半导体封装件及其制造方法技术

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括第一基板、第一突出部、导电柱、第二基板、第二突出部、焊料、芯片及黏合层。第一电性接点及第一突出部形成于第一基板上。部分导电柱被第一突出部包覆。第二突出部形成于第二基板上且具有容置凹部。焊料容置于容置凹部内。芯片设于第一基板与第二基板之间。黏合层包覆芯片且黏合第一基板与第二基板并围绕导电柱。其中，导电柱的端部位于容置凹部内而与焊料对接。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法
本专利技术是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有导电柱的半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
传统堆迭式半导体封装件包括多个基板，数个基板之间以电性接点对接。然而，在对接过程中，二基板很容易左右滑动而错位，反而导致二基板的电性接点彼此对不准。此外，在对接后的回焊工艺中，电性接点会因为熔化而呈流动性，进而流至邻近的电性接点而导致因为桥接(bridge)所发生的电性短路(short)，或是在上、下基板对接时因为基板本身的翘曲，造成基板之间的局部间距较小，产生电性接点的焊料受到挤压而往外扩而导致桥接问题。因此，如何解决对接过程的偏位问题及改善桥接问题，是本
业界努力重点之一。
技术实现思路
本专利技术有关于一种半导体封装件及其制造方法，可改善因为桥接所发生的电性短路问题。根据本专利技术，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一第一基板、一第一电性接点、一第一突出部、一导电柱、一第二基板、一第二突出部、一焊料、一第二电性接点、一芯片及一黏合层。第一基板具有一表面。第一电性接点形成于第一基板的表面。第一突出部位于第一基板的表面上。导电柱电性连结第一电性端点，其中导电柱包含一端部及一侧面，导电柱的侧面的一部分被第一突出部包覆，而侧面的另一部分突出于第一突出部。第二基板具有相对的一第一表面与一第二表面，其中第二基板的第一表面与第一基板的表面彼此相对。第二突出部形成于第二基板的第一表面上且具有一容置凹部。焊料容置于容置凹部内。第二电性接点形成于第二基板的第二表面，且电性连接于焊料。芯片设于第一基板与第二基板之间。黏合层包覆芯片且黏合第一基板的表面与第二基板的第一表面并围绕导电柱的侧面的另一部分。其中，导电柱的端部位于容置凹部内而与焊料对接。根据本专利技术，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一第一基板，第一基板具有一表面且表面上形成有一第一电性接点及一第一突出部，其中该第一突出部包覆部分一导电柱，导电柱电性连接第一电性接点；提供一第二基板，第二基板具有相对的一第一表面与一第二表面，第二基板的第一表面与第一基板的表面彼此相对，第一表面上形成有一焊料及一第二突出部，其中第二突出部具有一容置凹部，焊料容置于容置凹部内；设置一芯片于第一基板或第二基板上；形成一黏合体于第一基板或第二基板上；对接第一基板与第二基板，使导电柱经由容置凹部与焊料对接，并使黏合体于压力下黏合第一基板及第二基板并围绕部分焊料、导电柱的侧面的另一部分及芯片；以及，固化黏合体形成一黏合层。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：附图说明图1绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。图2绘示依照本专利技术实施例的半导体封装件的翘曲测试图。图3，其绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图4绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图5绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图6绘示依照本专利技术另一实施例的半导体封装件的剖视图。图7A至7G绘示图1的半导体封装件的制造过程图。图8A至8B绘示图5的半导体封装件的制造过程图。主要元件符号说明：100、200、300、400、500：半导体封装件110：第一基板110b、150b：下表面110s、120s、140s、150s、180s：外侧面110u、120u、420u：上表面111：第一电性接点112：线路层113：第一防焊层115：芯片116：凸块120、420：第一突出部120r：第一凹部130：导电柱130e：端面130s1：第一侧面130s11、161：第一部分130s12、162：第二部分130s2：第二侧面131：端部140：第二基板140b：第一表面140u：第二表面141：第三防焊层150：第二突出部150r1：容置凹部150r2：第二凹部150a：开口150u：槽底面160：焊料161e、162e：相交轮廓线170：第二电性接点171：第三电性接点180：黏合层180’：黏合体190：凸块420h：孔洞C1、C2：曲线H1、H2：间距h1、h2：距离S1、S2：间隔V1：方向具体实施方式请参照图1，其绘示依照本专利技术一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100包括第一基板110、芯片115、第一突出部120、至少一导电柱130、第二基板140、第二突出部150、至少一焊料160、至少一第二电性接点170、黏合层180及至少一凸块190。第一基板110例如是单层基板或多层基板。本例中，基板110本身为非主动元件，即，第一基板110不包含任何主动元件(如主动芯片或主动线路)，例如一印刷电路板(PrintedCircuitBoard)。另一例中，第一基板110可包含主动线路或主动芯片而成为主动元件。第一基板110具有上表面110u且包括第一电性接点111，本例中第一基板110还包含一线路层112及第一防焊层113，第一电性接点111与线路层112电性连结，第一基板110的上表面110u是第一防焊层113的表面，并通过第一防焊层113的开口露出第一电性接点111。芯片115设于第一基板110与第二基板140之间，本例中，芯片115以其主动面朝下方位设于第一基板110的上表面110u上，并通过至少一凸块116电性连接于第一基板110，此种芯片115称为覆晶(flipchip)。另一实施例中，芯片115可以其主动面朝上方位设于第一基板110的上表面110u上，并通过至少一焊线电性连接于第一基板110。一实施例中，芯片115的厚度介于60微米至110微米之间。第一突出部120例如是防焊层，其可整合于第一基板110的工艺中形成，或独立于第一基板110的工艺形成。第一突出部120形成于第一基板110的上表面110u上，本例中，第一突出部120为第二防焊层，形成于第一防焊层113上。一实施例中，第一防焊层113与第一突出部120可分别于不同二光罩工艺中形成。第一突出部120围绕出第一凹部120r，芯片115位于第一凹部120r内。本例中，芯片115通过第一凹部120r设于第一基板110上，从第一基板110的上表面110u到芯片115的顶面的距离h1可大于，等于或小于第一基板110的上表面110u到第一突出部120的上表面120u的距离h2，本例中，距离h1大于距离h2。一实施例中，第一突出部120的厚度(即第一基板110的上表面110u到第一突出部120的上表面120u的距离)介于40微米至60微米之间。导电柱130形成于第一基板110的第一电性接点111并电性连接于第一电性接点111。一例中，导电柱130的表面覆盖一层表面处理层，例如镍金层(未图示)，表面处理层可覆盖于导电柱130的端部，或进一步覆盖导电柱130的侧面，导电柱130的侧面的一部分被第一突出部120包覆，而另一部分突出超过第一突出部120。由于第一突出部120包覆部分导电柱130，故产生强化导电柱130机械强度的作用，因此可减少第一基板110与第二基板140对接时产生的压力造成导电柱断裂的风险。导电柱130的端部131突出超过第一突出部120的上表面120u，本例中，导电柱130的端部131经由于第一防焊层113而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：一第一基板，具有一表面及一第一电性接点；一第一突出部，位于该第一基板的该表面上；一导电柱，电性连结该第一电性端点，其中该导电柱包含一端部及至少一侧面，该侧面的一部分被该第一突出部包覆，而该侧面的另一部分凸出于该第一突出部；一第二基板，具有相对的一第一表面与一第二表面，其中该第二基板的该第一表面与该第一基板的该表面彼此相对；一第二突出部，形成于该第二基板的该第一表面上且具有一容置凹部；一焊料，容置于该容置凹部内；一第二电性接点，形成于该第二基板的该第二表面，且电性连接于该焊料；一芯片，设于该第一基板与该第二基板之间；一黏合层，包覆该芯片且黏合该第一基板的该表面与该第二基板的该第一表面并围绕该导电柱的该另一部分；其中，该导电柱的该端部位于该容置凹部内而与该焊料对接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：一第一基板，具有一表面及一第一电性接点；一第一突出部，位于该第一基板的该表面上；一导电柱，电性连结该第一电性端点，其中该导电柱包含一端部及至少一侧面，该侧面的一部分被该第一突出部包覆，而该侧面的另一部分凸出于该第一突出部；一第二基板，具有相对的一第一表面与一第二表面，其中该第二基板的该第一表面与该第一基板的该表面彼此相对；一第二突出部，形成于该第二基板的该第一表面上且具有一容置凹部；一焊料，容置于该容置凹部内；一第二电性接点，形成于该第二基板的该第二表面，且电性连接于该焊料；一芯片，设于该第一基板与该第二基板之间；一黏合层，包覆该芯片且黏合该第一基板的该表面与该第二基板的该第一表面并围绕该导电柱的该另一部分；其中，该导电柱的该端部位于该容置凹部内而与该焊料对接。2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一突出部围绕成一第一凹部，该芯片位于该第一凹部内。3.如权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，该第二突出部围绕成一第二凹部，该芯片的一部份位于第一凹部内，而该芯片的另一部份位于第二凹部内。4.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该导电柱具有一端面，该端面与该容置凹部的一槽底面之间具有一间隔。5.如权利要求4所述的半导体封装件，其特征在于，该焊料经由该间隔物理连结该导电柱的该端面与该容置凹部的该槽底面。6.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一突出部具有一表面面向该第二基板，该导电柱突出超过该第一突出部的该表面，而该第二突出部具有一表面面向该第一基板，该黏合层直接黏合该第一突出部的该表面与该第二突出部的该表面。7.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第二基板具有一外侧面，该导电柱具有一第一侧面及一第二侧面，其中该第二基板的该外侧面与该第一侧面的距离大于该第二基板的该外侧面与该第二侧面的距离，该黏合层与该第一侧面接触的面积大于该黏合层与该第二侧面接触的面积。8.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该焊料直接包覆该导电柱的整个侧面，其中该黏合层直接包覆部分该焊料。9.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该黏合层直接包覆部分该导电柱与部分该焊料。10.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一突出部防焊层。11.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一突出部...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈奕廷，林俊宏，黄仕铭，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71