一种半导体激光器制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体激光器，包括基板，所述基板上方设置有阴极，所述阴极两端分别设置有绝缘体，所述绝缘体上设置有栅极，所述栅极之间，阴极上方中心设置有发射极，所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥，所述发射极上方设置有磷光层，所述磷光层上方设置有玻璃板，所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。本发明专利技术结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体激光器。
技术介绍
场发射电极理论最早是在1928年由R.H.Eowler与L.W.Nordheim共同提出，不过真正以半导体制程技术研发出场发射电极元件，开启运用场发射电子做为显示器技术，则是在1968年由C.A.Spindt提出，随后吸引后续的研究者投入研发。目前，半导体激光器取代传统阴极发射管成为必然趋势，但是半导体激光器仍然面临诸多问题，例如结构复杂、封装困难、制造成本高、发射率低、亮度不均匀等问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀的半导体激光器。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种半导体激光器，包括基板，所述基板上方设置有阴极，所述阴极两端分别设置有绝缘体，所述绝缘体上设置有栅极，所述栅极之间，阴极上方中心设置有发射极，所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥，所述发射极上方设置有磷光层，所述磷光层上方设置有玻璃板，所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。外部给半导体激光器施加高压，促使激光器内部栅极与发射极之间形成高压电场，所述高压电场激发电子发射尖锥产生高能电子束，所述高能电子束打在磷光层上，所述磷光层电子、空穴发生高速碰撞产生荧光效应。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。进一步，所述半导体激光器内部处于高真空状态，防止半导体激光器在高压环境中产生电离。进一步，所述电子发射尖锥为两个或以上，所述多个电子发射尖锥有助于缩短半导体激光器内激发时间，提高发射率。进一步，所述侧板为金属材质，有利于高压电场的形成与保护，并且金属材质有利于半导体激光器的散热。本专利技术的有益效果是：结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。附图说明图1为本专利技术一种半导体激光器装置结构示意图；附图中，各标号所代表的部件列表如下：1、玻璃板，2、磷光层，3、栅极，4、绝缘体，5、电子发射尖锥，6、发射极，7、基板，8、阴极，9、侧板。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。如图1所示，一种半导体激光器，包括基板7，所述基板7上方设置有阴极8，所述阴极8两端分别设置有绝缘体4，所述绝缘体4上设置有栅极3，所述栅极3之间，阴极8上方中心设置有发射极6，所述发射极6与栅极3之间分别设置有电子发射尖锥5，所述发射极6上方设置有磷光层2，所述磷光层2上方设置有玻璃板1，所述玻璃板1、基板7、侧板9构成封闭结构。外部给半导体激光器施加高压，促使激光器内部栅极3与发射极6之间形成高压电场，所述高压电场激发电子发射尖锥5产生高能电子束，所述高能电子束打在磷光层2上，所述磷光层2电子、空穴发生高速碰撞产生荧光效应。所述半导体激光器内部处于高真空状态，防止半导体激光器在高压环境中产生电离；所述电子发射尖锥5为两个或以上，所述多个电子发射尖锥5有助于缩短半导体激光器内激发时间，提高发射率；所述侧板9为金属材质，有利于高压电场的形成与保护，并且金属材质有利于半导体激光器的散热。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器，其特征在于，包括基板，所述基板上方设置有阴极，所述阴极两端分别设置有绝缘体，所述绝缘体上设置有栅极，所述栅极之间，阴极上方中心设置有发射极，所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥，所述发射极上方设置有磷光层，所述磷光层上方设置有玻璃板，所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括基板，所述基板上方设置有阴极，所述阴极两端分别设置有绝缘体，所述绝缘体上设置有栅极，所述栅极之间，阴极上方中心设置有发射极，所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥，所述发射极上方设置有磷光层，所述磷光层上方设置有玻璃板，所述玻璃板、基板、侧板构成封...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂成，
申请(专利权)人：聂成，
类型：发明
国别省市：重庆;85