导电薄膜、其制备方法及应用技术

一种导电薄膜，包括层叠的MgO层，导电层及Co3O4层，其中导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种。上述导电薄膜通过在MgO层的表面沉积导电层及高功函的Co3O4层制备多层导电薄膜，MgO层既作为缓冲层和匹配层，使导电薄膜的功函数得到了显著的提高并具有较高的透光性。本发明专利技术还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。

【技术实现步骤摘要】
导电薄膜、其制备方法及应用
本专利技术涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。
技术介绍
导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，氧化镉的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。而铝、镓和铟掺杂的氧化锌的功函数一般只有4.3eV，经过UV光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4.5?5.leV，与一般的有机发光层的HOMO能级(典型的为5.7?6.3eV)还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍发光效率的提闻。
技术实现思路
基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。 —种导电薄膜，包括层叠的MgO层，导电层及Co3O4层,其中导电层的材料选自金，银，铜和钼中的一种。 所述MgO层的厚度为40nm?160nm,所述导电层的厚度为5nm?40nm,所述Co3O4层的厚度为Inm?10nm。 一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤: 将MgO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为 1.0X KT3Pa ?1.0 X KT5Pa ； 在所述衬底表面溅镀MgO层，溅镀所述MgO层的工艺参数为:基靶间距为45mm?85mm,溅射功率为80W?200W，磁控溅射工作压强0.2Pa?2Pa，工作气体的流量为15sccm?35sccm，衬底温度为200°C?700°C，得到MgO薄膜基板； 然后将MgO薄膜基板放入蒸镀设备腔体中，调节真空腔体的真空度为L0X10_3Pa ?1.0X10_6Pa, 在所述MgO层表面蒸镀导电层，蒸镀所述导电层的工艺参数为:蒸镀速率0.5?3nm/s，蒸镀时间10?80s，所述导电层的材料选自金，银，铜和钼中的一种； 在所述导电层表面蒸镀Co3O4层，蒸镀所述Co3O4层的工艺参数为:蒸镀速率0.2?2nm/s,蒸镀时间5?50s,及 剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。 所述MgO靶材由以下步骤得到:将MgO粉体在800°C?1400°C下烧结制成靶材。 所述MgO层的厚度为40nm?160nm,所述导电层的厚度为5nm?40nm,所述Co3O4层的厚度为Inm?10nm。 —种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、层叠的MgO层，导电层及Co3O4层,其中导电层的材料选自金,银,铜和钼中的一种。 所述MgO层的厚度为40nm?160nm,所述导电层的厚度为5nm?40nm,所述Co3O4层的厚度为Inm?10nm。 一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤: 将MgO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为 1.0X KT3Pa ?1.0 X KT5Pa ； 在所述衬底表面溅镀MgO层，溅镀所述MgO层的工艺参数为:基靶间距为45mm?85mm,溅射功率为80W?200W，磁控溅射工作压强0.2Pa?2Pa，工作气体的流量为15sccm?35sccm，衬底温度为200°C?700°C，得到MgO薄膜基板； 然后将MgO薄膜基板放入蒸镀设备腔体中，调节真空腔体的真空度为L0X10_3Pa ?1.0X10_6Pa, 在所述MgO层表面蒸镀导电层，蒸镀所述导电层的工艺参数为:蒸镀速率0.5?3nm/s，蒸镀时间10?80s，所述导电层的材料选自金，银，铜和钼中的一种； 在所述导电层表面蒸镀Co3O4层，蒸镀所述Co3O4层的工艺参数为:蒸镀速率0.2?2nm/s,蒸锻时间5?50s。 所述MgO靶材由以下步骤得到:将MgO粉体在800°C?1400°C下烧结制成靶材。 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括层叠的MgO层，导电层及Co3O4层，其中导电层的材料选自金，银，铜和钼中的一种。 上述导电薄膜通过在MgO层的表面沉积导电层及高功函的Co3O4层制备多层导电薄膜，MgO层既作为缓冲层和匹配层，使导电薄膜的功函数得到了显著的提高并具有较高的透光性，导电薄膜在300?900nm波长范围可见光透过率85%?95%，方块电阻范围2 Ω / □?15 Ω / □,表面功函数5.6eV?6.2eV ;上述导电薄膜的制备方法，使用该导电薄膜作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的HOMO能级之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可显著的提高发光效率。 【附图说明】 图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图； 图2为一实施方式的有机电致发光器件的基底的结构不意图； 图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图； 图4为实施例1制备的导电薄膜的透射光谱谱图； 图5为器件实施例的电压与电流和亮度关系图。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件进一步阐明。 请参阅图1，一实施方式的导电薄膜100包括层叠的MgO层10，导电层20及Co3O4层30,其中，导电层的材料选自金,银,铜和钼中的一种。 所述MgO层10的厚度为40nm?160nm,优选为80nm ； 所述导电层20的厚度为5nm?40nm,优选为22nm ； 所述Co3O4层30的厚度为Inm?1nm,优选为3.5nm。 上述导电薄膜100通过MgO层10的表面沉积导电层20及高功函的Co3O4层30制备多层导电薄膜100，MgO层10既作为缓冲层和匹配层，使导电薄膜100的功函数得到了显著的提高并具有较高的透光性，导电薄膜在300?900nm波长范围可见光透过率85%?95%,方块电阻范围2?15 Ω / □,表面功函数5.6?6.2eV。 上述导电薄膜100的制备方法，包括以下步骤: SllOjf MgO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为 1.0X KT3Pa ?1.0X KT5Pa ； 本实施方式中所述MgO靶材由以下步骤得到:将MgO粉体在800°C?1400°C下烧结制成祀材。 衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。 本实施方式中，真空腔体的真空度优选为6X 10_4Pa。 步骤S120、在所述衬底表面溅镀MgO层10，溅镀所述MgO层10的工艺参数为:基靶间距为45mm?85mm，溅射功率为80W?200W，磁控溅射工作压强0.2Pa?2Pa，工作气体的流量为15sccm?35sccm，衬底温度为200°C?700°C，得到MgO层10。 优选的，基靶间距为50mm，溅射功率为100W，磁控溅射工作压强1.0Pa,工作气体为氩气，工作气体的流量为20SCCm，衬底温度为450°C。 所述MgO层10的厚度为40nm?160nm,优选为80nm。 步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的MgO层，导电层及Co3O4层，其中导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种。

【技术特征摘要】
1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的MgO层,导电层及Co3O4层,其中导电层的材料选自金，银，铜和钼中的一种。2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述MgO层的厚度为40nm?160nm,所述导电层的厚度为5nm?40nm,所述Co3O4层的厚度为Inm?10nm。3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 将MgO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X KT3Pa ?LOXKT5Pa ； 在所述衬底表面派镀MgO层，派镀所述MgO层的工艺参数为:基祀间距为45mm?85mm,溅射功率为80W?200W，磁控溅射工作压强0.2Pa?2Pa，工作气体的流量为15sccm?35SCCm，衬底温度为200°C?700°C，得到MgO薄膜基板； 然后将MgO薄膜基板放入蒸镀设备腔体中，调节真空腔体的真空度为1.0X 10_3Pa?1.0XlO^6Pa, 在所述MgO层表面蒸镀导电层，蒸镀所述导电层的工艺参数为:蒸镀速率0.5?3nm/s,蒸镀时间10?80s,所述导电层的材料选自金,银,铜和钼中的一种； 在所述导电层表面蒸镀Co3O4层，蒸镀所述Co3O4层的工艺参数为:蒸镀速率0.2?2nm/s，蒸镀时间5?50s，及 剥离所述衬底，得到所述叠层导电薄膜。4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述MgO靶材由以下步骤得到:将MgO粉体在800°C?1400°C下烧结制成靶材。5.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述MgO层的厚度为40nm?160nm,所述导电层的厚度为5nm?40nm,所述Co3O4层的厚度为Inm?10nm。6.—种有机...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，陈吉星，王平，冯小明，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44