本发明专利技术公开了一种显示设备,所述显示设备包括:基础基底;像素电极的阵列,形成在基础基底上方;有效空腔的阵列,设置在像素电极的阵列上方;至少一个共电极,与像素电极的阵列相对,使得有效空腔的阵列设置在所述至少一个共电极与像素电极的阵列之间。所述显示设备还包括与显示区域中的所述至少一个共电极电连接的金属线。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种显示设备,所述显示设备包括:基础基底;像素电极的阵列,形成在基础基底上方;有效空腔的阵列,设置在像素电极的阵列上方;至少一个共电极,与像素电极的阵列相对,使得有效空腔的阵列设置在所述至少一个共电极与像素电极的阵列之间。所述显示设备还包括与显示区域中的所述至少一个共电极电连接的金属线。【专利说明】显不设备本申请要求于2013年7月30日提交的第10-2013-0090283号韩国专利申请以及于2014年I月9日提交的第10-2014-0002953号韩国专利申请的优先权,这些申请的内容通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种显示设备。更具体地说,本公开涉及一种具有改善了的显示质量的显示设备。
技术介绍
近年来,诸如液晶显示器、电泳显示器等的各种平板显示设备被广泛地用于替代阴极射线管。 通常,平板显示设备包括两个基底和设置在两个基底之间的图像显示层(例如,液晶层、电泳层等)。两个基底彼此结合,以彼此面对并且彼此分开,从而图像显示层设置在两个基底之间。 为了制造平板显示设备,需要在两个基底中的一个基底上形成分隔件以在两个基底之间保持距离的工艺,以及利用粘合剂使分隔件附着到两个基底中的另一个基底的工艺。 因此,平板显示设备的制造工艺变得复杂,并且平板显示设备的制造成本增加。
技术实现思路
本公开提供一种能够防止显示质量劣化的显示设备。 本专利技术的一方面提供一种显示设备,所述显示设备包括:基础基底;像素电极的阵列,形成在基础基底的上方;有效空腔的阵列,设置在像素电极的阵列上方;至少一个共电极,与像素电极的阵列相对,使得有效空腔的阵列设置在所述至少一个共电极与像素电极的阵列之间;以及金属线,与显示区域中的所述至少一个共电极电连接。 根据以上内容,共电极与金属线电连接,因此可以防止共电极的电势在显示区域的中心部分中降低,从而防止串扰缺陷并改善显示质量。 另外,由于共电极沿第一方向和第二方向排列并且彼此分隔开,以具有点状形状,所以可以减小共电极与数据线之间的耦合电容以及共电极和像素电极之间的耦合电容。 【专利附图】【附图说明】 通过参照在结合附图考虑的情况下进行的下面的详细描述,本公开的上述和其他优点将变得容易理解,在附图中: 图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的平面图; 图2是示出图1中示出的像素的平面图; 图3A是沿图2的线Ι-Γ截取的剖视图; 图3B是沿图2的线I1-1Γ截取的剖视图; 图3C是沿图2的线ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的剖视图; 图4是示出根据本公开的另一示例性实施例的显示设备的平面图; 图5是示出根据本公开的另一示例性实施例的像素的平面图; 图6是示出图5中示出的部分Al的放大图; 图7A是沿图5中示出的线IV-1t截取的剖视图; 图7B是沿图5中示出的线N-N'截取的剖视图; 图8是示出根据本公开的另一示例性实施例的像素的平面图; 图9是沿图8中示出的线V1-Vr截取的剖视图; 图10是示出根据本公开的另一示例性实施例的显示设备的平面图; 图11是示出根据本公开的另一示例性实施例的显示设备的平面图; 图12是示出图11中示出的像素的平面图; 图13是沿图12中示出的线VI1-Vir截取的剖视图; 图14是示出根据本公开的另一示例性实施例的显示设备的平面图; 图15是沿图14中示出的线VII1-VIir截取的剖视图; 图16是示出根据本公开的另一示例性实施例的共电极的平面图; 图17是示出根据本公开的示例性实施例的两个像素的平面图; 图18是沿图17中示出的线IX-1X^截取的剖视图; 图19是示出根据本公开的另一示例性实施例的两个像素的平面图; 图20是沿图19中示出的线\_V截取的剖视图。 【具体实施方式】 将理解的是,当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在另一元件或层上或者直接连接到或直接结合到另一元件或层,或者可以存在中间元件或中间层。相反,当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时,不存在中间元件或中间层。相同的标号始终表示相同的元件。如在这里使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和全部组合。 将理解的是,尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此,在不脱离本专利技术的教导的情况下,下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。 为了方便描述,在这里可使用空间相对术语,如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…上方”和“上面的”等,来描述如在图中示出的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解的是,空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如,如果在附图中的装置被翻转,则描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其他元件或特征“上方”。因而,示例性术语“在…下方”可包括“在…上方”和“在…下方”两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其他方位),并对在这里使用的空间相对描述符做出相应的解释。 这里使用的术语仅为了描述特定实施例的目的,而不意图限制本专利技术。如这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式。还应理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。 除非另有定义,否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是,除非这里明确这样定义,否则术语(例如在通用的字典中定义的那些术语)应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思一致的意思,而不以理想地或者过于正式的含义来解释它们的意思。 在下文中,将参照附图详细地解释本专利技术的实施例。 图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的平面图。 参照图1,显示设备100包括基础基底110和布置在基础基底110上的多个像素PXo 基础基底110可以是透明的或非透明的绝缘基底,例如,硅基底、玻璃基底、塑料基底等。基础基底110包括显不区域DA和周围区域PA。显不区域DA包括像素PX,以显不图像。每个像素PX包括薄膜晶体管(未示出)和像素电极ELI。 周围区域PA被设置为邻近至少一侧或两侧,或者被设置为围绕显示区域DA。 像素PX以由行和列的矩阵形式被布置在基础基底110的显示区域DA上。将栅极信号施加到像素PX的多条栅极线(未示出)和将数据信号施加到像素PX的多条数据线(未示出)设置在基础基底110上。栅极线在显示区域DA中沿第一方向Dl延伸,并且被布置为在第二方向D2上彼此分隔开。数据线在显示区域DA中沿第二方向D2延伸,并且被布置为本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示设备,所述显示设备包括:基础基底,包括显示区域和围绕显示区域的周围区域;像素电极的阵列,形成在所述基础基底的所述显示区域上方;有效空腔的阵列,设置在所述像素电极的阵列上方;多个共电极,与所述像素电极的阵列相对,使得所述有效空腔的阵列设置在所述多个共电极中的至少一个共电极与所述像素电极的阵列之间;以及金属线,与所述显示区域中的所述至少一个共电极电连接。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:李仙花,朴载华,郑光哲,洪基表,金容奭,元盛焕,郑美惠,
申请(专利权)人:三星显示有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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