瞬态电压抑制二极管封装结构制造技术

本发明专利技术涉及半导体结构，具体是一种瞬态电压抑制二极管封装结构；其包括基底、设置于基底上端面的封装体及设置于基底下端面的数个电极，所述基底上端具有凹槽，该凹槽内设置有管芯组件，所述管芯组件包括数个呈层状堆叠的铜电极片及设置于相邻铜电极片之间的管芯，所述封装体与基底形成一腔室，所述管芯组件设置于该腔室内；本发明专利技术中铜电极片具有很好的散热性，所以使得整个产品散热性好、可靠性高、使用寿命长，此外本发明专利技术还具有引线不易断裂，生产效率高等优点。

【技术实现步骤摘要】
瞬态电压抑制二极管封装结构
本专利技术涉及半导体结构，具体是一种瞬态电压抑制二极管封装结构。
技术介绍
现有的瞬态电压抑制二极管封装结构中，主要包括基底、管芯组件、封装体及引线，在功率要求高的瞬态电压抑制二极管封装结构中，由于二极管外形尺寸固定不变，管芯组件需要采用多层管芯烧制而成，所以研发过程中需要考虑管芯的散热问题，现有技术中由于管芯组件散热问题差，所以导致产品的使用寿命差。
技术实现思路
针对上述现有技术中的不足之处，本专利技术旨在提供一种散热性能更好的瞬态电压抑制二极管封装结构。为解决上述技术问题，本专利技术的瞬态电压抑制二极管封装结构，其包括基底、设置于基底上端面的封装体及设置于基底下端面的数个电极，所述基底上端具有凹槽，该凹槽内设置有管芯组件，所述管芯组件包括数个呈层状堆叠的铜电极片及设置于相邻铜电极片之间的管芯，所述封装体与基底形成一腔室，所述管芯组件设置于该腔室内。具体的，所述基底上端面还设置有键合块，所述管芯组件与键合块通过引线连接。所述管芯组件上端面与键合块上端面处于同一平面。所述铜电极片的数量为三个。所述数个电极包括设置于基底下端面的第一电极及第二电极，第一电极通过第一导线与管芯组件连接，第二电极通过第二导线与键合块连接。所述键合块采用铁镍钴合金或无氧铜制作而成。所述封装体采用铁镍钴合金制作而成。所述基底为氧化铝陶瓷，氧化铝含量为92%以上。所述引线采用含铝量为99.99%以上的铝丝或含铝量为99%的硅铝丝。本专利技术的瞬态电压抑制二极管封装结构，由于管芯组件包括数个呈层状堆叠的铜电极片及设置于相邻铜电极片之间管芯，而铜电极片具有很好的散热性，所以使得整个产品散热性好、可靠性高、使用寿命长，此外本专利技术还具有引线不易断裂，生产效率高等优点。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术瞬态电压抑制二极管封装结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本专利技术的瞬态电压抑制二极管封装结构，其可以包括基底1、设置于基底1上端面的封装体2及设置于基底1下端面的数个电极，所述基底1上端具有凹槽11，该凹槽11内设置有管芯组件3，所述管芯组件3包括数个呈层状堆叠的铜电极片31及设置于相邻铜电极片之间的管芯32，所述封装体2与基底1形成一腔室，所述管芯组件3设置于该腔室内。所述封装体2采用铁镍钴合金制作而成，所述基底1为氧化铝陶瓷，氧化铝含量为92%以上，所述引线5采用含铝量为99.99%以上的铝丝或含铝量为99%的硅铝丝。由于管芯组件3包括数个呈层状堆叠的铜电极片31及设置于相邻铜电极片之间管芯32，而铜电极片31具有很好的散热性，所以使得整个产品散热性好、可靠性高、使用寿命长。具体的，所述基底1上端面还可以设置有键合块4，所述管芯组件3与键合块4通过引线5连接。所述键合块4采用铁镍钴合金或无氧铜制作而成。所述管芯组件3上端面可以与键合块4上端面处于同一平面。这样使得连接管芯组件3与键合块4的引线5更短，更不易晃动，产品质量更好，也可以根据具体实际情况，适当调整键合块4的高度，使键合块4略高于或者略低于管芯组件3上端面所在平面。所述铜电极片31的数量可以为三个。在管芯32在工作时会产生大量的热量，所以铜电极片31可以更好地散热，使得产品不易损坏，也可以根据具体情况，增加铜电极片31的数量。所述数个电极可以包括设置于基底1下端面的第一电极6及第二电极7，第一电极6通过第一导线8与管芯组件3连接，第二电极7通过第二导线9与键合块4连接。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瞬态电压抑制二极管封装结构，包括基底（1）、设置于基底（1）上端面的封装体（2）及设置于基底（1）下端面的数个电极，其特征在于：所述基底（1）上端具有凹槽（11），该凹槽（11）内设置有管芯组件（3），所述管芯组件（3）包括数个呈层状堆叠的铜电极片（31）及设置于相邻铜电极片之间的管芯（32），所述封装体（2）与基底（1）形成一腔室，所述管芯组件（3）设置于该腔室内。

【技术特征摘要】
1.一种瞬态电压抑制二极管封装结构，包括基底(1)、设置于基底(1)上端面的封装体(2)及设置于基底(1)下端面的数个电极，其特征在于：所述基底(1)上端具有凹槽(11)，该凹槽(11)内设置有管芯组件(3)，所述管芯组件(3)包括数个呈层状堆叠的铜电极片(31)及设置于相邻铜电极片之间的管芯(32)，所述封装体(2)与基底(1)形成一腔室，所述管芯组件(3)设置于该腔室内。2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制二极管封装结构，其特征在于：所述基底(1)上端面还设置有键合块(4)，所述管芯组件(3)与键合块(4)通过引线(5)连接。3.根据权利要求2所述的瞬态电压抑制二极管封装结构，其特征在于：所述管芯组件(3)上端面与键合块(4)上端面处于同一平面。4.根据权利要求2所述的瞬态电压抑制二极管封装结构，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：许小兵，程勇，吴贵松，李大强，许晓鹏，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州;52