行管理的坏块管理控制模块; 用于对坏块管理初始化模块和坏块管理控制模块产生的坏块信息进行保存的坏块信 息表RAM ; 用于对运行过程中产生的使用坏块进行数据合并操作的滞后回写模块; 进行滞后回写模块后,进行检测NAND Flash运行过程中是否有坏块产生的模块; 坏块管理初始化模块在系统启动时提供坏块初始化信息并将信息保存到坏块信息表 RAM中,在结束该操作时,坏块管理初始化模块发送信息给坏块管理控制模块,初始化完成; 在系统运行中,坏块管理控制模块需要通过访存坏块信息表RAM执行坏块地址映射和使用 中坏块管理功能,当使用中有坏块产生时,坏块管理控制模块在完成地址更新映射后,控制 滞后回写模块实现旧块到新块的数据合并操作。2. 根据权利要求1所述的基于块保留区替换的坏块管理系统,其特征在于: 所述坏块管理初始化模块包括:用于判断NAND Flash是否为第一次启动的模块、坏块 遍历扫描模块、判断NAND Flash第一块第一页和第二页数据是否相同的模块; 执行用于判断NAND Flash是否为第一次启动的模块,若是,则进行坏块遍历扫描模块, 否则,进行判断NAND Flash第一块第一页和第二页数据是否相同的模块,若是,则进行坏块 信息表导入坏块信息表RAM,否则,进行将坏块映射信息量大的那一页数据作为坏块信息表 写入坏块信息表RAM ; 所述坏块遍历扫描模块包括:用于根据扫描到的坏块信息建立坏块信息表并保存在坏 块信息表RAM的模块、用于将所述坏块信息表分别存入NAND Flash第一块的第一页和第二 页中保存的模块; 所述坏块信息表包括基于位索引的坏块位标记表BBT和从坏块地址到保留区好块地 址的映射表RTT。3. 根据权利要求1所述的基于块保留区替换的坏块管理系统,其特征在于: 所述坏块管理控制模块包括:用于对地址映射管理的模块、用于对运行过程中产生坏 块管理的模块; 所述用于对地址映射管理的模块包括:判断当前块是否为坏块的查询坏块位标记表 模块、查询地址映射表并将转换块地址输出的模块、直接输出当前NAND Flash操作地址模 块; 所述地址映射管理模块开启后,进行判断当前块是否为坏块的查询坏块位标记表模 块,若是,则进行依次查询地址映射表并将转换块地址输出的模块,否则进行直接输出当前 NAND Flash操作地址模块后回到地址映射管理模块开启阶段; 所述用于对运行过程中产生坏块管理的模块包括:检测NAND Flash运行过程中是否 有坏块产生模块、映射保留区的第一块好块地址到当前坏块地址的模块、更新坏块信息表 模块、坏块信息表重新写入NAND Flash模块、; 进行检测NAND Flash运行过程中是否有坏块产生模块,若是,则进行映射保留区的第 一块好块地址到当前坏块地址的模块,然后进行更新坏块信息表模块,最后进行坏块信息 表重新写入NAND Flash模块;否则返回循环进行检测NA...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏德宝,邓立宝,张鹏,乔立岩,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:黑龙江;23
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