薄膜晶体管衬底及其制造方法以及显示装置制造方法及图纸

提供了薄膜晶体管衬底、用于制造薄膜晶体管衬底的方法和包括薄膜晶体管的显示装置。在本发明专利技术的一个方面中，提供了一种薄膜晶体管衬底，其包括衬底、形成于所述衬底上的半导体层、形成于所述半导体层上的栅绝缘膜、形成于所述栅绝缘膜上的栅电极、形成于所述栅电极上且包括用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔的层间绝缘膜、以及分别插入所述源接触孔和所述漏接触孔的源电极和漏电极。所述层间绝缘膜包括形成于所述源接触孔的入口处和所述漏接触孔的入口处的第一凸部。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】提供了薄膜晶体管衬底、用于制造薄膜晶体管衬底的方法和包括薄膜晶体管的显示装置。在本专利技术的一个方面中，提供了一种薄膜晶体管衬底，其包括衬底、形成于所述衬底上的半导体层、形成于所述半导体层上的栅绝缘膜、形成于所述栅绝缘膜上的栅电极、形成于所述栅电极上且包括用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔的层间绝缘膜、以及分别插入所述源接触孔和所述漏接触孔的源电极和漏电极。所述层间绝缘膜包括形成于所述源接触孔的入口处和所述漏接触孔的入口处的第一凸部。【专利说明】 薄膜晶体管衬底及其制造方法以及显示装置
本专利技术涉及薄膜晶体管衬底、用于制造薄膜晶体管衬底的方法和包括薄膜晶体管衬底的显示装置，更具体地涉及包括在源接触孔的入口处和在漏接触孔的入口处形成的凸部的薄膜晶体管衬底、用于制造该薄膜晶体管衬底的方法和包括该薄膜晶体管衬底的显示 >J-U ρ?α装直。
技术介绍
薄膜晶体管衬底用作有源矩阵液晶显示器或有源矩阵有机发光显示器的衬底，它们有源地为矩阵布置中的对应像素显示图像。 薄膜晶体管衬底包括沿纵向和横向布置的多个栅极线和数据线以限定像素区域、作为形成于栅极线和数据线彼此交叉区域中的开关元件的薄膜晶体管、以及形成于像素区域上的像素电极。 薄膜晶体管衬底包括各种结构，并且薄膜晶体管的性能根据结构的尺寸和位置被确定。例如，薄膜晶体管衬底包括各种接触孔，并且接触的尺寸和位置可能是确定薄膜晶体管衬底性能的重要因素。 此外，在形成包括在薄膜晶体管衬底中的各种结构的情况下，通常使用光刻方法层压构成材料并且通过掩模工序执行图案化。然而，光刻方法包括各种工序，例如薄膜沉积、光刻胶应用、掩模对齐、曝光、显影、蚀刻和剥离，这导致加工时间和产品成本增加。
技术实现思路
由本专利技术解决的一个目标是提供一种薄膜晶体管衬底，其通过在预定区域形成彼此重叠的精细接触孔可改善装置集成度和孔径比。 由本专利技术解决的另一目标是提供一种用于制造薄膜晶体管衬底的方法，其通过使用电流体动力(EHD)喷墨工序形成接触孔和电极可提高精度、可靠性和效率。 由本专利技术解决的又一目标是提供一种显示装置，其通过在预定区域形成彼此重叠的精细接触孔可改善装置集成度和孔径比。 本专利技术的另外的优点、目标和特征部分地在下面的描述中阐述并且基于下面的审查对本领域普通技术人员而言变得显而易见或者可从本专利技术的实现学习到。 在本专利技术的一个方面中，提供了一种薄膜晶体管衬底，其包括衬底、形成于所述衬底上的半导体层、形成于所述半导体层上的栅绝缘膜、形成于所述栅绝缘膜上的栅电极、形成于所述栅电极上且包括用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔的层间绝缘膜、以及分别插入所述源接触孔和所述漏接触孔的源电极和漏电极，所述层间绝缘膜包括形成于所述源接触孔入口处和所述漏接触孔入口处的第一凸部。 在本专利技术的另一方面中，提供了一种用于制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括:在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上形成初步栅绝缘膜；在所述初步栅绝缘膜上形成栅电极；在所述栅电极上形成初步层间绝缘膜；通过形成用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔和通过将第一刻蚀溶液排放到所述初步层间绝缘膜在所述源接触孔入口处和所述漏接触孔入口处形成第一凸部，分别将所述初步栅绝缘膜和所述初步层间绝缘膜转变成栅绝缘膜和层间绝缘膜；分别在所述源接触孔和所述漏接触孔中形成源电极和漏电极，其中所述第一刻蚀溶液在电流体动力喷墨工序中被排放。 在本专利技术的又一方面中，提供了一种显示设备，其包括薄膜晶体管衬底，该薄膜晶体管衬底包括衬底、位于所述衬底上的半导体层、位于所述半导体层上的栅绝缘膜、位于所述栅绝缘膜上的栅电极、位于所述栅电极上且具有用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔的层间绝缘膜、以及分别插入所述源接触孔和所述漏接触孔的源电极和漏电极，形成于所述源电极和所述漏电极且具有用于使所述漏电极的一部分暴露的像素接触孔的平坦化层；以及插入所述像素接触孔中的像素电极，面向所述像素电极的公共电极，以及形成于所述像素电极与所述公共电极之间的有机发光层或液晶层。所述层间绝缘膜和所述平坦化层包括形成于所述源接触孔入口处、所述漏接触孔入口处和所述像素接触孔入口处的凸部。 根据本专利技术的实施方式，至少可实现下面的效果。 也就是说，由于薄膜晶体管包括精细接触孔，可改善薄膜晶体管的装置集成度。 此外，通过制成彼此重叠的半导体层、漏接触孔和像素接触孔，可减少薄膜晶体管在衬底上所在的区域，因此可增加像素所在的区域。 此外，可防止半导体层与漏电极之间的接触不良和像素电极与漏电极之间的接触不良。 此外，由于像素电极被分成像素接触孔内的第一像素电极和像素接触孔外的第二像素电极，合适的材料和工序被应用于对应的位置，可寻求工序优化。 此外，通过使用电流体动力(EHD)喷墨工序，可容易地形成各种类型的精细接触孔。 此外，可显著减少现有半导体工序的若干复杂工序，可防止排放在刻蚀工序中出现的环境污染物，可防止因被迫施加的电压引起的功率损耗。 此外，由于刻蚀溶液的排放和电极溶液的排放相继地使用单一排放设备执行，因此可寻求工序优化。 根据本专利技术的效果不限于如上实例化的内容，而是在本专利技术的说明书中描述更多的各种效果。 【专利附图】【附图说明】 在考虑到结合附图时参考下面的详细描述，本专利技术的更完整理解及许多伴随的优点在被更好地理解时将变得显而易见，在附图中相似的参考标号指示相同或相似的部件，其中: 图1是示出了根据本专利技术的原理被构造成一个示例性实施方式的薄膜晶体管衬底的剖视图； 图2是图1的薄膜晶体管衬底的漏接触孔和像素接触孔的放大剖视图； 图3是示出了在制造图1的薄膜晶体管的方法中制备衬底、缓冲层、半导体层、初步栅绝缘膜、栅电极和初步层间绝缘膜的层压主体的剖视图； 图4是示出了在制造图1的薄膜晶体管衬底的方法中形成源接触孔和漏接触孔的首丨J视图; 图5至图7是示出了形成图4的源接触孔和漏接触孔的剖视图； 图8是示出了在制造图1的薄膜晶体管衬底的方法中形成源电极和漏电极的剖视图； 图9是示出了在制造图1的薄膜晶体管衬底的方法中形成初步保护膜和初步平坦化层的剖视图； 图10是示出了在制造图1的薄膜晶体管衬底的方法中形成像素接触孔的剖视图； 图11是示出了在制造图1的薄膜晶体管衬底的方法中形成第一像素电极的剖视图； 图12是示出了在制造图1的薄膜晶体管衬底的方法中形成第二像素电极的剖视图； 图13是示出了根据本专利技术的另一实施方式的薄膜晶体管衬底的剖视图； 图14是示出了根据本专利技术的一个实施方式的显示装置的剖视图；以及 图15是示出了根据本专利技术的又一实施方式的显示装置的剖视图。 【具体实施方式】 可参考下面对优选实施方式的详细描述和附图更容易地理解本专利技术的优点和特征及其实现方法。然而，本专利技术可以许多不同的形式实现并且不应该被解释成受限于本文所述的实施方式。而这些实施方式被提供为使得本公开透彻且完整并且将本专利技术的概念完全传递给本领域技术人员，本专利技术仅由所附权利要求限定。因此，在一些实施方式中，为了不用非必要的细节模糊本专利技术的描述，不显示已知的结构和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管衬底，包括：衬底；半导体层，形成于所述衬底上；栅绝缘膜，形成于所述半导体层上；栅电极，形成于所述栅绝缘膜上；层间绝缘膜，形成于所述栅电极上且包括用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔；以及源电极和漏电极，分别插入所述源接触孔和所述漏接触孔，所述层间绝缘膜包括形成于所述源接触孔入口处和所述漏接触孔入口处的第一凸部。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔丹碧，李政宪，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR