电子部件模块制造技术

本发明专利技术的电子部件模块中，经由接合部将布线基板上的导电焊盘与柱状的连接端子构件相接合，并且在布线基板上形成有封装连接端子构件的树脂层，所述电子部件模块能够抑制构成接合部的接合材料在将该电子部件模块安装到安装用基板上时所实施的回流工序中流出。预先在连接端子构件(6)的露出侧的端面(9)上形成由Cu-M类合金(M为Ni及/或Mn)构成的电镀层(15)，其中，该Cu-M类合金能够与构成接合部(10)的接合材料中所含的Sn类低熔点金属生成金属间化合物，并且该Cu-M类合金与该金属间化合物的晶格常数差在50％以上。即使在回流工序中接合材料再次熔融并朝向外部流出，该接合材料也会与Cu-M类电镀层(15)接触而形成由金属间化合物构成的高熔点合金体(27)，从而将连接端子构件(6)与树脂层(11)的界面封堵。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子部件模块
本专利技术涉及一种电子部件模块，尤其涉及一种电子部件模块中的连接端子构件的 周边部的构造，其中，该电子部件模块具备布线基板、安装在该布线基板上的电子部件及柱 状的连接端子构件、以及封装电子部件及连接端子构件的树脂层。
技术介绍
与本专利技术相关的技术已在例如日本专利特开2008-16729号公报（专利文献1)中 公开。在专利文献1中公开了一种半导体装置，其中，作为柱状连接端子构件的内部连接用 电极连接在配置于有机基板的布线图案上的规定位置处的连接电极用金属焊盘部上，并且 通过封装树脂而将内部连接用电极进行封装。另外，专利文献1中已经公开内部连接用电 极也可以通过锡焊来连接在连接电极用金属焊盘部上。 但是，在通过锡焊来连接内部连接用电极时，有可能发生下述问题：S卩，在将半导 体装置安装到安装用基板上时的回流工序中，作为接合材料的焊锡再次熔融而体积膨胀， 从而焊锡沿着内部连接用电极与封装树脂之间的间隙流出或者喷出半导体装置外侧。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本专利特开2008-16729号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题 因此，本专利技术的目的在于，在如上述半导体装置那样的电子部件模块中，在将该电 子部件模块安装到安装用基板上时所实施的回流工序中抑制接合材料流出。 解决技术问题所采用的技术方案 简而言之，本专利技术的特征在于，在连接端子构件的露出侧的端部处防止接合材料 在回流工序中流出。 更为详细来说，本专利技术涉及的电子部件模块具备：布线基板，其具有互相相对的第 1及第2主面；电子部件，其至少安装在布线基板的第1主面上；导电焊盘，其至少形成于布 线基板的第1主面上；柱状的连接端子构件，其具有互相相对的第1及第2端面，并以第1 端面朝向导电焊盘的状态进行配置，并且，连接端子构件经由接合部而接合于导电焊盘；以 及树脂层，其形成于布线基板的第1主面上，并且以使该连接端子构件的第2端面露出的状 态将上述电子部件及连接端子构件进行封装，上述接合部含有低熔点金属，该低熔点金属 是Sn单体或者包含70重量％以上Sn的合金。 在本专利技术中，作为用于解决上述技术问题的技术方案有下述2个方面。 第1方面的特征在于，至少在连接端子构件的第2端面侧端部的周围配置有高熔 点合金体，该高熔点合金体呈在连接端子构件的第2端面侧将连接端子构件与树脂层的界 面封堵的状态，其中，所述高熔点合金体由低熔点金属与Cu-M类合金（M为Ni及/或Mn) 所生成的金属间化合物构成。 根据该构成，即使在用于将电子部件模块安装到安装用基板上的回流工序中，构 成接合部的接合材料再次熔融，由于已经通过由金属间化合物构成的高熔点合金体而形成 所谓的盖，因此，也能够抑制接合材料漏出至电子部件模块的外侧。 优选在利用波长分散型X射线分析装置（WDX)对上述高熔点合金体的剖面进行分 析时，在该高熔点合金体的剖面中至少存在Cu-Sn类、M-Sn类以及Cu-M-Sn类的金属间化 合物，并且，在将该高熔点合金体的剖面沿纵向及横向分别均匀地分为10块、总计分为100 块时，至少存在2种以上的构成元素不同的金属间化合物的块数相对于去除1块中仅存在 Sn类金属成分的块后所剩余的总块数的比例（以下有时也称为分散度）在70%以上。 根据上述优选结构，由于在高熔点合金部的剖面中至少存在Cu-Sn类、M-Sn类以 及Cu-M-Sn类等3种以上的金属间化合物，并且，高熔点合金部内的金属间化合物呈以70 % 以上的分散度良好地分散的状态，因而不易产生应力集中。因此，即使在因为热冲击等所产 生的线膨胀系数差而导致产生歪斜、从而对高熔点合金部施加应力的情况下，也不易产生 裂缝。 优选高烙点合金体不含有Sn类金属成分，即使在含有Sn类金属成分时，也优选其 含有率在30体积％以下。在置于例如300°C以上的高温环境下时，Sn类金属成分有可能会 再次熔融而流出，因而有可能导致高熔点合金体所带来的所谓的盖作用的可靠性降低。 因此，通过将Sn类金属成分的含有率设为30体积％以下，能够抑制耐热性降低。 优选将高熔点合金体配置成覆盖连接端子构件的第2端面侧的整个端部。因为这 样能够提高高熔点合金体所带来的所谓的盖作用的可靠性，并且能够进一步减少连接端 子构件的焊料浸析（solderleaching)问题。 第2方面的特征在于，至少连接端子构件的第2端面侧端部的周围由Cu-M类合金 (M为Ni及/或Mn)构成，其中，该Cu-M类合金能够与低熔点金属生成金属间化合物，并且， 该Cu-M类合金与金属间化合物的晶格常数差在50%以上。 根据该结构，在用于将电子部件模块安装到安装用基板上的回流工序中，构成接 合部的接合材料再次熔融而从树脂层与连接端子构件之间的间隙流出时，该接合材料与 Cu-M类合金接触并与该Cu-M类合金在较短时间内反应而生成金属间化合物，从而将树脂 层与连接端子构件之间的间隙封堵，由此能够抑制接合材料漏出至电子部件模块的外侧。 优选接合部中所包含的低烙点金属是Sn单体或者包含85重量％以上Sn的合金。 因为这样更加容易在低熔点金属与Cu-M类合金之间生成金属间化合物。 另外，优选低熔点金属为Sn单体、或者含有选自由Cu、Ni、Ag、Au、Sb、Zn、Bi、In、 Ge、Al、Co、Μη、Fe、Cr、Mg、Μη、Pd、Si、Sr、Te及P构成的组中的至少1种材料以及Sn的合 金。通过对上述组成选择低熔点金属，能够容易地在低熔点金属与Cu-M类合金之间生成金 属间化合物。 由于容易在更低温度且较短时间内与Sn类低熔点金属生成金属化合物，因此， Cu-M类合金优选含有5重量％?30重量％的比例的M，更优选含有10重量％?15重量％ 的比例的M。 另外，从能够更加可靠地生成金属间化合物这一点来看，优选连接端子构件的第2 端面侧的整个端部表面由Cu-M类合金构成。 在第1及第2方面的任一个方面中，也可以构成为：连接端子构件由Cu-M类合金 构成，该Cu-M类合金能够与低熔点金属生成金属间化合物，并且，该Cu-M类合金与金属间 化合物的晶格常数差在50%以上。或者，也可以构成为：连接端子构件具有形成于其表面 的电镀膜，电镀膜由Cu-M类合金构成，该Cu-M类合金能够与低熔点金属生成金属间化合 物，并且，该Cu-M类合金与金属间化合物的晶格常数差在50%以上。 根据上述构成,能够在连接端子构件的整个表面上,通过使Cu-M类合金与构成接 合部的接合材料相接触来生成金属间化合物。因此，能够进一步提高关于防止接合材料漏 出至电子部件模块外部的可靠性。 另外，在第1及第2方面的任一个方面中，也可以在布线基板的第2主面上进一步 安装有电子部件。尤其是在第2方面的情况下，在实施了用于将电子部件安装到第2主面上 的回流工序时，构成接合部的接合材料再次熔融而从树脂层与连接端子构件之间的间隙流 出时，该接合材料与Cu-M类合金接触,并与该Cu-M类合金反应而生成金属间化合物，由此 能够得到呈至少在连接端子构件的第2端面侧端部的周围配置有高熔点合金体的状态的、 第1方面涉及的电子部件模本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子部件模块，其特征在于，包括：布线基板，该布线基板具有互相相对的第1及第2主面；电子部件，该电子部件至少安装在所述布线基板的所述第1主面上；导电焊盘，该导电焊盘至少形成于所述布线基板的所述第1主面上；柱状的连接端子构件，该连接端子构件具有互相相对的第1及第2端面，并以所述第1端面朝向所述导电焊盘的状态进行配置，并且，所述连接端子构件经由接合部而接合于所述导电焊盘；以及树脂层，该树脂层形成于所述布线基板的所述第1主面上，并且以使所述连接端子构件的所述第2端面露出的状态将所述电子部件及所述连接端子构件进行封装，所述接合部包含低熔点金属，该低熔点金属是Sn单体或者包含70重量％以上Sn的合金，至少在所述连接端子构件的所述第2端面侧端部的周围配置有高熔点合金体，所述高熔点合金体呈在所述连接端子构件的所述第2端面侧将所述连接端子构件与所述树脂层的界面进行封堵的状态，其中，所述高熔点合金体由所述低熔点金属与Cu‑M类合金(M为Ni及/或Mn)所生成的金属间化合物构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.06.22 JP 2012-1408201. 一种电子部件模块，其特征在于，包括： 布线基板，该布线基板具有互相相对的第1及第2主面； 电子部件，该电子部件至少安装在所述布线基板的所述第1主面上； 导电焊盘，该导电焊盘至少形成于所述布线基板的所述第1主面上； 柱状的连接端子构件，该连接端子构件具有互相相对的第1及第2端面，并以所述第 1端面朝向所述导电焊盘的状态进行配置，并且，所述连接端子构件经由接合部而接合于所 述导电焊盘；以及 树脂层，该树脂层形成于所述布线基板的所述第1主面上，并且以使所述连接端子构 件的所述第2端面露出的状态将所述电子部件及所述连接端子构件进行封装， 所述接合部包含低熔点金属，该低熔点金属是Sn单体或者包含70重量％以上Sn的合 金， 至少在所述连接端子构件的所述第2端面侧端部的周围配置有高熔点合金体，所述高 熔点合金体呈在所述连接端子构件的所述第2端面侧将所述连接端子构件与所述树脂层 的界面进行封堵的状态，其中，所述高熔点合金体由所述低熔点金属与Cu-M类合金（M为Ni 及/或Mn)所生成的金属间化合物构成。2. 如权利要求1所述的电子部件模块，其特征在于， 在利用波长分散型X射线分析装置（WDX)对所述高熔点合金体的剖面进行分析时，在 该高熔点合金体的剖面中至少存在Cu-Sn类、M-Sn类以及Cu-M-Sn类的金属间化合物，并 且，在将该高熔点合金体的剖面沿纵向及横向分别均匀地分为10块、总计细分为100块时， 至少存在2种以上的构成元素不同的金属间化合物的块数相对于将1块中仅存在Sn类金 属成分的块去除后所剩余的总块数的比例在70%以上。3. 如权利要求1或2所述的电子部件模块，其特征在于， 所述高熔点合金体包含30体积％以下的Sn类金属成分。4. 如权利要求3所述的电子部件模块，其特征在于， 所述高熔点合金体不含Sn类金属成分。5. 如权利要求1至4的任一项所述的电子部件模块，其特征在于， 将所述高熔点合金体配置成覆盖所述连接端子构件的所述第2端面侧的整个端部。6. -种电子部件模块，其特征在于，包括： 布线基板，该布线基板具有互相相对的第1及第2主面； 电子部件，该电子部件至少安装在所述布线基板的所述第1主面上； 导电焊盘，该导电焊盘至少形成于所述布线基板的所述第1主面上； 柱...

【专利技术属性】
技术研发人员：中越英雄，高木阳一，小川伸明，高冈英清，中野公介，镰田明彦，水白雅章，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP