光半导体装置的制造方法及光半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具备表面形成有镀银层的基板和键合在所述镀银层上的发光二极管的光半导体装置的制造方法，该制造方法具有：形成被覆所述镀银层的粘土膜的膜形成工序、和在所述膜形成工序后通过引线键合而将所述发光二极管和被所述粘土膜被覆的所述镀银层电连接的连接工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种具备表面形成有镀银层的基板和键合在所述镀银层上的发光二极管的光半导体装置的制造方法，该制造方法具有：形成被覆所述镀银层的粘土膜的膜形成工序、和在所述膜形成工序后通过引线键合而将所述发光二极管和被所述粘土膜被覆的所述镀银层电连接的连接工序。【专利说明】光半导体装置的制造方法及光半导体装置
本专利技术涉及具备发光二极管的光半导体装置的制造方法及光半导体装置。
技术介绍
以往，已知有具备下述专利文献I所述的发光二极管(Light Emitting D1de:LED)的光半导体装置。该光半导体装置具备发光元件即LED和载置LED的成型体。成型体具有与LED的一个电极电连接的第I导线(lead)和经由引线(wire)与LED的另一个电极电连接的第2导线。此外，成型体具有凹部，该凹部具有载置LED的底面和侧面，在该凹部中填充有密封LED的密封部件。由于成型体具有高的反射率，因而使光向凹部的侧面及底面的透射降低，可高效率地放出来自LED的光。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:国际公开第2007/015426号小册子
技术实现思路
专利技术所要解决的课题 在光半导体装置的电极上，例如有时形成镀银层。该镀银层因被大气中所含的气体腐蚀而变色。在使用具有这样的镀银层的光半导体装置作为照明器具时，有照度比LED的动作保证时间更快地下降的问题。特别是，如果形成在电极上的镀银层被硫化氢气体硫化，则电极变成黒色。因此，因电极的反射率下降而使光半导体装置的照度下降。另外，如果发光元件被大功率化，则发光元件产生的热量增大，从而使电极的温度上升。该电极的温度上升有可能促进形成于电极上的镀银层的硫化。 以往，作为构成成型体的树脂使用热塑性树脂。由于该热塑性树脂比镀银层的变色更快地变色，所以作为光半导体装置照度下降的原因，镀银层的变色所占的影响较小。可是，近年来，在成型体中使用热固性树脂以取代热塑性树脂。该热固性树脂的变色出现在比镀银层的变色更慢的时期。因此，作为光半导体装置照度下降的原因，镀银层的变色所占的影响增大。另外，有使硫化氢气体对于这样的光半导体装置的评价标准化的动向。 于是，本专利技术的目的在于:提供可抑制镀银层的硫化的光半导体装置的制造方法及光半导体装置。 用于解决课题的手段 本专利技术的一个实施方式涉及一种光半导体装置的制造方法，其中，所述光半导体装置具有在表面形成有镀银层的基板和键合(bonding)在所述镀银层上的发光二极管，所述制造方法具有以下工序:膜形成工序，其形成被覆镀银层的粘土膜；以及连接工序，其在膜形成工序后，通过引线键合(wire bonding)而将发光二极管和被粘土膜被覆的镀银层进行电连接。 根据本专利技术的一个实施方式所涉及的光半导体装置的制造方法，由于在膜形成工序中用具有气体阻挡性的粘土膜被覆镀银层，因而能够抑制镀银层的硫化。由此，能够抑制由镀银层的变色导致的光半导体装置照度的下降。另外，在连接工序中，通过进行引线键合，将贯通粘土膜的键合引线(bonding wire)电连接在镀银层上，从而能够确保镀银层和发光二极管的导通。并且，根据本专利技术所涉及的光半导体装置的制造方法，由于在膜形成工序后实施连接工序，在形成粘土膜后实施引线键合，因而能够得到不受膜形成工序的影响的键合引线。此外，由于以无键合引线的状态实施膜形成工序，因而能够在镀银层上确实形成粘土膜。 此外，在本专利技术的一个实施方式中，膜形成工序可以设计为:在从基板的表面侧将用溶剂稀释粘土而得到的粘土稀释液涂布在镀银层上后，使粘土稀释液干燥，从而形成粘土膜。由于可通过粘土稀释液调整基板表面侧的涂布量或粘土与溶剂的比例，因而可控制粘土膜的膜厚。由此，能够容易形成具有规定膜厚的粘土膜。另外，由于在连接工序之前实施膜形成工序，因而粘土稀释液不会附着在键合引线上。因此，可以防止从粘土向键合引线施加不需要的应力，从而可抑制键合引线的断裂。 此外，本专利技术的一个实施方式可以设计为:进一步具有在膜形成工序之前，将发光二极管键合在基板的镀银层上的键合工序。根据该工序，由于在实施键合工序时镀银层上没有粘土膜，因而容易将发光二极管键合在镀银层上。 此外，本专利技术的一个实施方式可以设计为:进一步具有在膜形成工序与连接工序之间，将发光二极管键合在基板的镀银层上的键合工序。根据该工序，由于在发光二极管的表面上没有形成粘土膜，因而容易对发光二极管的电极实施引线键合。 此外，本专利技术的一个实施方式可以设计为:粘土膜的膜厚为0.01 μ m?500 μ m。根据该粘土膜的膜厚，能够抑制粘土膜中的裂纹的发生，从而确保气体阻挡性，同时确保粘土膜的透明性。 此外，本专利技术的一个实施方式可以设计为:在连接工序中，将施加给毛细管的负荷规定为60gf?150gf而使键合引线按压在被粘土膜被覆的镀银层上。在该负荷的作用下，能够使键合引线贯通粘土膜，从而将键合引线确实连接在镀银层上。 此外，本专利技术的一个实施方式可以设计为:在连接工序中，使毛细管振动而将键合引线按压在被粘土膜被覆的镀银层上。通过使毛细管振动，能够使键合引线贯通粘土膜，从而将键合弓I线更加可靠地连接在镀银层上。 本专利技术的一个实施方式涉及一种光半导体装置，其具备:表面形成有镀银层的基板、键合在镀银层上的发光二极管、被覆镀银层的粘土膜以及键合引线，该键合引线被引线键合在发光二极管和镀银层上，具有与发光二极管电连接的第I连接部、与镀银层电连接的第2连接部、以及从第I连接部延伸至第2连接部的延伸部，其中，延伸部从粘土膜露出。 本专利技术的一个实施方式所涉及的光半导体装置由于用具有气体阻挡性的粘土膜被覆镀银层，因而能够抑制镀银层的硫化。由此，能够抑制由镀银层的变色导致的光半导体装置照度的下降。另外，键合引线通过引线键合被连接在镀银层上，因而能够确保镀银层和发光二极管的导通。并且，因键合引线的延伸部从粘土膜露出，在延伸部上不附着粘土膜，因而能够防止从粘土膜向键合引线施加不需要的应力。因此，能够防止键合引线的断裂。 此外，本专利技术的一个实施方式可以设计为:第2连接部包含与镀银层相接的连接面和位于连接面的相反侧的露出面，露出面从粘土膜露出。根据该构成，由于第2连接部的连接面与镀银层相接，因而能够在键合引线与镀银层之间确保导通。此外，由于露出面从粘土膜露出，在露出面上不附着粘土膜，因而能够防止从粘土膜向键合引线施加不需要的应力。因此，能够进一步抑制键合引线的断裂。 此外，本专利技术的一个实施方式可以设计为:进一步具有配置在基板上且围住发光二极管的光反射部和填充在由光反射部和基板隔成的空间中而将发光二极管密封的透明密封部，其中，延伸部与透明密封部相接。根据该构成，由于延伸部直接与透明密封部相接，因而在延伸部与透明密封部之间不存在粘土膜。因此，可防止从粘土膜向延伸部施加不需要的应力，从而能够抑制键合引线的断裂。另外，由于延伸部与透明密封部相接，因而能够保护延伸部。 此外，本专利技术的一个实施方式可以设计为:第2连接部包含与镀银层相接的连接面和位于连接面的相反侧的露出面，露出面与透明密封部相接。由于第2连接部直接与透明密封部相接，因而在第2连接部与透明密封部之间不存在粘土膜。因此，可防止从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光半导体装置的制造方法，其中，所述光半导体装置具有在表面形成有镀银层的基板和键合在所述镀银层上的发光二极管，所述制造方法具有以下工序：膜形成工序，其形成被覆所述镀银层的粘土膜；以及连接工序，其在所述膜形成工序后，通过引线键合而将所述发光二极管和被所述粘土膜被覆的所述镀银层进行电连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：东内智子，高根信明，山浦格，稻田麻希，横田弘，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP