毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统，涉及测量电变量的装置技术领域。所述系统包括在片测试模块和直流馈电模块，所述在片测试模块包括单片电路钨铜载片、四个第一滤波电容以及四个第二滤波电容；所述直流馈电模块包括铜支撑件、四个侧面铜片以及四个穿心电容。所述系统基于常规测试夹具，设计并制作了单片电路芯片的在片测试模块，使用该模块，在可靠性试验前后可对单片电路芯片进行微波测试，具有成本低，易实现，使用方便的特点。

【技术实现步骤摘要】
毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统
本技术涉及测量电变量的装置
，尤其涉及一种毫米波单片电路芯片 的可靠性测试系统。
技术介绍
基于半导体材料可制作毫米波单片电路芯片，为了验证毫米波单片电路芯片可靠 性，需要开展高温反偏、功率老炼等试验，实验前后需要对单片电路芯片直流及微波参数进 行测试。 单片电路芯片为裸芯片形式，无法直接开展高温反偏、功率老炼实验，需要装配在 夹具内才能开展可靠性试验，试验前后使用直流及微波测系统对装配在夹具中的单片电路 芯片进行测试。而对于毫米波单片电路芯片，如果频率高达90GHz，因为测试夹具插损太大， 只能进行夹具直流测试，无法进行夹具微波测试，只能采用裸芯片在片测试的方法进行微 波测试，而裸芯片装配在夹具中。常规方法中，在片测试模块不可拆卸，由于测试模块具有 一定厚度，背面不平，放置在在片微波测试系统载台上时不容易固定，且模块侧墙会影响微 波测试探针，造成在片测试很困难，同时由于滤波电容面积小，且远离单片电路芯片，无法 放置直流探针，需要把与单片电路芯片直流压点连接的键合金丝去除，把直流探针放置在 单片电路芯片直流压点上，才能进行微波测试，键合金丝去除后，会遗留一部分金丝，在高 频时严重影响测试结果，测试数据误差大。故采用常规的方法无法在高温反偏、功率老炼实 验试验后进行在片微波测试。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种毫米波单片电路芯片的可靠性测试 系统，所述系统基于常规测试夹具，设计并制作了单片电路芯片的在片测试模块，使用该模 块，在可靠性试验前后可对单片电路芯片进行微波测试，具有成本低，易实现，使用方便的 特点。 为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是：一种毫米波单片电路芯 片的可靠性测试系统，其特征在于：所述系统包括在片测试模块和直流馈电模块，所述在片 测试模块包括单片电路钨铜载片、第一滤波电容以及第二滤波电容，所述第一滤波电容设 有四个，围合成矩形布置在单片电路钨铜载片上表面的四个角处；所述第二滤波电容设有 四个，位于所述第一滤波电容围合成的矩形内，并围合成矩形布置在所述单片电路钨铜载 片的中部，第二滤波电容围合成的矩形内用于放置被测试的毫米波单片电路芯片，所述第 一滤波电容的一端设有金属引出线，第一滤波电容的另一端通过键合金丝与与其距离最接 近的第二滤波电容的一端相连接，所述第二滤波电容的另一端为与被测试的毫米波单片电 路芯片的连接端；所述直流馈电模块包括铜支撑件、侧面铜片以及穿心电容，所述侧面铜片 设有四个，分别焊接在所述铜支撑件的四个角处，每个侧面铜片上设有一个穿心电容，所述 穿心电容的一端悬空，另一端与放置在铜支撑件上表面在片测试模块第一滤波电容上的金 属引出线连接；第二滤波电容上设有直流探针接触点，第一滤波电容的电极面积大于键合 金丝直径的两倍，距离第二滤波电容大于3mm。 进一步优选的技术方案在于：所述单片电路钨铜载片上设有过孔，所述在片测试 模块通过螺栓固定在直流馈电模块的铜支撑件的上表面。 采用上述技术方案所产生的有益效果在于：所述系统的在片测试模块可拆卸，背 面平整度高，可牢固的放置在在片微波测试系统载台上，可轻松实现单片电路芯片的在片 微波测试。同时，通过采用大面积滤波电容，优化电容位置，直流探针测试时放置在电容上， 而不是单片电路芯片直流压点上，试验后无需把单片电路芯片上的键合金丝去除，只需拆 掉在片测试模块便可实现在片微波测试，实现了试验前后对单片电路芯片直流参数及微波 参数的测试，具有成本低，易实现，使用方便的特点。 【附图说明】 下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细的说明。 图1是本技术中在片测试模块的俯视结构示意图； 图2是本技术所述可靠性测试系统的主视结构示意图； 其中：1、单片电路钨铜载片2、第一滤波电容3、第二滤波电容4、毫米波单片电 路芯片5、金属引出线6、键合金丝7、铜支撑件8、侧面铜片9、穿心电容10、直流探针接 触点。 【具体实施方式】 下面结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清 楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的 实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本实用新 型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实 用新型内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。 如图1和图2所示，本技术公开了一种毫米波单片电路芯片的可靠性测试系 统，所述系统包括在片测试模块和直流馈电模块。所述在片测试模块包括单片电路钨铜载 片1、第一滤波电容2以及第二滤波电容3,单片电路钨铜载片1的上下表面比较平整。所 述第一滤波电容2设有四个，围合成矩形布置在单片电路钨铜载片1上表面的四个角处；所 述第二滤波电容3设有四个，位于所述第一滤波电容2围合成的矩形内，并围合成矩形布置 在所述单片电路钨铜载片1的中部，第一滤波电容围合成的矩形与第二滤波电容围合成的 矩形角与角相对。第二滤波电容3围合成的矩形内用于放置被测试的毫米波单片电路芯片 4,所述第二滤波电容靠近毫米波单片电路芯片4上的直流压点。 所述第一滤波电容2的一端设有金属引出线5，第一滤波电容2的另一端通过键合 金丝6与与其距离最接近的第二滤波电容3的一端相连接，所述第二滤波电容3的另一端 为与被测试的毫米波单片电路芯片4的连接端；所述直流馈电模块包括铜支撑件7、侧面铜 片8以及穿心电容9,所述侧面铜片8设有四个，分别焊接在所述铜支撑件7的四个角处，每 个侧面铜片8上设有一个穿心电容9,所述穿心电容9的一端悬空，另一端与放置在铜支撑 件7上表面在片测试模块第一滤波电容2上的金属引出线5连接。 所述单片电路钨铜载片1上设有两个过孔，所述在片测试模块通过螺栓可分离的 固定在直流馈电模块的铜支撑件7的上表面，第一滤波电容2的电极面积大于键合金丝6 直径的两倍，距离第二滤波电容3大于3mm。 使用所述系统进行毫米波单片电路芯片的可靠测试方法，该方法已经成功应用于 90GHz InP毫米波低噪声单片电路芯片可靠性试验中，芯片描述：1)栅宽：1mm ;2)工作频 率90GHz。【具体实施方式】如下所述： 1)将弟一滤波电各2烧结在鹤铜载片边缘，单片电路芯片烧结在鹤铜载片中央， 第二滤波电容3烧结在单片电路两侧，紧贴单片电路直流压点。 2)单片电路芯片与第二滤波电容之间、第二滤波电容与第一滤波电容之间使用金 丝进行键合形成在片测试模块，使用探针微波测试系统测试单片电路微波参数，结果如表1 所示，第二滤波电容上设有直流探针接触点10。 3)装配直流馈电模块，穿心电容固定在侧面铜片上，侧面铜片固定在铜支撑件上。 4)把在片测试模块通过螺钉固定在直流馈电模块的铜支撑件上。 8)通过钳子使得穿电容与第一滤波电容相连。 9)测试单片电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统，其特征在于：所述系统包括在片测试模块和直流馈电模块，所述在片测试模块包括单片电路钨铜载片（1）、第一滤波电容（2）以及第二滤波电容（3），所述第一滤波电容（2）设有四个，围合成矩形布置在单片电路钨铜载片（1）上表面的四个角处；所述第二滤波电容（3）设有四个，位于所述第一滤波电容（2）围合成的矩形内，并围合成矩形布置在所述单片电路钨铜载片（1）的中部，第二滤波电容（3）围合成的矩形内用于放置被测试的毫米波单片电路芯片（4），所述第一滤波电容（2）的一端设有金属引出线（5），第一滤波电容（2）的另一端通过键合金丝（6）与与其距离最接近的第二滤波电容（3）的一端相连接，所述第二滤波电容（3）的另一端为与被测试的毫米波单片电路芯片（4）的连接端；所述直流馈电模块包括铜支撑件（7）、侧面铜片（8）以及穿心电容（9），所述侧面铜片（8）设有四个，分别焊接在所述铜支撑件（7）的四个角处，每个侧面铜片（8）上设有一个穿心电容（9），所述穿心电容（9）的一端悬空，另一端与放置在铜支撑件（7）上表面在片测试模块第一滤波电容（2）上的金属引出线（5）连接；第二滤波电容（3）上设有直流探针接触点（10），第一滤波电容（2）的电极面积大于键合金丝（6）直径的两倍，距离第二滤波电容（3）大于3mm。...

【技术特征摘要】
1. 一种毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统，其特征在于：所述系统包括在片测试 模块和直流馈电模块，所述在片测试模块包括单片电路钨铜载片（1)、第一滤波电容（2)以 及第二滤波电容（3)，所述第一滤波电容（2)设有四个，围合成矩形布置在单片电路钨铜载 片（1)上表面的四个角处；所述第二滤波电容（3)设有四个，位于所述第一滤波电容（2)围 合成的矩形内，并围合成矩形布置在所述单片电路钨铜载片（1)的中部，第二滤波电容（3) 围合成的矩形内用于放置被测试的毫米波单片电路芯片（4)，所述第一滤波电容（2)的一 端设有金属引出线（5)，第一滤波电容（2)的另一端通过键合金丝（6)与与其距离最接近的 第二滤波电容（3)的一端相连接，所述第二滤波电容（3)的另一端为与被测试的...

【专利技术属性】
技术研发人员：默江辉，杨中月，李亮，崔玉兴，付兴昌，蔡树军，杨克武，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：河北;13