一种以钯为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法技术

本发明专利技术提供了一种以钯为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，包括：将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-2～10-4mbr，以氧化铬为靶材，靶基距为4～7cm，在所述玻璃衬底上溅射氧化铬薄膜；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10-2～10-4mbr，以钯为靶材、靶基距为4～7cm，在所述步骤b)得到的产物上溅射钯薄膜。本发明专利技术采用真空溅射原理，并采用4～7cm的靶基距，制备得到的金属薄膜厚度可控，约60nm，可以用于表面等离子体共振芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及表面等离子体共振传感
，尤其涉及。
技术介绍
表面等离子体共振技术(--)是一项基于物理光学现象的先进生化检测技术，通过测量分子结合导致的芯片表面折射率变化来检测多种生物分子的结合过程。芯片表面折射率的变化与吸附在金属表面的物质有关，将配体分子固定于芯片的金属膜表面，监控溶液中被分析物与该配体的结合过程。在复合物形成或解离过程中，芯片表面溶液的折射率发送变化，随机产生3？卩信号。 表面等离子体共振的检测原理为:一束？偏振光在一定角度范围内入射到棱镜与表面等离子体共振芯片的金属膜的界面上发生全反射，当入射光的波向量与表面等离子体共振芯片的金属膜表面电子振荡频率相匹配时，光被耦合进入金属膜，引起电子发生共振，即表面等离子体共振，并产生沿界面平面传播的表面等离子体波，同时在金属膜内部产生垂直方向且以指数形式衰减的消失波，该消失波的有效深度约为100?20011111。 由于共振时入射光的能量部分地转移给表面等离子体基元，使反射光的强度急剧下降，此时的入射角称为共振角。共振角随表面等离子体共振芯片的金属膜表面的折射率变化而变化，并且，共振角与金属膜表面结合的分子质量成正比，因此，可以通过共振角变化研究金属丨溶液界面的变化。由于消失波的有效深度为100?20011111，太厚的金属膜导致消失场到达不了金属/溶液界面，检测不到反应信号，不能反映金属膜表面发生的变化。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题在于提供，制备的表面等离子体共振芯片的金属薄膜约6011111。 有鉴于此，本专利技术提供了，包括: 步骤4将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内； 步骤13)向所述生长室内通入气,抽真空至10—2?10—化!'，以氧化铬为革巴材，革巴基距为4?7(3111，在所述玻璃衬底上溅射氧化铬薄膜； 步骤0)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10—2?10—4！11匕，以钯为靶材、靶基距为4?7挪，在所述步骤幻得到的产物上溅射钯薄膜。 优选的，所述步骤13)中派射电流为70?90111^。 优选的，所述步骤13)中溅射电流为80—。 优选的，所述步骤幻中溅射时间为60?80秒。 优选的，所述步骤0)中派射电流为40?601^。 优选的，所述步骤0)中派射电流为50111^。 优选的，所述步骤0)中溅射时间为120?180秒。 优选的，所述步骤0具体为: 步骤(:1)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10—2?10—、匕，以钯为靶材、靶基距为4?7挪，在所述步骤幻得到的产物上溅射钯薄膜70?100秒，冷却； 步骤02)在所述步骤01)得到的产物上溅射钯薄膜50?80秒，冷却。 优选的，还包括对玻璃衬底的预处理，具体为: 将玻璃衬底在体积比1:5的！！202与！！2304的混合溶液中加热，然后用清水冲洗，氮气吹干。 本专利技术提供了，包括:将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10—2?10—4！11匕，以氧化铬为靶材，靶基距为4?7挪，在所述玻璃衬底上溅射氧化铬薄膜；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10—2?10—4！11匕，以钯为靶材、靶基距为4?7挪，在上述步骤得到的产物上溅射钯薄膜。本专利技术采用真空溅射原理，并采用4?7挪的靶基距，制备得到的金属薄膜厚度可控，约可以用于表面等离子体共振芯片。 【具体实施方式】 为了进一步理解本专利技术，下面结合实施例对本专利技术优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本专利技术的特征和优点，而不是对本专利技术权利要求的限制。 本专利技术实施例公开了，包括: 步骤4将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内； 步骤幻向所述生长室内通入氩气，抽真空至10—2?10—4！11匕，以氧化铬为靶材，靶基距为4?7(3111，在所述玻璃衬底上溅射氧化铬薄膜； 步骤0)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10—2?10—4！11匕，以钯为靶材、靶基距为4?7挪，在所述步骤幻得到的产物上溅射钯薄膜。 本专利技术采用真空溅射原理，并采用4?7挪的靶基距，制备得到的金属薄膜表面平整，厚度可控，可以用于表面等离子体共振芯片。实验结果表明，本专利技术制备的金属薄膜厚度均匀，为6011111左右。 本专利技术中真空溅射原理为电子在电场的作用下加速，在飞向玻璃衬底的过程中与15原子发生碰撞，电尚出大量的気尚子和电子，电子飞向玻璃衬底，気尚子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子或分子沉积在玻璃衬底上成膜。 按照本专利技术，优选包括将所述玻璃衬底进行预处理，优选具体为:将玻璃衬底在体积比为0.8?1.2:4?6的30被％的！！202与98被％的昭04的混合溶液中加热，然后用清水冲洗，氮气流吹干，所述％02与！！2304的体积比更优选为0.8?1.2:4.5?5.5，最优选为1:5。 所述真空溅射仪优选采用德国8从2现3公司的3⑶050真空溅射系统。 所述步骤13)中派射电流优选为70?901^，更优选为801^。所述步骤13)中派射时间优选为60?80秒，更优选为70秒。 所述步骤0)中派射电流优选为40?601^，更优选为501^。所述步骤0)中派射时间优选为120?180秒。所述步骤0优选为:步骤(:1)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10—2?10—4！11匕，以钯为靶材、靶基距为4?7挪，在所述步骤幻得到的产物上溅射钯薄膜70?100秒，冷却；步骤^2)在所述步骤01)得到的产物上溅射钯薄膜50?80秒，冷却。 所述步骤(:1)溅射后优选停留30?50分钟，更优选为停留30?40分钟。本专利技术优选采用上述间歇的溅射方式，从而使钯靶冷却，保证镀制的钯膜的均匀性。 为了进一步理解本专利技术，下面结合实施例对本专利技术提供的技术方案进行详细说明，本专利技术的保护范围不受以下实施例的限制。 本专利技术实施例采用的设备为德国8从2现3生产的3⑶050真空溅射系统。本专利技术实施例采用的原料和化学试剂均为市购。 实施例1 玻璃衬底的预处理: 将规格为20 X 20臟的玻璃衬底在体积比为1:5的30被%的！！202与98被%的阳04的混合溶液中煮沸30-1再用水冲洗干净，用氮气流吹干； 镀氧化铬膜: 调节德国8从2现3生产的3⑶050真空溅射系统的靶基距为60111，将所述氮气流吹干的玻璃衬底放入真空溅射系统的生长室内； 将3⑶050连接的三通旋转到关闭状态，打开水冷却系统，指示温度在12?61 ；打开氩气瓶，将供气系统的三通旋转到与303 050相通，给系统提供氩气； 安装氧化铬靶，将真空溅射系统的“遮板”旋到关闭状态，“遮板”隔在氧化铬靶与所述玻璃衬底之间； 将真空溅射系统的功能版打开，调至“溅射”档，设置溅射时间为70秒； 按真空溅射系统的“开关”按钮将3⑶050打开，按“清洗”键直到真空溅射系统的生长室的真空度至10—21111381~ ； 按“溅射开始”按钮，将电流值调至80^，将“遮板”旋到打开状态，开始溅射； 溅射完成后，将电流按钮旋到最小，等待1501！！至氧化铬靶冷却，氧化铬的厚度约为 411111 ； 镀钯膜: 将真空溅射系统的3⑶050连接的三通旋转到与外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以钯为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，其特征在于，包括：步骤a)将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；步骤b)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10‑2～10‑4mbr，以氧化铬为靶材，靶基距为4～7cm，在所述玻璃衬底上溅射氧化铬薄膜；步骤c)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10‑2～10‑4mbr，以钯为靶材、靶基距为4～7cm，在所述步骤b)得到的产物上溅射钯薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种以钯为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，其特征在于，包括: 步骤a)将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内； 步骤b)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10_2?10_4mbr，以氧化铬为靶材，靶基距为4?7cm，在所述玻璃衬底上溅射氧化铬薄膜； 步骤c)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10_2?10_4mbr，以钯为靶材、靶基距为4?7cm，在所述步骤b)得到的产物上溅射钯薄膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b)中溅射电流为70?90mA。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤b)中溅射电流为80mA。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b)中溅射时间为60?80秒。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李博，
申请(专利权)人：李博，
类型：发明
国别省市：广西;45