【技术实现步骤摘要】
一种弯曲不敏感多模光纤
本专利技术涉及一种用于接入网或小型化光器件中的弯曲不敏感多模光纤，该光纤具 有优异的抗弯曲性能，属于光通信
。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，中国已经进入了光纤宽带和多业务融合的信息高速发 展时代。融合后的电信网、广电网和互联网都可以承载多种信息化业务，都可以为用户提供 打电话、上网和看电视等多种服务。这必将对运营商和企业数据中心机房的网络基础设施 的高带宽和灵活性提出了更高的要求，以便能够支持高性能连接，存储区域网络（SAN )、网 络附加存储（NAS )和高性能计算（比如云计算)等应用。因此，未来几年，数据中心将逐步成 为40G乃至100G以太网的天下。尤其是近年来云计算和物联网等概念的提出，以及VCSEL 激光器在多模光纤通信网络的应用，在数据中心和中心机房中对多模光纤提出更多苛刻的 要求，其中光纤带宽的要求以及光纤的抗弯曲特性是最重要的两项参数。 2010年6月17日，IEEE 802. 3ba标准，目卩40/100G以太网标准获批，该标准支持 40Gb/s和100Gb/s速率下150米多模光纤传输和40公里单模光纤传输。该标准的正式发 布，必将加速40G和100G以太网的建设步伐。 0M3和0M4光纤为50 ii m芯径渐变折射率多模光纤，数值孔径为0. 200±0. 015。 0M3和0M4光纤的最小有效模式带宽EMB (Effective Mode Bandwidth)分别为2000MHz. km和4700MHz. km。0M3/0M4多模光纤在10Gb/s，40Gb/...
【技术保护点】
一种弯曲不敏感多模光纤，包括有芯层、内包层和外包层，其特征在于所述的芯层半径R1为23～26微米，芯层折射率剖面呈抛物线，分布指数α为1.9～2.2，最大相对折射率差Δ1为0.9～1.2%，所述的内包层从内到外依次为第一内包层、第二内包层和下陷包层，其中第一内包层单边宽度1~3μm，相对折射率差Δ2为‑0.02～0.02%，第二内包层为纯二氧化硅层，单边宽度为2~6μm，下陷包层为掺F二氧化硅玻璃层，下陷包层的宽度为4.5~8μm，相对折射率差为‑0.38%～‑0.45%；所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。
【技术特征摘要】
1. 一种弯曲不敏感多模光纤，包括有芯层、内包层和外包层，其特征在于所述的芯层半 径R1为23?26微米，芯层折射率剖面呈抛物线，分布指数a为1. 9?2. 2,最大相对折 射率差A 1为0. 9?1. 2%，所述的内包层从内到外依次为第一内包层、第二内包层和下陷 包层，其中第一内包层单边宽度1~3 y m，相对折射率差A 2为-0. 02?0. 02%，第二内包层 为纯二氧化娃层，单边宽度为2飞ii m,下陷包层为掺F二氧化娃玻璃层，下陷包层的宽度为 4. 5~8 y m，相对折射率差为-0. 38%?-0. 45% ;所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层。2. 按权利要求1所述的弯曲不敏感多模光纤，其特征在于所述的芯层为Ge/F共掺二氧 化硅玻璃层，其中芯层中心位置F掺杂的贡献量小于或等于-0. 04% ;由芯层中心位置到第 一内包层边缘位置，F掺杂的贡献量逐渐增加，在第一内包层边缘部分的F掺杂的贡献量大 于或等于5%。3. 按权利要求1或2所述的弯曲不敏感多模光纤，其特征在于所述的第一内包层为 Ge/F共掺二氧化硅玻璃层，或掺F的二氧化硅玻璃层，其中F的贡献量为-0. 029T-0. 1%。4. 按权利要求1或...
【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，龙胜亚，王润涵，黄荣，张立岩，王瑞春，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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