双极阵列天线制造技术

一种双极阵列天线包括沿着第一方向延伸的第一馈线路径、沿着第一方向延伸的第二馈线路径及两个共用辐射体。第一馈线路径包括第一馈入点及相互对称的两个支路，两个支路的连接位置形成所述第一馈入点。第二馈线路径包括第二馈入点、第一支路及第二支路，第一支路与第二支路的连接位置形成所述第二馈入点。第一支路具有倒U形结构，使第一支路形成开口。开口沿着第二方向往第一馈线路径延伸。第一馈线路径的两个支路分别连接至两个共用辐射体，第二馈线路径的第一支路及第二支路分别连接至两个共用辐射体。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种双极阵列天线包括沿着第一方向延伸的第一馈线路径、沿着第一方向延伸的第二馈线路径及两个共用辐射体。第一馈线路径包括第一馈入点及相互对称的两个支路，两个支路的连接位置形成所述第一馈入点。第二馈线路径包括第二馈入点、第一支路及第二支路，第一支路与第二支路的连接位置形成所述第二馈入点。第一支路具有倒U形结构，使第一支路形成开口。开口沿着第二方向往第一馈线路径延伸。第一馈线路径的两个支路分别连接至两个共用辐射体，第二馈线路径的第一支路及第二支路分别连接至两个共用辐射体。【专利说明】双极阵列天线
本申请有关于一种天线，尤指一种操作频带可涵盖2G全频段的双极阵列天线。
技术介绍
在现有的技术中，常以固定尺寸的金属元件作为天线主体，而所述金属元件的长度须等于所需频带对应的二分之一波长(λ /2)或四分之一波长(λ /4)。然而，由于产生低频频带的金属元件需要较长的共振路径，其往往难以设计于电子装置的有限内部空间中。 由于目前的无线网路产品多以轻薄短小方便为诉求，因此如何设计出符合使用需求的天线已成为目前无线网路装置是否得以有效缩小体积的关键技术之一。此外，如何在有限的空间配置下，维持应有的天线性能表现，一直是相关产业首要解决的课题。
技术实现思路
本申请提供一种双极阵列天线，其利用共用辐射体及非对称的馈线路径的设计，可减少天线所需的配置空间，并具有高增益辐射场型的特性。 本申请提供一种双极阵列天线，设置于一介质基底的一表面上。所述双极阵列天线包括一第一馈线路径、一第二馈线路径以及两个共用辐射体。第一馈线路径沿着一第一方向延伸，并且第一馈线路径包括一第一馈入点及相互对称的两个支路。第一馈线路径的两个所述支路的连接位置形成所述第一馈入点。第二馈线路径沿着所述第一方向延伸，并且第二馈线路径包括一第二馈入点、一第一支路及一第二支路。第一支路与第二支路的连接位置形成所述第二馈入点。第一支路具有一倒U形结构，使第一支路形成一开口。所述开口沿着一第二方向往第一馈线路径延伸，其中所述第一方向与所述第二方向大致垂直。第一馈线路径的两个支路分别连接至两个共用辐射体，第二馈线路径的第一支路及第二支路分别连接至两个共用辐射体。 根据本申请的一实施方式,所述的双极阵列天线还进一步包括一接地元件，所述接地元件包括一主接地面，所述主接地面与所述介质基底的所述表面大致平行。 根据本申请的另一实施方式，其中两个所述共用辐射体沿着所述第一方向排列于所述第一馈线路径的一侧。 根据本申请的另一实施方式，其中所述第二馈线路径位于两个所述共用辐射体之间。 根据本申请的另一实施方式，其中所述第一支路的路径长度大于所述第二支路的路径长度，且所述第一支路的路径长度与所述第二支路的路径长度之的差大于或等于所述双极阵列天线的一操作频带的平均频率的波长的0.5倍。 根据本申请的另一实施方式，其中所述第一馈线路径的每一个所述支路的路径长度大于所述第二馈线路径的所述第一支路的路径长度。 根据本申请的另一实施方式，其中所述第一馈线路径的每一个所述支路分别具有一第一区段及一第二区段，所述第二区段连接于对应的所述共用辐射体与所述第一区段之间，且所述第一区段的线宽小于所述第二区段的线宽。 根据本申请的另一实施方式，其中所述第一区段的路径长度小于或等于所述第二区段的路径长度。 根据本申请的另一实施方式，其中所述第二区段的形状为L形，所述第二区段包括一主体结构及一接脚结构，所述接脚结构沿着所述第二方向往对应的所述共用辐射体延伸，所述第二区段经由所述接脚结构连接于对应的所述共用辐射体，且所述接脚结构的线宽大于所述主体结构的线宽。 根据本申请的另一实施方式，其中两个所述共用辐射体的形状都为多边形。 为让本申请的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。 【专利附图】【附图说明】 图1A为本申请双极阵列天线的立体示意图。 图1B为本申请双极阵列天线的侧视示意图。 图2A为本申请双极阵列天线的第一馈线路径在不同频率下所得到的反射损耗(Return Loss)的曲线图。 图2B为本申请双极阵列天线的第二馈线路径在不同频率下所得到的反射损耗的曲线图。 图3A为本申请双极阵列天线的第一馈线路径在不同频率下所得到的辐射效率(radiat1n efficiency)的曲线图。 图3B为本申请双极阵列天线的第二馈线路径在不同频率下所得到的辐射效率的曲线图。 图4A为本申请双极阵列天线的第一馈线路径在不同频率下所得到的天线增益(antenna gain)的曲线图。 图4B为本申请双极阵列天线的第二馈线路径在不同频率下所得到的天线增益的曲线图。 图5A为本申请双极阵列天线的第一馈线路径操作于不同频率时在x-z平面的辐射场型示意图。 图5B为本申请双极阵列天线的第一馈线路径操作于不同频率时在y-ζ平面的辐射场型示意图。 图5C为本申请双极阵列天线的第一馈线路径操作于不同频率时在χ-y平面的辐射场型示意图。 图6A为本申请双极阵列天线的第二馈线路径操作于不同频率时在x-z平面的辐射场型示意图。 图6B为本申请双极阵列天线的第二馈线路径操作于不同频率时在y_z平面的辐射场型示意图。 图6C为本申请双极阵列天线的第二馈线路径操作于不同频率时在x_y平面的辐射场型示意图。 图7为本申请双极阵列天线的第一馈线路径与第二馈线路径两者之间在不同频率下所得到的隔离度(isolat1n)的曲线图。 【符号说明】 双极阵列天线 Ml 第一馈线路径 I 第一馈入点11 支路12、13 第一区段121、131 第二区段122、132 主体结构122a、132a 接脚结构l22b、l32b 第二馈线路径2 第二馈入点21 第一支路22 倒U形结构221 主体结构222 第二支路23 共用辐射体31、32 接地元件4 主接地面41 介质基底5 表面51 开口01 线宽R1、R2、R3 宽度Wl 距离Dl 高度Hl 轴X、Y、Z 标记点Pl?P9 【具体实施方式】 请参阅图1A及图1B所示，图1A为本申请双极阵列天线的立体示意图，图1B为本申请双极阵列天线的侧视示意图。本实施例提供一种双极阵列天线M1，其可设置于一介质基底5的表面51上。双极阵列天线Ml包括第一馈线路径1、第二馈线路径2及两个共用辐射体31、32，其中第一馈线路径I与第二馈线路径2皆沿着第一方向延伸。第一馈线路径I包括第一馈入点11及相互对称的两个支路12、13，两个支路12、13的连接位置形成所述第一馈入点11。第二馈线路径2包括第二馈入点21、第一支路22及第二支路23，第一支路22与第二支路23的连接位置形成所述第二馈入点21。第一支路22具有倒U形结构221，使第一支路22形成开口 01，开口 01沿着第二方向往第一馈线路径I延伸，其中第一方向与第二方向大致垂直。第一馈线路径I的两个支路12、13分别连接至两个共用辐射体31、32，第二馈线路径2的第一支路22及第二支路23分别连接至两个共用辐射体31、32。 例如:以本申请附图中所举的实施例而言，介质基底5为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双极阵列天线，设置于一介质基底的一表面上，其特征在于，所述双极阵列天线包括：一第一馈线路径，沿着一第一方向延伸，其中所述第一馈线路径包括一第一馈入点及相互对称的两个支路，所述第一馈线路径的两个所述支路的连接位置形成所述第一馈入点；一第二馈线路径，沿着所述第一方向延伸，其中所述第二馈线路径包括一第二馈入点、一第一支路及一第二支路，所述第一支路与所述第二支路的连接位置形成所述第二馈入点，所述第一支路具有一倒U形结构，使所述第一支路形成一开口，所述开口沿着一第二方向往所述第一馈线路径延伸，所述第一方向与所述第二方向大致垂直；以及两个共用辐射体，所述第一馈线路径的两个所述支路分别连接至两个所述共用辐射体，所述第二馈线路径的所述第一支路及所述第二支路分别连接至两个所述共用辐射体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李明达，刘文斯，李世璋，陈铭耀，
申请(专利权)人：美磊科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71