一种处理铜/铜阻挡层抛光液的废液的方法技术

技术编号:11035891 阅读:115 留言:0更新日期:2015-02-11 20:27
本发明专利技术揭示了一种处理铜/铜阻挡层抛光液的废液的方法,采用包含氨水或铵盐的化学溶液将铜/铜阻挡层化学机械抛光废液中产生的凝胶以及铜离子去除。该发明专利技术可以避免铜/铜阻挡层化学机械抛光废液堵塞管道及减少铜离子对环境的污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种处理抛光液的废液的方法,更具体地说,涉及。
技术介绍
CMP过程中会产生很多的抛光液的废液,废液中包括研磨颗粒,化学物质和铜离子等。从环境保护方面来说,有效地回收或者处理这些抛光液废液是非常有必要的。在大部分铜/铜阻挡层的抛光液中通常都包含唑类的抑制剂和含有羧基的聚合物。这些组分在铜CMP过程中,能与铜离子发生螯合,产生絮凝物,这种絮凝物会附着于废液输送管道壁中,长期积累就会堵塞管道。 美国US2005072742 (Al)和台湾TWI227216在废液中添加光化学催化剂,利用紫外光照射,使得废液中的铜离子吸附于光催化剂的颗粒上,将铜离子的含量降低到环境标准以下。 美国专利US6398964B1提供了一种处理废液的工艺,首先利用电解沉积法将废液中的铜离子去除后,其次利用絮凝剂以及过滤的方式将废液中的固体去除。 日本JP2010279933(A)设计了一种处理抛光废液的装置,通过过滤装置将固体金属去除,通过COD吸收过程将表面活性剂以及有机物去除,通过离子交换树脂去除废液中的Cu离子。 上述专利中,存在处理抛光废液的方法均比较复杂的问题,如添加复杂的化学物,或者利用过滤装置处理废液。 另外,申请号为2012104419481的专利技术申请提供了一种含有氧化剂的处理液,具体使用的氧化剂为双氧水,这样做法的坏处是,铜离子造成氧化剂快速分解,会有大量气体放出。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述现有技术存在的问题提供了。 本发解决上述技术问题所采用的技术方案是:提供,包括采用化学溶液处理所述废液,该化学溶液包含氨水或铵盐。铵盐选自氯化铵,硫酸氢铵,硫酸氨,硝酸铵,碳酸铵,碳酸氢铵,氟化铵,碘化铵,溴化铵,柠檬酸三铵,朽1檬酸氢二铵,朽1檬酸二氢胺的一种或多种。优选朽1檬酸三铵,朽1檬酸氢二铵,朽1檬酸二氢铵的一种或多种。其中柠檬酸根以及氨根都能与铜离子形成络合物,增强了对废液的处理能力。从而降低了化学溶液的使用量,降低了使用成本。氨水或铵盐的质量百分比浓度为0.1 ?10wt%,优选 0.5 ?5wt%。 该铜/铜阻挡层抛光液的废液进一步包含能与铜离子生成凝胶的化合物。能与铜离子生成凝胶的化合物为唑类化合物和/或羧基类聚合物及其盐。 唑类化合物及其衍生物选自1,2,3_三氮唑,IH-四氮唑,1,2,4-三氮唑,1-甲基-5氨基四氮唑,5-甲基四氮唑,1-氨基-5-巯基-1,2,4四氮唑,5-苯基四氮唑和1-苯基-5-巯基四氮唑,苯并三氮唑,5-甲基-1,2,3-苯并三氮唑,5-羧基苯并三氮唑、1-羟基-苯并三氮唑,3-氨基-1,2,4-三氮唑、3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑、5-羧基-3-氨基-1,2,4-三氮唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑、5-乙酸-1H-四氮唑、5-甲基四氮唑和5-氨基-1H-四氮唑中的一种或多种。唑类化合物的浓度为0.001-3wt%,有限为0.001-lwt%。。 羧基类聚合物选自聚丙烯酸,聚甲基丙烯酸,丙烯酸酯共聚物,聚羧酸和聚丙烯酰胺中的一种或多种。羧基类聚合物的分子量为1000-300000,优选为1000-10000。羧基类聚合物的浓度为0.001-3wt%,优选为0.001-lwt%。 盐为钾盐,钠盐和/或氨盐。 上述化学溶液中不包括氧化剂。 本专利技术所用试剂、原料以及产品均市售可得。 本专利技术的积极进步效果在于: 1.通过使用简单的化学试剂,溶解絮凝物,不需要特殊的处理过程,解决了由于凝胶堵塞管道的问题; 2.在去除絮凝物的同时,能够去除部分铜离子,不需要额外的步骤,并将部分游离态的铜离子氧化成固体,降低了铜离子在废液中的含量; 3.不需要特殊的反应装置,直接在管道中进行; 4.环保,低成本。 【具体实施方式】 下面通过具体实施例进一步阐述本专利技术的优点,但本专利技术的保护范围不仅仅局限于下述实施例。 对比实施例1:含有0.001wt%l,2, 3_三氮唑的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入去离子水,凝胶不溶解。 对比实施例2:含有0.01wt%聚丙烯酸的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入去离子水,凝胶不溶解 对比实施例3:含有0.lwt%l,2,3_三氮唑和0.001wt%丙烯酸酯共聚物氨盐(分子量为300000)的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入去离子水,凝胶不溶解。 对比实施例4:含有0.001wt%l,2, 3_三氮唑的铜阻挡层抛光液,与铜离子生成凝胶,加入去离子水,凝胶不溶解。 对比实施例5:含有3wt%l,2,3_三氮唑和3wt%丙烯酸酯共聚物氨盐(分子量为1000)的铜阻挡层抛光液,与铜离子生成凝胶,加入去离子水,凝胶不溶解。 实施例1:含有3wt%l,2,3-三氮唑的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入0.lwt%柠檬酸三铵,铜离子部分被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶部分溶解。 实施例2:3wt%含有IH-四氮唑的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入10wt%柠檬酸二氢铵,铜离子完全被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶溶解。 实施例3:0.5被%含有苯并三氮唑的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入5wt%柠檬酸氢二铵,铜离子完全被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶溶解。 实施例4:0.05wt%含有5-甲基_1,2,3_苯并三氮唑钠的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入0.5wt%柠檬酸三胺,铜离子完全被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶溶解。 实施例5:含有lwt%l_羟基-苯并三氮唑氨盐的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,力口入7wt%氯化铵,铜离子完全被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶溶解。 实施例6:含有1.5wt%5-羧基_3氨基-1,2,4_三氮唑的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入8%硫酸氢铵,铜离子完全被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶溶解。 实施例7:含有2wt%5_乙酸-1H-四氮唑的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入5wt%硫酸铵,铜离子完全被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶溶解。 实施例8:含有0.001wt%l-甲基_5_氨基四氮唑的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入0.5wt%碳酸铵,铜离子完全被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶溶解。 实施例9:含有1.5wt%l-苯基-5-巯基四氮唑的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入8wt%碳酸氢铵,铜离子完全被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶溶解。 实施例10:含有0.01wt%聚丙烯酸(分子量为1000)的铜抛光液,与铜尚子生成凝胶,加入5wt%氟化铵,铜离子完全被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶溶解。 实施例11:含有0.001wt%聚甲基丙烯酸(分子量为300000)的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入10wt%溴化铵,铜离子完全被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶溶解。 实施例12:含有lwt%聚丙烯酸钾(分子量为10000)的铜抛光液,与铜离子生成凝胶,加入4wt%碘化铵,铜离子完全被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶溶解。 实施例13:含有3wt%聚丙烯酰胺(分子量为1000)的铜抛光液,与铜尚子生成凝胶,加入2wt%柠檬酸三铵,铜离子完全被络合形成络合物从凝胶中脱离,凝胶溶解。 实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理铜/铜阻挡层抛光液的废液的方法,其特征在于:所述方法包括采用化学溶液处理所述废液,所述化学溶液包含氨水或铵盐。

【技术特征摘要】
1.一种处理铜/铜阻挡层抛光液的废液的方法,其特征在于:所述方法包括采用化学溶液处理所述废液,所述化学溶液包含氨水或铵盐。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述铜/铜阻挡层抛光液的废液进一步包含能与铜离子生成凝胶的化合物。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于:所述能与铜离子生成凝胶的化合物为唑类化合物和/或羧基类聚合物及其盐。4.如权利要求3所述的方法,其特征在于:所述唑类化合物及其衍生物选自1,2,3-三氮唑,IH-四氮唑,1,2,4-三氮唑,1-甲基-5氨基四氮唑,5-甲基四氮唑,1-氨基-5-巯基_1,2,4四氮唑,5-苯基四氮唑和1-苯基-5-巯基四氮唑,苯并三氮唑,5-甲基_1,2,3-苯并三氮唑,5-羧基苯并三氮唑、1-羟基-苯并三氮唑,3-氨基-1,2,4-三氮唑、3,5- 二氨基-1,2,4-三氮唑、5-羧基-3-氨基-1,2,4-三氮唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三氮唑、5-乙酸-1H-四氮唑、5-甲基四氮唑和5-氨基-1H-四氮唑中的一种或多种。5.如权利要求3所述的方法,其特征在于:所述的唑类化合物的浓度为0.001-3wt%。6.如权利要求5所述的方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员:周文婷王雨春
申请(专利权)人:安集微电子上海有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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