接线盒及包括该接线盒的光伏模块制造技术

技术编号:11037072 阅读:77 留言:0更新日期:2015-02-12 00:41
本发明专利技术提供了一种用于光伏模块的接线盒以及一种包括该接线盒的光伏模块,该用于光伏模块的接线盒包括壳体和第一导电连接构件,第一导电连接构件结合到壳体并包括第一端部和第二端部,第一端部和第二端部在第一导电连接构件处于第一位置时分开一定的间隙并且被构造为在壳体的外面延伸,第一端部和第二端部被构造为在第一导电连接构件处于第二位置时在壳体中叠置。

【技术实现步骤摘要】
接线盒及包括该接线盒的光伏模块本申请要求在美国专利商标局于2013年8月5日提交的第61/862,392号美国临时申请和于2013年12月26日提交的第14/141,354号美国专利申请的优先权和权益,上述美国申请的全部内容通过引用包含于此。
本专利技术的实施例涉及一种接线盒及一种包括该接线盒的光伏模块。
技术介绍
太阳能电池是用于通过使用光伏效应将光能直接转换为电能的设备,并且作为下一代电池而受到关注。太阳能电池根据它们的形成材料被分为硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、染料敏化太阳能电池和有机聚合物太阳能电池。 同时,在太阳能电池彼此串联或并联结合时形成光伏模块。光伏模块可以包括用于收集由太阳能电池产生的电并用于防止电流倒流的接线盒。通常,接线盒可以包括用于防止电流倒流的二极管,并且可以附着到光伏模块的一侧表面。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种接线盒以及一种包括该接线盒的光伏模块,该接线盒被构造为相对容易地、快速地且可靠地固定到光伏模块的基底。 根据本专利技术的实施例,一种用于光伏模块的接线盒包括壳体和第一导电连接构件,第一导电连接构件结合到壳体并包括第一端部和第二端部,第一端部和第二端部在第一导电连接构件处于第一位置时分开一定的间隙并且被构造为在壳体的外面延伸,第一端部和第二端部被构造为在第一导电连接构件处于第二位置时在壳体中叠置。 接线盒可以被构造为在第一导电连接构件处于第一位置时容纳穿过第一端部与第二端部之间的间隙的导线。 第一端部和第二端部中的至少一个还可以包括粘附材料。 粘附材料可以是导电的。 第一导电连接构件还可以包括与第一端部和第二端部垂直的连接构件,其中,连接构件具有导向槽,其中,壳体包括侧壁和从侧壁的内表面延伸的突起,突起被构造为接合到第一导电连接构件的连接构件的导向槽。 导向槽可以是深度沿着朝向第一导电连接构件的第一端部和第二端部的方向减小的第一导向槽,从而突起被构造为在第一导电连接构件从第一位置移动到第二位置时将力施加到第一导电连接构件的连接构件。 导向槽可以是与第二端部垂直以将第一导电连接构件稳定在壳体中的第二导向槽。 第一导电连接构件的连接构件还可以包括结合槽,突起可以被构造为在第一导电连接构件处于第二位置时接合到结合槽。 接线盒还可以包括第二导电连接构件,第二导电连接构件结合到壳体。 接线盒还可以包括分隔壳体的内部空间的阻隔件,其中,第一导电连接构件和第二导电连接构件被构造为位于内部空间的第一部分中。 接线盒还可以包括电结合在第一导电连接构件与第二导电连接构件之间的二极管。 二极管可以在阻隔件的远离第一导电连接构件的相对侧处位于内部空间的第二部分中。 接线盒还可以包括:电缆,电结合到第一导电连接构件并在壳体的外面延伸;弓丨线板,结合在第一导电连接构件与电缆之间。 引线板的形状可以是适于弹性改变的。 接线盒还可以包括压力突起,压力突起从壳体的上表面延伸并穿过第一导电连接构件的上表面中的开口,其中,压力突起被构造为将压力施加到处于第二位置的第一导电连接构件的第一端部和第二端部。 [0021 ] 壳体还可以包括侧壁和围绕侧壁的外围的凸缘。 凸缘可以从侧壁的下端基本上垂直地延伸。 粘附材料可以形成在凸缘上并可以被构造为将接线盒附着到外部基底。 一种光伏模块可以包括基底、位于基底上的多个太阳能电池和所述接线盒,其中,在第一导电连接构件位于第二位置时,所述接线盒附着到基底。 【附图说明】 图1是根据本专利技术实施例的光伏模块的示意性分解透视图。 图2A是光伏模块的在接线盒附着到其之前的分解透视图。 图2B是光伏模块的在接线盒附着到其之后的透视图。 图3是根据本专利技术实施例的接线盒的底部透视图。 图4是接线盒的壳体的底部透视图。 图5是接线盒的导电连接构件的顶部透视图。 图6是图3的接线盒的底部视图。 图7A是接线盒在附着到基底之前的横向剖视图。 图7B是接线盒在附着到基底之后的横向剖视图。 【具体实施方式】 本专利技术可以应用各种变形并且可以具有各种实施例,所以具体实施例在附图中被示出并且在该具体实施例方式部分进行相当详细地解释。然而,并不意图将本专利技术限制为特定实施例,而是应该被理解为包括本专利技术的精神和范围内的全部改变、等同物和代替。在本专利技术中描述的,如果确定对相关领域的详细描述使本专利技术的主旨不清楚,则将省略对其进行的详细描述。使用术语第一、第二等来描述各种组件,但是组件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与其他组件区分开来。本专利技术中使用的术语仅被用于描述具体实施例,而不意图限制本专利技术。除非上下文另外清楚地表示,否则单数的表达也包括复数的表达。在本申请中,术语“包括”或“具有”必须被理解为不排除在说明书中描述的一个或更多个其他特征、数量、步骤、操作、元件或组件或者这些事物的组合的存在或附加的可能性,而是为详细说明存在这样的特征、数量、步骤、操作、元件、组件或它们的任意组合。另一方面,使用的“/”可以按照具体情况具体分析的原则被解释为“和”以及可以被解释为“或”。 在附图中,为了清楚起见可以夸大层和区域的尺寸。同样的参考标记始终指示同样的元件。还将理解的是,当层、膜、区域或基底被称作“在”另一层、膜、区域或基底“上”时,它可以直接在所述另一层、膜、区域或基底上,或者也可以存在中间层。 图1是根据本专利技术实施例的光伏模块I的示意性分解透视图。图2A是光伏模块I的在接线盒20附着到其之前的分解透视图。图2B是光伏模块I的在接线盒20附着到其之后的透视图。为了便于解释,图2A和图2B示出了光伏模块I的第二基底12朝上。 参照图1,根据本专利技术实施例的光伏模块I可以包括多个太阳能电池10、被构造为电结合多个太阳能电池10并构成太阳能电池串17的带15、位于太阳能电池串17上的第一密封膜13和第一基底11、位于太阳能电池串17下的第二密封膜14和第二基底12以及附着到第二基底12的接线盒20。 作为用于将太阳能转换为电能的半导体装置的太阳能电池10可以是例如硅太阳能电池,硅太阳能电池包括:第一导电类型硅基底;第二导电类型半导体层,形成在第一导电类型硅基底上并具有与第一导电类型硅基底的导电类型相反的导电类型;抗反射层,包括暴露第二导电类型半导体层的部分表面的至少一个开口并形成在第二导电类型半导体层上;前表面电极,接触第二导电类型半导体层的通过所述至少一个开口暴露的所述部分表面;后表面电极,形成在第一导电类型硅基底的后表面上。然而,本专利技术不限于此。太阳能电池10可以是化合物半导体太阳能电池、串接太阳能电池(tandem solar cell)等。 第一基底11可以是光接收(例如,透明或半透明)表面基底,并且可以由具有优异的光透过性的玻璃形成或由聚合物材料形成。第一基底11可以具有足够的刚度以保护太阳能电池10免于因外部冲击而被损坏。例如,第一基底11可以由钢化玻璃形成。第一基底11也可以由低铁钢化玻璃形成,以防止太阳光的反射并提高太阳光的透过性。 第二基底12被定位为面向第一基底11,并且具有防水功能、绝缘功能和紫外(UV)线阻挡功能,以保护太阳能电池10。第二基底12可以通过堆叠聚氟乙本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光伏模块的接线盒,所述接线盒包括壳体和第一导电连接构件,第一导电连接构件结合到壳体并包括第一端部和第二端部,第一端部和第二端部在第一导电连接构件处于第一位置时分开一定的间隙并且被构造为在壳体的外面延伸,第一端部和第二端部被构造为在第一导电连接构件处于第二位置时在壳体中叠置。

【技术特征摘要】
2013.08.05 US 61/862,392;2013.12.26 US 14/141,3541.一种用于光伏模块的接线盒,所述接线盒包括壳体和第一导电连接构件,第一导电连接构件结合到壳体并包括第一端部和第二端部, 第一端部和第二端部在第一导电连接构件处于第一位置时分开一定的间隙并且被构造为在壳体的外面延伸, 第一端部和第二端部被构造为在第一导电连接构件处于第二位置时在壳体中叠置。2.如权利要求1所述的接线盒,其中,所述接线盒被构造为在第一导电连接构件处于第一位置时容纳穿过第一端部与第二端部之间的间隙的导线。3.如权利要求1所述的接线盒,其中,第一端部和第二端部中的至少一个还包括粘附材料。4.如权利要求3所述的接线盒,其中,粘附材料是导电的。5.如权利要求1所述的接线盒,所述接线盒还包括分隔壳体的内部空间的阻隔件。6.如权利要求1所述的接线盒,其中,第一导电连接构件还包括分别与第一端部和第二端部垂直的第一连接构件和第二连接构件,其中,第一连接构件包括第一导向槽,第二连接构件包括第二导向槽, 其中,壳体包括侧壁,第一突起从侧壁的内表面延伸,第一突起被构造为接合第一导向槽,第二突起从阻隔件延伸,第二突起被构造为接合第二导向槽。7.如权利要求6所述的接线盒,其中,第一导向槽具有沿着朝向第一导电连接构件的第一端部和第二端部的方向减小的深度,从而第一突起被构造为在第一导电连接构件从第一位置移动到第二位置时将力施加到第一导电连接构件的第一连接构件。8.如权利要求6所述的接线盒,其中,第二导向槽与第二端部垂直以将第一导电连接构件稳定在壳体中。9.如权利要求6所述的接线盒,其中,第一导电连接构件的第一连接构...

【专利技术属性】
技术研发人员:池良根
申请(专利权)人:三星SDI株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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