薄型GaInP/GaAs/Ge太阳电池的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种薄型GaInP/GaAs/Ge太阳电池的制备方法，包括在GaInP/GaAs/Ge外延片的受光面蒸镀上电极、背光面蒸镀下电极，上电极上蒸镀减反射膜，其特点是：对外延片的衬底进行腐蚀，使厚度0.18mm±0.02mm的外延片减薄至0.14mm以下；由于减小了电池的厚度，提高了电池的柔韧性，延长了电池的使用寿命，通过厚度的减薄，降低了电池的重量，提高太阳电池的功率/重量；采用Au-Ge-Ag-Au上电极和Au-Ge-Ag下电极，提高了电极焊性的牢固度；上电极采用了梳状密栅形栅线结构，有效减小了遮光功率损失与串联电阻功率损失之和；TiO2、Al2O3作为减反射膜，最低了电池表面反射率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
薄型GaInP/GaAs/Ge太阳电池的制备方法，包括在GaInP/GaAs/Ge外延片的受光面蒸镀上电极、在背光面蒸镀下电极，上电极上蒸镀减反射膜，其特征在于：对GaInP/GaAs/Ge外延片进行衬底的腐蚀，使厚度0.18mm±0.02mm的外延片减薄至0.14mm以下；所述衬底的腐蚀过程包括：用涂胶机在外延片的受光面旋涂胶，放入80～100℃的烘箱中烘烤20～60s，将外延片放入比例为双氧水：氢氟酸=200ml：100ml的溶液中，当外延片厚度减至0.14mm以下，取出外延片，用去离子水清洗，完成对外延片上衬底的减薄。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宇，肖志斌，许军，韩志刚，
申请(专利权)人：天津恒电空间电源有限公司，中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12