激光照射装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了激光照射装置。该激光照射装置包括：激光束生成器，配置为生成激光束；狭缝单元，配置为选择性地透过激光束；镜单元，配置为改变选择性透过的激光束的第二部分的路径，以将选择性透过的激光束的第二部分照射到处理目标上；第一光学系统，选择性透过的激光束的第一部分穿过镜单元并被投射到第一光学系统；以及第二光学系统，选择性透过的激光束的第二部分穿过镜单元并被投射到第二光学系统。

【技术实现步骤摘要】
激光照射装置
[0001 ] 本公开涉及激光照射装置。
技术介绍
薄膜晶体管被广泛用作液晶显示器(IXD)和有机发光二极管(OLED)显示器的开关设备。 薄膜晶体管典型地包括由半导体材料形成的沟道。半导体材料可包括硅。硅可一般根据其晶化状态被分类成非晶硅和晶态硅。下面将简要描述非晶硅和晶态硅的特性。 非晶硅的优点是可在较低温度下被沉积成薄膜。然而，非晶硅不具有规则的原子排列并且其晶粒尺寸不能增加。因此，非晶硅具有较差的电特性。 不同于非晶硅，晶态硅的晶粒尺寸可增加，这导致提高的导电性。因此，相对于非晶硅的电特性，晶态硅的电特性可被提高。例如，晶态硅中的电流可比非晶硅提高不止100倍。 如上所述，薄膜晶体管通常包括由半导体材料形成的沟道。可对半导体材料执行热处理，以修改半导体材料的电特性和物理特性。例如，包括非晶硅的半导体材料可使用热处理晶化为多晶硅。 IXD或OLED显示设备通常包括绝缘基底。绝缘基底可由具有低熔点的材料(例如，玻璃)形成。在制造显示设备的过程中，非晶硅薄膜被沉积到绝缘基底上。非晶硅薄膜随后使用例如热处理被改变成晶态硅薄膜。 热处理可包括将高能量激光束(例如，准分子激光)朝向非晶硅薄膜。激光束可从光源生成。激光束可穿过狭缝单元。激光束的穿过狭缝单元的部分可被镜单元反射。反射的激光束可被照射到基底的设置有非晶硅薄膜的部分。 在一些示例中，可提供用于检测激光束的分析器。具体地，分析器可监视照射到基底上的激光束的状态。传统的分析器可在激光照射过程完成之后或在激光照射过程中间歇地确定激光束的状态 然而，传统的分析器一般不能实时确定和分析激光束的状态。因此，传统的分析器可能不能精确地确定过程缺陷或偏离出现的精确点。
技术实现思路
本公开针对解决至少上述关于实时监视激光照射装置中的激光束的状态的问题。 根据本专利技术构思的一些实施方式，提供了激光照射装置。该激光照射装置包括激光束生成器、狭缝单元、以及镜单元，其中激光束生成器配置为生成激光束；狭缝单元配置为选择性地透过激光束；以及镜单元配置为改变选择性透过的激光束的第二部分的路径，以将选择性透过的激光束的第二部分照射到处理目标。该激光照射装置还包括第一光学系统、以及第二光学系统，其中选择性透过的激光束的第一部分穿过镜单元并被投射到第一光学系统；选择性透过的激光束的第二部分穿过镜单元并被投射到第二光学系统。 在一些实施方式中，第一光学系统可具有第一焦距，第二光学系统可具有第二焦距。 在一些实施方式中，第一焦距可配置为选择性透过的激光束的第一部分被投射到第一光学系统，第二焦距可配置为使得照射到处理目标上并从处理目标反射的选择性透过的激光束的第二部分被投射到第二光学系统。 在一些实施方式中，激光照射装置还可包括第一监视单元和第二监视单元，其中第一监视单元联接至第一光学系统，并配置为获取选择性透过的激光束的第一部分的图像；以及第二监视单元联接至第二光学系统，并被配置为获取选择性透过的激光束的第二部分的图像。 在一些实施方式中，所述第一光学系统和所述第二光学系统中的每个均可包括选自凹透镜、凸透镜和柱状透镜的至少一个透镜。 在一些实施方式中，至少一个透镜可由熔融二氧化硅形成。 在一些实施方式中，激光照射装置还可包括第一聚焦控制器、第二聚焦控制器、以及第三聚焦控制器，其中第一聚焦控制器设置在第一光学系统的前侧，并配置为控制第一光学系统中的激光束的焦距；第二聚焦控制器设置在第二光学系统的前侧，并配置为控制第二光学系统中的激光束的焦距；以及第三聚焦控制器设置在分束器的前侧，并配置为控制分束器处的激光束的焦距。 在一些实施方式中，第一聚焦控制器、第二聚焦控制器和第三聚焦控制器中的每个均可包括多个透镜。 在一些实施方式中，激光照射装置还可包括分束器，其配置为分开穿过镜单元的选择性透过的激光束的第一部分和第二部分，使得第一部分被投射到第一光学系统而第二部分被投射到第二光学系统。 在一些实施方式中，激光照射装置还可包括分析单元，其配置为分析分别被投射到第一光学系统和第二光学系统的选择性透过的激光束的第一部分和第二部分的图像。 在一些实施方式中，激光照射装置还可包括控制器，其配置为基于通过分析单元分析的图像控制激光束生成器。 根据本专利技术构思的一些其他实施方式，提供了监视激光照射装置的激光束的方法，其中激光束由激光束生成器生成。该方法包括:使激光束选择性地透过狭缝单元；使用镜单元改变选择性透过的激光束的第二部分的路径，以使选择性透过的激光束的第二部分照射到处理目标；投射穿过镜单元的选择性透过的激光束的第一部分到第一光学系统；投射穿过镜单元的选择性透过的激光束的第二部分到第二光学系统；以及获取选择性透过的激光束的第一部分和第二部分的图像。 在一些实施方式中，所述方法还可包括使用分束器分开穿过镜单元的选择性透过的激光束的第一部分和第二部分，使得第一部分被投射到第一光学系统以及第二部分被投射到第二光学系统。 在一些实施方式中，获取选择性透过的激光束的第一部分和第二部分的图像可包括使用第一监视单元获取投射到第一光学系统的选择性透过的激光束的第一部分的图像；以及使用第二监视单元获取投射到第二光学系统的选择性透过的激光束的第二部分的图像。 在一些实施方式中，第一光学系统可具有第一焦距，第二光学系统可具有第二焦距。 在一些实施方式中，第一焦距可配置为使得选择性透过的激光束的第一部分被投射到所述第一光学系统，第二焦距可配置为使得照射到处理目标上并从处理目标反射的选择性透过的激光束的第二部分被投射到第二光学系统。 在一些实施方式中，选择性透过的激光束的第一部分的图像可包括狭缝单元的选择性透过的激光束的图像，选择性透过的激光束的第二部分的图像可包括照射到处理目标上并从处理目标反射的选择性透过的激光束的图像。 在一些实施方式中，方法还可包括分析选择性透过的激光束的第一部分和第二部分的图像。 在一些实施方式中，分析选择性透过的激光束的第一部分和第二部分的图像可包括比较选择性透过的激光束的第一部分的图像和第二部分的图像。 在一些实施方式中，方法还可包括基于选择性透过的激光束的第一部分的图像和第二部分的图像的比较结果控制激光束生成器。 【附图说明】 图1是根据本专利技术构思的示例性实施方式的激光照射装置的示意图； 图2示出了根据示例性实施方式的穿过狭缝单元的激光束； 图3不出了根据不例性实施方式的使用第一光学系统和第二光学系统监视激光束； 图4是示出了图3的第一光学系统的示例性配置的示意图； 图5是示出了图3的第二光学系统的示例性配置的示意图； 图6是根据本专利技术构思的另一示例性实施方式的激光照射装置的示意图； 图7是根据示例性实施方式的监视激光束的方法的流程图；以及 图8和图9是进一步描述图7的步骤S300的详细流程图。 【具体实施方式】 在本文中参考附图更完整地描述本专利技术构思，其中在附图中示出了本专利技术构思的示例性实施方式。如本领域技术人员将认识到，可以多种方式修改实施方式而不背离本专利技术构思的精神或范围。附图和描述在本质上是说明性的并且不应该被解释成限制本专利技术构思。在整个说明书中，相同的参考本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光照射装置，包括：激光束生成器，配置为生成激光束；狭缝单元，配置为选择性地使所述激光束透过；镜单元，配置为改变选择性透过的所述激光束的第二部分的路径，以将选择性透过的所述激光束的所述第二部分照射到处理目标上；第一光学系统，选择性透过的所述激光束的第一部分穿过所述镜单元并被投射到所述第一光学系统；以及第二光学系统，选择性透过的所述激光束的所述第二部分穿过所述镜单元并被投射到所述第二光学系统。

【技术特征摘要】
2013.07.31 KR 10-2013-00910901.一种激光照射装置，包括: 激光束生成器，配置为生成激光束； 狭缝单元，配置为选择性地使所述激光束透过； 镜单元，配置为改变选择性透过的所述激光束的第二部分的路径，以将选择性透过的所述激光束的所述第二部分照射到处理目标上； 第一光学系统，选择性透过的所述激光束的第一部分穿过所述镜单元并被投射到所述第一光学系统；以及 第二光学系统，选择性透过的所述激光束的所述第二部分穿过所述镜单元并被投射到所述第二光学系统。2.如权利要求1所述的激光照射装置，其中， 所述第一光学系统具有第一焦距，所述第二光学系统具有第二焦距。3.如权利要求2所述的激光照射装置，其中， 所述第一焦距配置为使得选择性透过的所述激光束的所述第一部分被投射到所述第一光学系统， 所述第二焦距配置为使得照射到所述处理目标上并从所述处理目标反射的选择性透过的所述激光束的所述第二部分被投射到所述第二光学系统。4.如权利要求1所述的激光照射装置，还包括: 第一监视单元，联接至所述第一光学系统，并配置为获取选择性透过的所述激光束的所述第一部分的图像；以及 第二监视单元，联接至所述第二光学系统，并配置为获取选择性透过的所述激光束的所述第二部分的图像...

【专利技术属性】
技术研发人员：金俊亨，李惠淑，金成坤，丁一荣，韩圭完，柳济吉，赵庚石，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR