一种偏振相关内嵌式光纤M-Z干涉型横向压力传感器制造技术

技术编号:11055314 阅读:118 留言:0更新日期:2015-02-18 19:01
一种偏振相关内嵌式光纤M-Z干涉型横向压力传感器,其特征在于:由ASE光源(1)、偏振控制器(2)、第一单模光纤(3)、保偏光纤(4)、第二单模光纤(5)、光谱分析仪(6)组成;第一单模光纤(3)与保偏光纤(4)纤芯错位熔接,第一单模光纤(3)与保偏光纤(4)的错位熔接方向沿着保偏光纤(4)的快慢轴夹角平分线方向;保偏光纤(4)与第二单模光纤(5)纤芯错位熔接,第二单模光纤(5)与保偏光纤(4)的错位熔接方向沿着保偏光纤(4)的快慢轴夹角平分线方向;第一单模光纤(3)和第二单模光纤(5)相对保偏光纤(4)保持对称;第二单模光纤(5)另一端与光谱分析仪(6)相连接,横向压力施加在保偏光纤(4)上面。本实用新型专利技术具有高线性度,低成本,体积小等特点,可以用于微小压力的测量。

【技术实现步骤摘要】
-种偏振相关内嵌式光纤M-Z干涉型横向压力传感器
本专利技术提供了一种偏振相关内嵌式光纤M-Z干涉型横向压力传感器,属于光纤传 感

技术介绍
内嵌式保偏光纤Mach-Zehnder干涉仪能够有效的减少偏振衰落,保偏光纤由于 具有特定的偏振模传输特性,在相干光通信、光纤传感等领域中的应用越来越引人注目。当 保偏光纤受到外界横向压力微小扰动时,会引起受扰处两正交偏振基模发生能量耦合,从 而使保偏光纤保偏性变差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种偏振相关内嵌式光纤M-Z干涉型横向压力传感器。该 装置能够在微小的压力变化下测出压力的大小。具有高线性度,低成本等优点。 本专利技术通过以下技术方案实现: 本专利技术提供了一种偏振相关内嵌式光纤M-Z干涉型横向压力传感器,其特征在 于:由ASE光源(1)、偏振控制器(2)、第一单模光纤(3)、保偏光纤(4)、第二单模光纤(5)、 光谱分析仪(6)组成;第一单模光纤(3)与保偏光纤(4)纤芯错位熔接,第一单模光纤(3) 与保偏光纤(4)的错位熔接方向沿着保偏光纤(4)的快慢轴夹角平分线方向;保偏光纤 (4)与第二单模光纤(5)纤芯错位熔接,第二单模光纤(5)与保偏光纤(4)的错位熔接方向 沿着保偏光纤(4)的快慢轴夹角平分线方向;第一单模光纤(3)和第二单模光纤(5)相对 保偏光纤(4)保持对称;第二单模光纤(5)另一端与光谱分析仪(6)相连接,横向压力施加 在保偏光纤(4)上面。本专利技术具有高线性度,低成本,体积小等特点,可以用于微小压力的 测量。 -种偏振相关内嵌式光纤M-Z干涉型横向压力传感器,其特征在于:保偏光纤(4) 的长度为〇. 5_3cm。 本专利技术的工作原理是:第一单模光纤和第二单模光纤沿着保偏光纤快慢轴夹角平 分线方向烙接构成内嵌式光纤Mach-Zehnder干涉仪,其干涉机理和双光束干涉理论一致, 如图1所不。由于保偏光纤纤芯与包层折射率有差异,所以在保偏光纤中传输的包层模和 纤芯模在合束端重新耦合时会有一个附加的相位差,从而使保偏光纤中的包层模被部分耦 合进第二单模光纤的纤芯后将会与其中的纤芯模发生干涉。实验中当保偏光纤受到外界微 小横向压力时,会引起受扰处两正交偏振模发生能量I禹合。在横向压力作用区,保偏光纤传 输轴上的光束会发生偏振耦合,有部分能量耦合进垂直的主轴中,在功率耦合的过中,能量 守恒,可求出经过耦合点时的耦合强度P :本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏振相关内嵌式光纤M‑Z干涉型横向压力传感器,其特征在于:由ASE光源(1)、偏振控制器(2)、第一单模光纤(3)、保偏光纤(4)、第二单模光纤(5)、光谱分析仪(6)组成;第一单模光纤(3)与保偏光纤(4)纤芯错位熔接,第一单模光纤(3)与保偏光纤(4)的错位熔接方向沿着保偏光纤(4)的快慢轴夹角平分线方向;保偏光纤(4)与第二单模光纤(5)纤芯错位熔接,第二单模光纤(5)与保偏光纤(4)的错位熔接方向沿着保偏光纤(4)的快慢轴夹角平分线方向;第一单模光纤(3)和第二单模光纤(5)相对保偏光纤(4)保持对称;第二单模光纤(5)另一端与光谱分析仪(6)相连接,横向压力施加在保偏光纤(4)上面。

【技术特征摘要】
1. 一种偏振相关内嵌式光纤M-Z干涉型横向压力传感器,其特征在于:由ASE光源 (1)、偏振控制器(2)、第一单模光纤(3)、保偏光纤(4)、第二单模光纤(5)、光谱分析仪(6) 组成;第一单模光纤(3)与保偏光纤(4)纤芯错位熔接,第一单模光纤(3)与保偏光纤(4) 的错位熔接方向沿着保偏光纤(4)的快慢轴夹角平分线方向;保偏光纤(4)与第二单模光 纤(5)纤芯错位熔接...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘桦楠沈常宇魏健王友清路艳芳陈德宝
申请(专利权)人:中国计量学院
类型:新型
国别省市:浙江;33

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