介质谐振器、应用其的介质滤波器、收发信机及基站制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种介质谐振器、应用其的介质滤波器、收发信机及基站，涉及通信设备组件技术领域，解决了现有的介质滤波器损耗指标不能满足基站滤波需求的问题。介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体，本体表面上设有凹坑，本体表面及凹坑表面覆盖有导电层；介质滤波器包括至少两个上述的介质谐振器；另一种介质滤波器包括由固态介电材料制成的本体，本体表面上设有至少两个凹坑；相邻凹坑之间的本体上设有孔和/或槽，本体表面覆盖有导电层；收发信机包含上述的介质滤波器；基站，包含上述的收发信机。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】介质谐振器、应用其的介质滤波器、收发信机及基站
本专利技术涉及通信设备组件，尤其涉及介质谐振器、应用其的介质滤波器、收发信机及基站。
技术介绍
随着无线通信技术的日益发展，无线通信基站分布越来越密集，对基站的体积小型化的需求越来越强烈。基站中的射频前端滤波器模块所占的体积较大，因此采用体积较小的滤波器对于减小基站体积有着重要的作用。滤波器的种类和形式非常多，其中的介质滤波器具有较小的体积。图1示出了现有的介质滤波器，该介质滤波器的主体是一块长方体形状的介质11，介质11中开设有通孔12，介质11正面露出通孔12的一端，介质11正面进行了局部金属化，即只有通孔12该端周围的介质11表面形成了一个方形金属层13，相邻的方形金属层13之间电绝缘，介质11的除正面之外的其它表面全部金属化（图1中阴影部分为金属化区，没有阴影的部分为非金属化区）。一个通孔12及介质11正面围绕通孔12一端的方形金属层13构成了一个介质谐振器，该介质谐振器的谐振频率通过调节方形金属层13的面积来调整，相邻介质谐振器之间的耦合通过调节相邻方形金属层13之间的距离来调整。上述的介质滤波器中，由于介质谐振器的内部谐振模式为TEM（横电磁波）模，内导体的损耗大，导致介质滤波器的损耗大，从而使得该介质滤波器的损耗指标不能满足基站滤波的需求。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种介质谐振器、应用其的介质滤波器、收发信机及基站，解决了现有的介质滤波器中的介质谐振器的内部谐振模式为TEM模而导致介质滤波器损耗指标不能满足基站滤波需求的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，本专利技术的实施例提供一种介质谐振器，包括由固态介电材料制成的本体，所述本体表面上设有凹坑，所述本体表面及所述凹坑表面覆盖有导电层。结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述凹坑的个数为一个。结合第一方面或者第一方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述介电材料为陶瓷。第二方面，本专利技术的实施例提供一种介质滤波器，包括至少两个介质谐振器；所述介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体，所述本体表面上设有凹坑，所述本体表面及所述凹坑表面覆盖有导电层。结合第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，相邻的所述介质谐振器通过连接面固定相接且连接面的导电层相接在一起。结合第二方面或第二方面的第一种可能的实现方式，在第二方面的第二种可能的实现方式中，相邻的所述介质谐振器的之间具有空隙。结合第二方面的第二种可能的实现方式，在第二方面的第三种可能的实现方式中，所述空隙的形状为孔形或者为槽形。第三方面，本专利技术的实施例提供一种介质滤波器，包括由固态介电材料制成的本体，所述本体表面上设有至少两个凹坑；相邻所述凹坑之间的所述本体上设有孔和/或槽，所述本体表面覆盖有导电层。结合第三方面，在第三方面的第一种可能的实现方式中，一个所述凹坑、其周围的所述本体及所述导电层构成一个介质谐振器。结合第三方面或第三方面的第一种可能的实现方式，在第三方面的第二种可能的实现方式中，所述孔和/或槽构成相邻所述介质谐振器之间的耦合结构。结合第三方面或第三方面的第一种或第二种可能的实现方式，在第三方面的第三种可能的实现方式中，所述孔为通孔或盲孔。第四方面，本专利技术的实施例提供一种收发信机，包含上述的介质滤波器。第五方面，本专利技术的实施例提供一种基站，包含上述的收发信机。本专利技术实施例提供的介质谐振器、应用其的介质滤波器、收发信机及基站中，介质谐振器本体上的凹坑和本体及凹坑表面覆盖的导电层形成谐振腔，其内部的谐振模式为TM（横磁波）模，模式电场的方向垂直于凹坑所在的本体表面，由于谐振腔内部无内导体损耗，因此，该介质谐振器的损耗较小，使得使用该介质谐振器的介质滤波器的损耗指标能达到基站的滤波需求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1为现有技术中介质滤波器的立体示意图；图2a为本专利技术实施例提供的一种介质谐振器的顶视图；图2b为图2a中A-A向的剖视图；图3a为本专利技术实施例提供的一种介质滤波器的顶视图；图3b为本专利技术实施例提供的另一种介质滤波器的顶视图；图4为本专利技术实施例提供的又一种介质滤波器的立体透视图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。本专利技术实施例提供了一种介质谐振器，如图2a及2b所示，包括由固态介电材料制成的本体21，该本体21表面上设有凹坑22，本体21表面及凹坑22表面覆盖有导电层23。本专利技术实施例提供的介质谐振器中，本体上的凹坑和本体及凹坑表面覆盖的导电层形成谐振腔，其内部的谐振模式为TM（横磁波）模，模式电场的方向垂直于凹坑所在的本体表面，由于谐振腔内部无内导体损耗，因此，该介质谐振器的损耗较小，使得使用该介质谐振器的介质滤波器的损耗指标能达到基站的滤波需求。上述实施例提供的介质谐振器中，凹坑的个数优选为一个。当凹坑的个数增加时，每一个凹坑及覆盖在凹坑和本体上的导电层又会形成该谐振器的一个子谐振器，凹坑的大小、形状、位置决定子谐振器的谐振频率和模式电场方向，子谐振器越多，组合形成的谐振器的性能参数越不易控制，通常会用谐振器组合来形成滤波器，因此，一般使用的谐振器都只有一个凹坑。上述实施例提供的介质谐振器中，介电材料优选为陶瓷，陶瓷具有较高的介电常数（为36），硬度及耐高温的性能也都较好，因此成为射频滤波器领域常用的固态介电材料。当然，介电材料也可以选用本领域技术人员所知的其它材料，如玻璃、电绝缘的高分子聚合物等。需要说明的是：上述实施例提供的介质谐振器的凹坑形状并不限于图2a和图2b中所示的圆形，也可以是方形或不规则的形状；而本体的形状也不限于图2a和图2b中所示的立方体，也可以是球体，或不规则的形状；凹坑和本体的形状都可以根据介质谐振器的应用场合和性能参数需求进行选择。本专利技术实施例还提供了一种介质滤波器，如图3a所示，该介质滤波器包括至少两个介质谐振器（31、32、33）。介质谐振器（31、32、33）的结构与图2a和图2b中所示的介质谐振器结构类似，包括由固态介电材料制成的本体21，本体21表面上设有凹坑22，本体21表面及凹坑22表面覆盖有导电层23。进一步的，相邻的介质谐振器（31与32，31与33，32与33）通过连接面34固定相接且连接面34的导电层23相接在一起。本专利技术实施例提供的介质滤波器中，使用了多个介质谐振器，且相邻的介质谐振器通过连接面固定相接构成一个整体，并且相邻的介质谐振器连接面的导电层相接在一起，比如通过焊接的方式相接在一起，使得相邻的介质谐振器电连接，以使电磁波信号能在介质谐振器之间传播，由于介质谐振器与图2a和图2b所示的介质谐振器一样，内部的谐振模式都为TM模，模式电场的方向垂直于凹坑所在的本体表面，使得谐振腔内部无内导体损耗，因此可显著减小介质滤波器的损耗指标，从而使该介质滤波器能应用在基站中。同时，由于本专利技术实施例提供的介质谐振器的谐振模式为TM模，使得由多个介质谐振器构成的介质滤波器为TM模。该TM模介质滤波器相比于现有的TEM膜介质滤波器具有插入损耗小的优点。上述实施例描述的介质滤波器中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种介质滤波器，包括至少两个介质谐振器，其特征在于，所述至少两个介质谐振器中的一个介质谐振器与所述至少两个介质谐振器中的至少一个介质谐振器相邻，所述至少两个介质谐振器中的每个介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体，所述本体表面上设有凹坑，所述本体表面及所述凹坑表面覆盖有导电层，通过将所述凹坑表面的导电层部分去除的方式调节所述介质滤波器的谐振频率；相邻的所述介质谐振器通过连接面固定相接且连接面的导电层相接在一起，所述相邻的介质谐振器的连接面具有空隙，所述空隙内壁覆盖有导电层，通过将所述空隙内壁的导电层部分去除的方式调节所述介质谐振器之间的耦合。2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器包括至少三个介质谐振器；所述至少三个介质谐振器中的三个介质谐振器中，每个介质谐振器与所述三个介质谐振器中的另外两个介质谐振器相邻。3.根据权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于，所述空隙的形状为孔形或者为槽形。4.一种介质滤波器，包括由固态介电材料制成的一体成型本体，其特征在于，所述一体成型本体表面上设有至少两个凹坑；相邻所述凹坑之间的所述一体成型本体上设有孔和/或槽，所述一体成型本体表面覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁本贵，王强，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44