【技术实现步骤摘要】
具有零延迟的旁路多路复用器的触发器相关申请的交叉引用本申请要求于2013年8月5日提交的第61/862,249号美国临时申请的优先权,通过引用将其全部公开内容结合于此。
与示例性实施例一致的装置涉及具有零延迟的旁路多路复用器的触发器,并且更具体地,涉及具有零延迟的旁路多路复用器的触发器,其可以实现不引起额外延迟的测试设计(DFT)覆盖。
技术介绍
在相关技术中,主-从触发器配置一般被用来操纵被提供到至少一个存储器电路中的时钟输入。例如,被操作的时钟输入可以是分频时钟或拉伸(stretched)时钟。 然而,在相关技术中,如果时钟输入被主-从触发器操纵,则可能丢失用于存储器电路的DFT覆盖。因此,布置在相关技术的主-从触发器配置的下游的存储器电路要求用于DFT测试的常规时钟输入。 为了解决要求用于存储器电路的DFT的常规时钟输入的问题,相关技术添加下游多路复用器以允许常规时钟被用于存储器电路的DFT测试。然而,添加下游多路复用器增加了时间延迟。时间延迟可能引起保持时间违反。在这种情形下,保持时间违反在存储器电路在违反存储器电路的定时约束的时刻接收常规时钟输入时发生。再者,保持时间违反可以要求额外的保持缓冲器来解决时间延迟,以使得在存储器电路的定时约束内输入常规时钟。因此,当如在相关技术中那样添加下游多路复用器时,功耗、定时延迟和电路大小可能增加。额外的功耗、定时延迟和电路大小作为下游多路复用器和额外的保持缓冲器的结果发生。因此,需要改进的用于DFT的配置,其不要求增加的功耗、定时延迟和电路大小。
技术实现思路
示例性实施例 ...
【技术保护点】
一种插入零延迟的旁路多路复用器的触发器电路,包括:主电路,其被配置为接收数据输入、输入时钟信号以及旁路信号,并且向第一节点输出中间信号;以及从电路,其被配置为接收在第一节点处的中间信号、输入时钟信号以及旁路信号,并且输出一输出时钟信号,其中,所述旁路信号控制所述从电路基于所述旁路信号的逻辑电平输出经缓冲的输入时钟信号和拉伸时钟信号之一作为该输出时钟信号。
【技术特征摘要】
2013.08.05 US 61/862,249;2014.03.10 US 14/202,8211.一种插入零延迟的旁路多路复用器的触发器电路,包括: 主电路,其被配置为接收数据输入、输入时钟信号以及旁路信号,并且向第一节点输出中间信号;以及 从电路,其被配置为接收在第一节点处的中间信号、输入时钟信号以及旁路信号,并且输出一输出时钟信号, 其中,所述旁路信号控制所述从电路基于所述旁路信号的逻辑电平输出经缓冲的输入时钟信号和拉伸时钟信号之一作为该输出时钟信号。2.如权利要求1所述的触发器电路,其中,所述主电路包括: 连接在第一电压源和第三PMOS晶体管之间、并被所述旁路信号控制的旁路PMOS晶体管;以及 连接在第三节点和地之间、并被所述旁路信号控制的旁路NMOS晶体管。3.如权利要求2所述的触发器电路,其中,所述主电路还包括: 连接在第一电压源和第一节点之间、并被所述输入时钟信号控制的第一 PMOS晶体管; 连接在第一电压源和第一节点之间、并被所述第二节点控制的第二 PMOS晶体管; 连接在第一节点和第二 NMOS晶体管之间的第一 NMOS晶体管,其中,第一 NMOS晶体管被所述数据输入控制; 连接在第二 NMOS晶体管和地之间、并被所述第二节点控制的第三NMOS晶体管; 连接在第一 NMOS晶体管和第三NMOS晶体管之间、并被所述输入时钟信号控制的第二NMOS晶体管; 连接在旁路PMOS晶体管和第二节点之间、并被所述输入时钟信号控制的第三PMOS晶体管; 连接在第一电压源和第二节点之间、并被所述中间信号控制的第四PMOS晶体管; 连接在第一节点和第九NMOS晶体管之间、并被所述第一节点的反转信号控制的第四NMOS晶体管; 连接在第二节点和第三节点之间、并被所述中间信号控制的第五NMOS晶体管; 连接在第三节点和第七NMOS晶体管之间、并被所述数据输入的反转信号控制的第六NMOS晶体管; 连接在第六NMOS晶体管和地之间、并被输入时钟信号控制的第七NMOS晶体管; 连接在第九NMOS晶体管和地之间、并被输入时钟信号控制的第八NMOS晶体管;以及 连接在第八NMOS晶体管和第二节点之间、并被第二节点的反转信号控制的第九NMOS晶体管。4.如权利要求1所述的触发器电路,其中,所述从电路包括: 旁路或非门,其被配置为接收所述旁路信号以及第六节点的信号,并且输出第四节点的信号。5.如权利要求4所述的触发器电路,其中,所述从电路还包括: 连接在第一电压源和第十NMOS晶体管之间、并被所述第一节点的中间信号控制的第五PMOS晶体管; 连接在第五PMOS晶体管和第十一 NMOS晶体管之间、并被所述输入时钟信号控制的第十NMOS晶体管; 连接在第十NMOS晶体管和地之间、并被所述中间信号控制的第十一 NMOS晶体管;连接在第一电压源和第七PMOS晶体管之间、并被第四节点的信号控制的第六PMOS晶体管; 连接在第六PMOS晶体管和第十二 NMOS晶体管之间、并被输入时钟信号控制的第七PMOS晶体管;以及 连接在第七PMOS晶体管和第五节点之间、并被第四节点的信号控制的第十二 NMOS晶体管。6.如权利要求5所述的触发器电路...
【专利技术属性】
技术研发人员:C韦尔斯,M伯津斯,金珉修,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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