评价光热转换材料在热转印膜中分散的方法和热转印膜技术

本发明专利技术公开了用于评价光热转换材料在热转印膜中分散的方法和使用所述方法的热转印膜。所述方法包括：根据等式2和3计算所述热转印膜的光密度OD1和OD2；并根据等式1基于所述光密度OD1和OD2计算分散的评估值(ΔOD)。当所述分散的评估值(ΔOD)为0.1或更小时，确定所述热转印膜具有所述光热转换材料的良好分散，并且当所述分散的评估值(ΔOD)超过0.1时，所述热转印膜具有所述光热转换材料的差分散。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了用于评价光热转换材料在热转印膜中分散的方法和使用所述方法的热转印膜。所述方法包括：根据等式2和3计算所述热转印膜的光密度OD1和OD2；并根据等式1基于所述光密度OD1和OD2计算分散的评估值(ΔOD)。当所述分散的评估值(ΔOD)为0.1或更小时，确定所述热转印膜具有所述光热转换材料的良好分散，并且当所述分散的评估值(ΔOD)超过0.1时，所述热转印膜具有所述光热转换材料的差分散。【专利说明】评价光热转换材料在热转印膜中分散的方法和热转印膜 相关申请的交叉引用 2013年7月24日向韩国知识产权局申请的韩国专利申请10-2013-0087656和 2014年5月2日向韩国知识产权局申请的韩国专利申请10-2014-0053664,标题为"评价光 热转换材料在热转印膜中分散的方法和使用所述方法的热转印膜"，的全部内容通过引用 合并于此。
本专利技术涉及用于评价光热转换材料在热转印膜中分散的方法和使用所述方法的 热转印膜
技术介绍
热转印膜包括基底膜和形成在基底膜的上表面上的光热转换层。热转印膜可进一 步包括在光热转换层的上表面上的中间层。热转印膜可具有沉积在光热转换层的上表面上 或中间层上的有机发光材料。当以吸收波长的光照射所述光热转换层时，光热转换层中的 光热转换材料吸收具有特定波长的入射光，并将至少部分入射光转变成热，由此有机发光 材料可被转印到OLED基板上的像素限定层（PDL)上。 为了在确保没有斑点的均匀的外观的同时提高热转印膜的转印效率，有必要确保 光热转换材料在光热转换层中的良好分散。通常，基于通过使用透射电子显微镜（TEM)拍 摄光热转换层的截面来评价光热转换材料在光热转换层中的分散。然而，基于TEM图像的 分散的评价具有缺点，因为制备样品和TEM测量需要较长时间。此外，由于使用者可主观地 进行基于TEM图像的评价，评价结果具有低可靠性，并且难以提供具体的数值评价结果。韩 国专利10-0654649公开了光热转换材料和热转印膜。然而，上述专利未公开用于评价光热 转换材料的分散的详细方法。
技术实现思路
本专利技术的一个方面涉及评价光热转换材料在热转印膜中分散的方法。所述方法包 括：分别根据下面的等式2和3计算所述热转印膜的光密度ODl和0D2 ;并且根据等式1基 于所述光密度ODl和0D2计算分散的评估值（△ 0D)，其中，当所述分散的评估值（△ 0D)为 〇. 1或更小时，确定所述热转印膜具有所述光热转换材料的良好分散，并且当所述分散的评 估值（AOD)超过0. 1时，确定所述热转印膜具有所述光热转换材料的差分散。 〈等式 1> AOD = |0D2-0D1 等式1中，ODl和0D2与下面的定义相同。 本专利技术的另一个方面涉及热转印膜。所述热转印膜可包括基底层以及形成在所述 基底层上并包括光热转换材料的光热转换层。通过上面说明的评价方法获得所述热转印膜 可具有0. 011至0. 1的A0D。 【专利附图】【附图说明】 图1描述了用于测量热转印膜的透射率的UV分光计的模拟图。 图2描述了根据本专利技术的一个实施方式的热转印膜的截面视图。 图3描述了根据本专利技术的另一个实施方式的热转印膜的截面视图。 图4至图9描述了实施例1至4和对比例1和2中制备的热转印膜的TEM图像。 【具体实施方式】 将参考其中描述本专利技术的示例性实施方式的附图更全面地说明本专利技术。将说明这 些实施方式，以使本领域普通技术人员可容易地实现本专利技术。应理解，本专利技术可以不同的方 式实施，并且不限于下面的实施方式。附图中，为了清楚，将省略与所述说明无关的部分。整 个说明书中，相同的附图标记将表示相同的组件。如文中使用，参照附图定义术语，例如"上 面"和"下面"。因此，应理解术语"上表面"可和术语"下表面"交换地使用。 在根据本专利技术用于评价光热转换材料在热转印膜中的分散的方法中，测量热转印 膜的透射率以评价光热转换材料的分散。如文中使用，表述"光热转换材料的分散"意思是 光热转换材料在光热转换层中的分散程度。术语"热转印膜"可包括，例如包括基底膜和形 成在基底膜的上表面上的含有光热转换材料的光热转换层的膜；或包括基底膜、形成在基 底膜的上表面上的含有光热转换材料的光热转换层和形成在光热转换层的上表面上的中 间层的膜。 在本专利技术的一个实施方式中，评价方法可包括：分别根据下面的等式2和3计算热 转印膜的光密度ODl和0D2 ;并且根据等式1基于所述光密度ODl和0D2计算分散的评估 值（△ 0D)，其中，确定当所述分散的评估值（△ 0D)为0. 1或更小时，确定热转印膜具有光热 转换材料的良好分散，并且当所述分散的评估值（△ 0D)超过0. 1时，热转印膜具有光热转 换材料的差分散。 〈等式 1> AOD = |0D2-0D1 等式1中，ODl和0D2分别由等式2和3表示， 〈等式 2> ODl = - log(T2/Tl) 〈等式 3> 0D2 = - log(T3/Tl) 等式2和等式3中，Tl表示不将热转印膜放在包括反光镜的透射率测量设备中而 测量的透射率（单位：％ )，T2表示在将热转印膜放在包括反光镜的透射率测量设备中后 而测量的热转印膜的透射率（单位：％ )，并且T3表示将热转印膜放在不包括反光镜的透 射率测量设备中后而测量的所述热转印膜的透射率（单位：％)。 如文中使用，表述"良好分散"意思是热转印膜，特别是热转印膜的光热转换层， 不具有斑点，并且具有光热转换材料的均匀分布。在这种情况下，热转印膜可具有80%至 100%的转印效率。 此外，表述"差分散"意思是热转印膜，特别是热转印膜的光热转换层，具有斑点和 光热转换材料的不均匀分布。在这种情况下，热转印膜可具有小于80%的转印效率。 在通过将有机发光材料沉积到热转印膜上而制备的样品上测量转印效率。具体 地，将样品切割成IcmX Icm(长度X宽度）的尺寸，以制备用于测量转印效率的样品。然 后，通过在整个样品上以980nm的波长以5A和3m/秒的速度激光扫描，将样品的有机发光 材料转印到OLED基板上的TOL。使用该方法，可通过计算在激光扫描后转印到在OLED基板 上的F 1DL的有机发光材料的面积（S2)与在激光扫描前沉积到样品上的有机发光材料的面 积（SI)的百分比，而获得转印效率（(S2/S1) X 100)。 在本专利技术的一个实施方式中，如通过上面说明的等式1计算，热转印膜可具有0. 1 或更小的AOD。当热转印膜的AOD在这个范围内时，该转印膜具有光热转换材料在光热 转换层中的良好分散，从而确保不含有斑点的良好的外观。在一个具体的实施方式中，热转 印膜可具有0.0001至〇. l、〇. 001至0.1，例如0.011至0.1的A0D。具体地，当热转印膜 的AOD在0.011至0. 1的范围内时，光热转换层可充分固化，并且可能防止溶剂从邻近的 层迁移到光热转换层。在这种情况下，光热转换层具有良好的转印效率，并且尤其具有优异 的耐化学性。 图1描述了用于测量热转印膜的透射率的UV分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于评价光热转换材料在热转印膜中分散的方法，所述方法包括：分别根据下面的等式2和3计算所述热转印膜的光密度OD1和OD2；并且根据等式1基于所述光密度OD1和OD2计算分散的评估值ΔOD，其中，当所述分散的评估值ΔOD为0.1或更小时，确定所述热转印膜具有所述光热转换材料的良好分散，并且当所述分散的评估值ΔOD超过0.1时，确定所述热转印膜具有所述光热转换材料的差分散，<等式1>ΔOD＝|OD2‑OD1|等式1中，OD1和OD2分别由等式2和3表示，<等式2>OD1＝﹣log(T2/T1)<等式3>OD2＝﹣log(T3/T1)等式2和等式3中，T1表示不将所述热转印膜放在包括反光镜的透射率测量设备中而测量的透射率，单位为％，T2表示在将热转印膜放在包括所述反光镜的所述透射率测量设备中后而测量的所述热转印膜的透射率，单位为％，并且T3表示在将所述热转印膜放在不包括反光镜的所述透射率测量设备中后而测量的所述热转印膜的透射率，单位为％。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴世铉，姜炅求，赵成昕，金旻惠，金成汉，朴时均，李恩受，李正孝，崔晋喜，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR