由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法及回收装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法，其使含有IF7的气体与待氟化物质接触，将IF7变换为IF5，将包含所述IF5的气体冷却，从而作为由IF7生成的氟化碘化合物而捕集所述IF5。另外，也可以使被回收的所述IF5与氟反应而生成IF7，将生成的所述IF7再次用于半导体制造工序。

【技术实现步骤摘要】
由IF,生成的氣化视化合物的回收方法及回收装置
本专利技术涉及一种由走氣化楓（IF,)生成的氣化楓化合物的回收方法及实现该方法 的回收装置。特别地，本专利技术涉及一种不利用超低温就对由IF,生成的氣化楓化合物进行 回收的方法及实现该方法的回收装置。
技术介绍
IF,是一种对半导体制造工序中的蚀刻、W及原子能工业中的清洁有作用的气体。 例如，在专利文献1中，记载有将IF,及IFg用作为半导体制造工序的蚀刻及清洁用气体的 内容。通常在使用IF,的蚀刻工序中，IF,的利用效率较低，为5?20%，因此大部分IF,被 作为废气而排出。但是，如果直接将氣化物排出至空气中，则所排出的氣化物成为地球温室 化的原因。另外，楓元素在制造IF,的成本中占据较大比例，因此，希望能够对IF,进行回收 及再次利用。 作为从排出气体中回收氣化物的方法，例如在专利文献2中记载有下述方法，即， 利用将低沸点的惰性气体(液氮或液氮等）用作为冷却剂的冷却阱，从而对氣元素类气体进 行冷却捕集。但是，与其它氣化物不同，在利用冷却捕集回收IF,时，必需设置为一20(TC左 右的超低温。由此，为了维持低温，装置所承载的负荷变大。另外，由于在半导体制造工序 的低压条件下，IF,容易升华，所W在一30?一8(TC程度下使用的普通冷却阱中，回收率较 差。 另一方面，例如在专利文献3中记载有下述方法，即，将氣化物由活性炭等特定吸 附剂进行吸附，通过加热而使氣化物脱离，从而回收去除杂质后的氣化物。但是，由于与其 它氣化物不同，IF,容易与活性炭或沸石等吸附剂反应，所W，难W通过吸附?脱离而从吸附 剂中对IF,进行提纯后再利用。 另外，在专利文献4中记载有下述方法，即，使氣化楓与碱石灰等药剂反应而进行 除害。但由于巧及化等楓元素氣化物是高价材料，所W将蚀刻后的排出气体经由湿式及 干式除害装置进行除害该一手段并不经济。 专利文献1 ;日本特开2009 - 23896号公报 专利文献2 ;日本特开平9 - 129561号公报 专利文献3 ;日本特开2000 - 117052号公报 专利文献4 ;日本特开2011 - 5477号公报。
技术实现思路
如上所述，由于与其它氣化物不同，对排出气体中的IF,进行回收较难，IF,的回收 效率非常低。因此，迄今为止，通常都不对排出气体中的IF,进行回收。另一方面，从经济性 及对地球环境进行保护的要求来看，期望一种能够高效且减少对地球环境的影响的由IF, 生成的氣化楓化合物的回收方法。 本专利技术就是为了解决上述问题而提出的，其提供一种不利用超低温就能够高效回 收由IF,生成的氣化楓化合物的方法、W及实现该方法的回收装置。 本专利技术人发现下述情况而得到本专利技术，即，通过将IF,转换为能够适应气体的捕集 温度明显提高的IFg后进行回收，而并非直接从排出气体中回收IF,，由此，能够高效且省资 源地回收IF,。本专利技术着眼于为了捕集IFg所需的冷却温度为能够由通用的冷却装置进行 冷却的温度该一点，从而提出了迄今为止没有公开过的IF,的回收方法。 根据本专利技术的一个实施方式，提供一种由IF,生成的氣化楓化合物的回收方法，其 通过使含有IF,的气体与待氣化物质接触，将IF/变换为IFg,然后冷却含有所述IFg的气体， 从而作为由IF,生成的氣化楓化合物而捕集所述IFg。 在所述由IF,生成的氣化楓化合物的回收方法中，也可W将回收后的所述IFg与氣 元素反应而生成IF,，将所生成的所述IF,重新用于半导体制造工序。 在所述由IF,生成的氣化楓化合物的回收方法中，所述待氣化物质也可W含有20 重量％ W上的Si、A1、W、I中的至少1种元素。 在所述由IF,生成的氣化楓化合物的回收方法中，所述待氣化物质也可W是Si。 在所述由IF,生成的氣化楓化合物的回收方法中，对所述IFg进行回收的温度可W 是一screw上而5(TCW下。 另外，根据本专利技术的一个实施方式，提供一种由IF,生成的氣化楓化合物的回收装 置，其具有：反应管，其填充有待氣化物质，向其中导入IF, ; W及捕集装置，其与所述反应管 连接而捕集IFg。 所述反应管也可W与使用IF,的半导体制造装置连接。 在所述由IF,生成的氣化楓化合物的回收装置中，所述待氣化物质也可W含有20 重量％ W上的Si、A1、W、I中的至少1种元素。 在所述由IF,生成的氣化楓化合物的回收装置中，所述待氣化物质也可W是Si。 在所述由IF,生成的氣化楓化合物的回收装置中，所述捕集装置也可W将含有IFs 的气体在一screw上而5(TCW下的条件下冷却，从而回收所述IF。。 在所述由IF,生成的氣化楓化合物的回收装置中，还可W具有使所回收的所述IFs 与氣元素反应而生成IF,的氣化装置。 专利技术的效果 根据本专利技术，提供一种无需使用超低温就可W高效地对由走氣化楓生成的气体进行回 收的方法、W及使用该方法的回收装置。 【附图说明】 图1是本专利技术的一个实施方式所涉及的由IF,生成的氣化楓化合物的回收装置的 系统图。 标号的说明 1 ;反应管，2 ;排出气体导入通路，3 ;排出气体导出通路，4 ;加热单元，5 ;捕集装置，6 : 气体导出通路，7 ;冷却器，8 ;导入通路，9 ;导入通路，11 ;阀，12 ;阀，13 ;阀，14 ;阀，15 ;阀， 100 ;回收装置。 【具体实施方式】 W下，参照附图，说明本专利技术所涉及的由IF,生成的氣化楓化合物的回收方法及回 收装置。但是，本专利技术的由IF,生成的氣化楓化合物的回收方法及回收装置，并不由W下所 示的实施方式及实施例的记载内容限定解释。此外，本实施方式及实施例所参照的附图中， 对相同部分或具有相同功能的部分标注同一标号，省略重复说明。 本专利技术着眼于IF,和IFs之间的蒸汽压力的不同，使IF,与待氣化物质接触而变换 为IFg,从而对由IF,生成的氣化楓化合物进行回收。IFg与IF,相比，即使在高温(相比超低 温而言，并非超低温的温度)下也能够作为固体进行回收。目P，本专利技术的特征在于，为了能够 利用通用的冷却装置进行回收而将IF,变换为IFg。 图1是本专利技术的一个实施方式所涉及的回收装置的系统图。回收装置100具有： 反应管1，其填充有待氣化物质，向其中导入IF, ; W及捕集装置5,其与反应管1连接而捕集 IF。。反应管1是将IF,变换(脱氣或还原)为IFg的转化培。反应管1经由排出气体导入通 路2而与半导体装置(未图示)连接，被导入在半导体制造工序中产生的排出气体。在该里， 半导体制造工序例如是使用IF,进行的蚀刻工序或蚀刻装置的清洁工序等。在上述工序中， 生成含有未参与反应的IF,和作为反应生成物的IFg在内的排出气体。另外，在排出气体中 含有用于半导体制造工序的化、Ne、Ar、Xe、Kr、N2、02等。导入反应管l中的排出气体的量 由阀11控制。 填充在反应管1中的待氣化物质是通过自身被氣化而使得IF,变换为IFg的物质。 在本实施方式中，在反应管1中，作为待氣化物质可W是含有例如Si、A1、W、I中的至少1种 元素在内的物质，但并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法，其特征在于，使含有IF7的气体与待氟化物质接触，将IF7变换为IF5，冷却含有所述IF5的气体，从而作为由IF7生成的氟化碘化合物而捕集所述IF5。

【技术特征摘要】
2013.08.02 JP 2013-1614421. 一种由if7生成的氟化碘化合物的回收方法，其特征在于， 使含有if7的气体与待氟化物质接触，将if7变换为if5， 冷却含有所述if5的气体，从而作为由if7生成的氟化碘化合物而捕集所述if5。2. 根据权利要求1所述的由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法，其特征在于， 使回收后的所述if5与氟反应而生成if7， 将生成的所述if7再次用于半导体制造工序。3. 根据权利要求1所述的由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法，其特征在于， 所述待氟化物质含有20重量％以上的Si、A1、W、I中的至少1种元素。4. 根据权利要求1所述的由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法，其特征在于， 所述待氟化物质为Si。5. 根据权利要求1至4中任意一项所述的由IF7生成的氟化碘化合物的回收方法，其 特征在于， 对所述IF5进行回收的温度为一 80°C以上而50°C以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊池亚纪応，涉仁纪，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP