光罩式只读存储器制造技术

一种新颖的光罩式只读存储器，包括二种不同状态的存储单元结构。于光罩式只读存储器制作完成并出厂后，光罩式只读存储器内部可以储存二种状态。二种状态可对应至二种不同的存储单元结构，其中一种存储单元结构记录第一状态(例如逻辑“1”)，而另一种存储单元结构记录第二状态(例如逻辑“0”)。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种新颖的光罩式只读存储器，包括二种不同状态的存储单元结构。于光罩式只读存储器制作完成并出厂后，光罩式只读存储器内部可以储存二种状态。二种状态可对应至二种不同的存储单元结构，其中一种存储单元结构记录第一状态(例如逻辑“1”)，而另一种存储单元结构记录第二状态(例如逻辑“0”)。【专利说明】光罩式只读存储器
本专利技术是有关于一种非易失性存储器（Non-volatilememory)，且特别是有关于 一种光罩式只读存储器（MaskROM)。
技术介绍
众所周知，非易失性存储器在断电之后仍旧可以保存其数据内容。一般来说，当非 易失性存储器制造完成并出厂后，使用者即可以编程（program)非易失性存储器，进而将 数据记录在非易失性存储器中。而根据编程的次数，非易失性存储器可进一步区分为多次 编程的存储器（multi-timeprogrammingmemory，简称MTP存储器），或者一次编程的存储 器（onetimeprogrammingmemory,简称OTP存储器）。基本上，使用者可以对MTP存储器 进行多次的储存数据修改。相反地，使用者仅可以编程一次OTP存储器。一旦OTP存储器 编程完成之后，其储存数据将无法修改。 另一种非易失性存储器，称为光罩式只读存储器（MaskROM)。当光罩式只读存储 器出厂后，所有的储存数据已经记录在其中，使用者仅能够读取光罩式只读存储器中的储 存数据，而无法编程数据。也就是说，使用者必须先将储存数据提供给光罩式只读存储器的 制造商，当存储器制造完成后送到使用者的手中时，所有的储存数据已经记录在其中并且 无法再进行任何编程动作。 基本上，光罩式只读存储器具有低成本、高信赖度及大容量的优点。已经被广泛应 用于各类电子产品。 请参照图1，其所绘示为美国专利US8, 344, 445所揭露的一种具有二种功能的 非易失性存储器的存储单兀（Non-volatilesemiconductormemorycellwithdual functions)〇 此存储单元300具有P型讲区（P-wellregion) 310的基板（substrate)，而在P 型讲区310的表面上有作用区（activeregion)315。在基板的上方形成栅极氧化层（gate oxidelayer)321 及其上方的第一多晶娃栅极（firstpolysilicongate)313-l，以及另一 栅极氧化层320及其上方的第二多晶硅栅极313-2、第三多晶硅栅极313-3、与电荷储存层 (chargestoragelayer)314。 作用区 315 还区分为第一N+扩散区（firstN+diffusionregion) 311-1、第二N+ 扩散区311-2、以及第三N+扩散区311-3。其中，第一N+扩散区311-1形成于第一多晶硅 栅极313-1的一侧；第三N+扩散区311-3形成于第一多晶硅栅极313-1与第二多晶硅栅极 313-2之间；第二N+扩散区311-2形成于第二多晶硅栅极313-2的另一侧。再者，二个接 触点（contact) 316-U316-2分别形成于第一N+扩散区311-1与第二N+扩散区311-2上。 基本上，图1的存储单元可作为OTP存储器或者MTP存储器。也就是说，使用者拿 到此存储单元所构成的集成电路（IC)时，可以针对其用途将此集成电路（IC)当作OTP存 储器来编程，或者当作MTP存储器来编程。很明显地，图1所示的存储单元并非光罩式只读 存储器的存储单元。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于将已知非易失性存储器的存储单元进行修改，使其成为光 罩式只读存储器，并具备二种不同状态的存储单元结构。 本专利技术是有关于一种光罩式只读存储器，包括：一基板；一第一栅极结构，形成于 该基板的一表面上，用以在一读取周期接收一字线电压；一第二栅极结构，形成于该基板的 该表面上，用以在该读取周期接收一读取电压；一第三栅极结构，形成于该基板的该表面 上；一第一扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第一栅极结构的一第一侧，用以在 该读取周期产生一第一位线电压；一第二扩散区，形成于该基板的该表面下方且相邻于该 第一栅极结构的一第二侧、该第二栅极结构的一第一侧、该第三栅极结构的一第一侧；一第 四栅极结构，形成于该基板的该表面上，用以在该读取周期接收该字线电压；一第五栅极结 构，形成于该基板的该表面上，用以在该读取周期接收该读取电压；一第六栅极结构，形成 于该基板的该表面上；一第三扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第四栅极结构 的一第一侧，用以在该读取周期产生一第二位线电压；以及一第四扩散区，形成于该基板的 该表面下方且相邻于该第四栅极结构的一第二侧、该第五栅极结构的一第一侧、该第六栅 极结构的一第一侧，用以在该读取周期接收该读取电压；其中，该第一位线电压相异于该第 二位线电压。 本专利技术是有关于一种光罩式只读存储器，包括：一基板；一第一栅极结构，形成于 该基板的一表面上，用以在一读取周期接收一字线电压；一第二栅极结构，形成于该基板的 该表面上；一第三栅极结构，形成于该基板的该表面上；一第一扩散区，形成于该基板的该 表面下且相邻于该第一栅极结构的一第一侧，用以在该读取周期产生一第一位线电压；一 第二扩散区，形成于该基板的该表面下方且相邻于该第一栅极结构的一第二侧、该第二栅 极结构的一第一侧、该第三栅极结构的一第一侧；一第三扩散区，形成于该基板的该表面下 方，用以在该读取周期接收一选择线电压；一第四栅极结构，形成于该基板的该表面上，用 以在该读取周期接收该字线电压；一第五栅极结构，形成于该基板的该表面上；一第六栅 极结构，形成于该基板的该表面上；一第四扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第 四栅极结构的一第一侧，用以在该读取周期产生一第二位线电压；以及一第五扩散区，形 成于该基板的该表面下方且相邻于该第四栅极结构的一第二侧、该第五栅极结构的一第一 侦lK该第六栅极结构的一第一侧；一第六扩散区，形成于该基板的该表面下方且接触于该第 五扩散区，用以在该读取周期接收该选择线电压；其中，该第一位线电压相异于该第二位线 电压。 为了对本专利技术的上述及其它方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所 附图式，作详细说明如下。 【专利附图】【附图说明】 图1所绘示为美国专利US8, 344, 445所揭露的一种具有二种功能的非易失性存储 器的存储单元。 图2A至图2C所绘示为第一实施例光罩式只读存储器的第一状态的存储单元结构 立体图、上视图及其等效电路示意图。 图3A至图3C所绘示为第一实施例光罩式只读存储器的第二状态的存储单元结构 立体图、上视图及其等效电路示意图。 图4所绘示为光罩式只读存储器中同时具有第一状态与第二状态的存储单元的 等效电路不意图。 图5A至图5C所绘示为第二实施例光罩式只读存储器的第一状态的存储单元结构 立体图、上视图及其等效电路示意图。 图6A至图6C所绘视为第二实施例光罩式只读存储器的第二状态的存储单元结构 立体图、上视图及其等效电路示意图。 图7所绘示为光罩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光罩式只读存储器，包括：一基板；一第一栅极结构，形成于该基板的一表面上，用以在一读取周期接收一字线电压；一第二栅极结构，形成于该基板的该表面上，用以在该读取周期接收一读取电压；一第三栅极结构，形成于该基板的该表面上；一第一扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第一栅极结构的一第一侧，用以在该读取周期产生一第一位线电压；一第二扩散区，形成于该基板的该表面下方且相邻于该第一栅极结构的一第二侧、该第二栅极结构的一第一侧、该第三栅极结构的一第一侧；一第四栅极结构，形成于该基板的该表面上，用以在该读取周期接收该字线电压；一第五栅极结构，形成于该基板的该表面上，用以在该读取周期接收该读取电压；一第六栅极结构，形成于该基板的该表面上；一第三扩散区，形成于该基板的该表面下且相邻于该第四栅极结构的一第一侧，用以在该读取周期产生一第二位线电压；以及一第四扩散区，形成于该基板的该表面下方且相邻于该第四栅极结构的一第二侧、该第五栅极结构的一第一侧、该第六栅极结构的一第一侧，用以在该读取周期接收该读取电压；其中，该第一位线电压相异于该第二位线电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴孟益，黄志豪，黄冠铭，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71