能带隙参考电压产生电路与使用其的电子系统技术方案

本发明专利技术公开了一种能带隙参考电压产生电路与使用其的电子系统。能带隙参考电压产生电路包括三端电流源电路、缓冲器、差动放大电路、反馈电路、第一晶体管、第二晶体管、第三电阻与第四电阻。三端电流源电路用以提高能带隙参考电压产生电路的电源抑制比以稳定第一电流，并且第一电流用以偏压差动放大电路。本揭示内容通过调整电阻的阻值以补偿参考电压的温度曲线。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种能带隙参考电压产生电路与使用其的电子系统。能带隙参考电压产生电路包括三端电流源电路、缓冲器、差动放大电路、反馈电路、第一晶体管、第二晶体管、第三电阻与第四电阻。三端电流源电路用以提高能带隙参考电压产生电路的电源抑制比以稳定第一电流，并且第一电流用以偏压差动放大电路。本揭示内容通过调整电阻的阻值以补偿参考电压的温度曲线。【专利说明】能带隙参考电压产生电路与使用其的电子系统
本专利技术关于一种能带隙参考电压产生电路，特别是指一种独立于系统电压与温度的能带隙参考电压产生电路。
技术介绍
在高科技不断的创新改进下，消费性电子产品已逐渐普及于人们的生活中，尤其各种手持式电子装置，例如:手机、数码相机、个人数码助理或平板电脑等，因其轻薄短小，可随身携带的特性深受人们的喜爱。然而，手持式电子装置在使用上须考量电源能量供应时间长短的问题，目前多利用如镍氢电池及锂电池等电池装置，加上额外搭配符合电池装置规格的充电器使用。 能带隙参考电压源电路的设计是该领域中众所周知的，这些电路被设计以提供一独立于电路中温度变化的电压标准。能带隙参考电压源的参考电压是一个双极结型晶体管(双极型晶体管)的基极与射极间所发展的电压V b e和另外两个双极型晶体管的基极一射极电压V b e之差(AV b e)的函数。第一个双极型晶体管的基极一射极电压V b e具有一个负的温度系数，或者当温度升高时基极一射极电压V b e将会减少。另外两个双极型晶体管的差分电压AV b e将会具有一个正的温度系数，这就意味着当温度升高时该差分基极一射极电压AV b e也随之升高。独立于能带隙电压参考电压源的温度的参考电压通过缩放差分基极一射极电压AV b e以及求其与第一个双极型晶体管的基极一射极电压Vb e的和而得到调整。然而，一般的参考电压产生电路通常都可能会遭遇到环境温度的改变或系统电压变异而影响到参考电压的稳定度的相关问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能带隙参考电压产生电路，用以提供一参考电压。能带隙参考电压产生电路包括三端电流源电路、缓冲器、差动放大电路、反馈电路、第一晶体管、第二晶体管、第三电阻与第四电阻。三端电流源电路接收系统电压并且当系统电压的电压值大于第一门槛值时，则输出第一电流，其中三端电流源电路用以提高能带隙参考电压产生电路的电源抑制比，以稳定第一电流。缓冲器电性连接系统电压与三端电流源电路并且接收三端电流源电路所输出的第一电压，其中第一电压的幅值被缓冲器予以锁定。差动放大电路电性连接三端电流源电路，所述差动放大电路接收第一输入电压、第二输入电压与第一电流，并且据此输出参考电压，其中第一电流用以偏压差动放大电路。反馈电路接收参考电压并且根据分压比值输出反馈电压。第一晶体管的集极通过第一电阻电性连接至参考电压，第一晶体管的基极接收反馈电压以偏压在主动区。第二晶体管的集极通过第二电阻电性连接至参考电压，第二晶体管的基极接收反馈电压以偏压在主动区。第三电阻的一端连接第一晶体管的射极，其中通过调整第三电阻的阻值以补偿参考电压的温度曲线。第四电阻的一端连接第三电阻的另一端与第二晶体管的射极，第四电阻的另一端连接接地电压。 在本专利技术其中一个实施例中，反馈电压为参考电压与分压比值的乘积。 在本专利技术其中一个实施例中，第一晶体管的射极面积大于第二晶体管的射极面积。 在本专利技术其中一个实施例中，三端电流源电路包括第三晶体管、第四晶体管、第五电阻与第六电阻。第三晶体管的漏极连接系统电压。第四晶体管的漏极连接第三晶体管的源极。第五电阻的一端连接第四晶体管的源极，第五电阻的另一端连接第三晶体管的栅极。第六电阻的一端连接第五电阻的另一端，第六电阻的另一端连接第四晶体管的栅极。第三晶体管、第四晶体管与第五晶体管为空乏型晶体管。 在本专利技术其中一个实施例中，缓冲器包括第五晶体管。第五晶体管的漏极连接系统电压，第五晶体管的栅极连接第五电阻的另一端，第五晶体管的源极输出参考电压，其中第五晶体管为空乏型晶体管。 在本专利技术其中一个实施例中，差动放大电路包括第六晶体管、第七晶体管与第七电阻。第六晶体管的集极连接第六电阻的另一端以接收第一电流，第六晶体管的基极接收第一输入电压。第七晶体管的集极连接第五晶体管的源极，第七晶体管的基极接收第二输入电压，第七晶体管的射极连接第六晶体管的射极。第七电阻的一端连接第七晶体管的射极，第七电阻的另一端连接接地电压。 在本专利技术其中一个实施例中，差动放大电路还包括第八晶体管。第八晶体管的漏极连接第七晶体管的射极，第八晶体管的栅极连接第三电阻的一端，其中第八晶体管为空乏型晶体管，其中第八晶体管与第七电阻形成一电流槽。 在本专利技术其中一个实施例中，差动放大电路还包括第九晶体管。第九晶体管的漏极连接第七晶体管的射极，第九晶体管的栅极连接第七电阻的另一端，第九晶体管的源极连接第七电阻的一端，其中第九晶体管为空乏型晶体管并且第九晶体管与第七电阻形成电流槽。 在本专利技术其中一个实施例中，反馈电路为电阻分压电路，并且反馈电路包括第八电阻与第九电阻。第八电阻的一端连接第五晶体管的源极，第八电阻的另一端连接至第一及第二晶体管的基极。第九电阻的一端连接第八电阻的另一端，第九电阻的另一端连接接地电压。分压比值为第九电阻的阻值除以第八电阻与第九电阻的阻值的总和，并且通过分压比值的调整来适应性地调整参考电压的电压值。 本专利技术实施例提供一种电子系统，电子系统包括能带隙参考电压产生电路与负载。能带隙参考电压产生电路包括三端电流源电路、缓冲器、差动放大电路、反馈电路、第一晶体管、第二晶体管、第三电阻与第四电阻。三端电流源电路接收系统电压并且当系统电压的电压值大于第一门槛值时，则输出第一电流，其中三端电流源电路用以提高能带隙参考电压产生电路的电源抑制比，以稳定第一电流。缓冲器电性连接系统电压与三端电流源电路并且接收三端电流源电路所输出的第一电压，其中第一电压的幅值被缓冲器予以锁定。差动放大电路电性连接三端电流源电路，所述差动放大电路接收第一输入电压、第二输入电压与第一电流，并且据此输出参考电压，其中第一电流用以偏压差动放大电路。反馈电路接收参考电压并且根据分压比值输出反馈电压。第一晶体管的集极通过第一电阻电性连接至参考电压，第一晶体管的基极接收反馈电压以偏压在主动区。第二晶体管的集极通过第二电阻电性连接至参考电压，第二晶体管的基极接收反馈电压以偏压在主动区。第三电阻的一端连接第一晶体管的射极，其中通过调整第三电阻的阻值以补偿参考电压的温度曲线。第四电阻的一端连接第三电阻的另一端与第二晶体管的射极，第四电阻的另一端连接接地电压。负载电性连接能带隙参考电压产生电路以接收参考电压。 综上所述，本专利技术实施例所提出的能带隙参考电压产生电路与电子系统，通过三端电流源电路与来使得能带隙参考电压产生电路提供一个能独立于系统电压的参考电压。再者，能带隙参考电压产生电路所产生的参考电压具有良好的温度效应。 为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的权利要求范围作任何的限制。 【专利附图】【附图说明】 图1为根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种能带隙参考电压产生电路，用以提供一参考电压，其特征在于，该能带隙参考电压产生电路包括：一三端电流源电路，接收一系统电压并且当该系统电压的电压值大于一第一门槛值时，则输出一第一电流，其中该三端电流源电路用以提高该能带隙参考电压产生电路的电源抑制比，以稳定该第一电流；一缓冲器，电性连接该系统电压与该三端电流源电路并且接收该三端电流源电路所输出的一第一电压，其中该第一电压的幅值被该缓冲器予以锁定；一差动放大电路，电性连接该三端电流源电路，该差动放大电路接收一第一输入电压、一第二输入电压与该第一电流，并且据此输出该参考电压，其中该第一电流用以偏压该差动放大电路；一反馈电路，接收该参考电压并且根据一分压比值输出一反馈电压；一第一晶体管，其集极通过一第一电阻电性连接至该参考电压，其基极接收该反馈电压以偏压在一主动区；一第二晶体管，其集极通过一第二电阻电性连接至该参考电压，其基极接收该反馈电压以偏压在该主动区；一第三电阻，其一端连接该第一晶体管的射极，其中通过调整该第三电阻的阻值以补偿该参考电压的温度曲线；以及一第四电阻，其一端连接该第三电阻的另一端与该第二晶体管的射极，其另一端连接一接地电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁兆明，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71