单相差分变换电路、平衡-不平衡变换器、开关以及通信装置制造方法及图纸

提供：与输入端子连接的栅极、与第一电压源连接的源极、具有与输出节点连接的漏极的一个或多个第一导电型的第一晶体管、与输入端子连接的栅极、与第二电压源连接的源极、具有与输出节点连接的漏极的一个或多个第二导电型的第二晶体管、插入地连接在输入端子和输出节点之间的第一电阻元件、与输入端子连接的第一输出端子以及插入地直接或间接连接到输出节点的第二输出端子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单相差分变换电路、平衡-不平衡变换器、开关以及通信装 CP3
本公开涉及将单相信号变换成差分信号的单相差分变换电路和平衡-不平衡变 换器、控制信号传输和中断的开关以及通信装置。
技术介绍
在信号处理中，经常使用处理差分信号的差分电路。与单相信号相比，差分信号例 如不易受到噪声（同相噪声）干扰，或允许信号范围扩大到两倍。因此，差分电路经常被用 于处理具有比较小的幅度的模拟信号的情况。 在将单相信号提供给这样的差分电路的情况下，需要提供用于将单相信号变换成 差分信号并将变换后的信号提供给差分电路的单相差分变换电路。例如，在专利文献1中， 公开了具有由两个场效应晶体管（FET)构成的差分对的平衡-不平衡变换器电路（单相差 分变换电路）。 此外，在通信装置中，高频开关（RF开关）经常被用于从多个电路中选择一个电路 作为操作对象，或用于从多个信号中选择一个信号作为处理对象。特别地，例如，在具有发 送电路和接收电路的无线通信装置中，高频开关被用于在信号发送中将天线与发送电路连 接，以及在信号接收中将天线与接收电路连接。此外，例如，在具有多个衰减器的接收电路 中，高频开关被用于根据信号强度切换衰减器。 作为这样的高频开关，已经公开了各种技术。例如，在专利文献2至4中，公开了 包括开关晶体管和连接到该开关晶体管的栅极的电阻，以及构成为通过该电阻对该开关晶 体管施加控制电压的高频开关。 引文列表 专利文献 专利文献 1 :JP2〇0〇-269783A 专利文献 2 JP2008-34406A 专利文献 3 JP2008-35153A 专利文献 4 :JP2〇l〇-2l28〇lA
技术实现思路
在信号处理时，常常期望电路中产生的噪声被降低。特别是，在处理具有比较小的 幅度的模拟信号的情况下，由于高信噪比（S/N比）很重要，所以期望降低噪声。 因此，期望提供能够降低噪声的单相差分变换电路、平衡-不平衡变换器，以及通 信装置。 此外，一般地，期望高频开关在导通（0N)状态下以小损耗和抑制失真来传输输入 信号，另一方面，在截止（OFF)状态下充分地中断输入信号。特别是，在截止状态下输入了 具有较大幅度的信号的情况下，期望充分中断该信号。 因此，期望提供在截止状态下输入了具有较大幅度信号的情况下，能够充分地中 断该信号的开关和通信装置。 根据本技术实施方式的单相差分变换电路，包括：一个或多个第一晶体管；一个 或多个第二晶体管；第一电阻；第一输出端子；以及第二输出端子。一个或多个第一晶体管 为第一导电型并各自包括栅极、源极以及漏极，栅极连接到输入端子，源极构成为连接到第 一电压源，漏极连接到输出节点。一个或多个第二晶体管为第二导电型并各自包括栅极、源 极以及漏极，栅极连接到所述输入端子，源极构成为连接到第二电压源，漏极连接到所述输 出节点。第一电阻插入并连接在输入端子和输出节点之间。第一输出端子连接到输入端子。 第二输出端子直接或间接地连接到输出节点。 根据本技术实施方式的平衡-不平衡变换器，包括：一个或多个第一晶体管；一个 或多个第二晶体管；第一电阻；第一输出端子；以及第二输出端子。一个或多个第一晶体管 为第一导电型并各自包括栅极、源极以及漏极，栅极连接到输入端子，源极构成为连接到第 一电压源，漏极连接到输出节点。一个或多个第二晶体管为第二导电型并各自包括栅极、源 极以及漏极，栅极连接到所述输入端子，源极构成为连接到第二电压源，漏极连接到所述输 出节点。第一电阻插入并连接在输入端子和输出节点之间。第一输出端子连接到输入端子。 第二输出端子直接或间接地连接到输出节点。 根据本技术实施方式的开关，包括一个或多个开关晶体管和非线性电路。一个或 多个开关晶体管各自包括控制端子。非线性电路分别连接到控制端子。 根据本技术实施方式的第一通信装置，包括上述单相差分变换电路。 根据本技术实施方式的第二通信装置，包括上述开关。 根据本技术实施方式的第三通信装置，包括上述单相差分变换电路和上述开关。 在根据本公开的上述实施方式的单相差分变换电路、平衡_不平衡变换器、第一 通信装置以及第三通信装置中，作为提供给输入端子的单相信号的输入信号变换成差分信 号，从第一输出端子和所述第二输出端子输出变换后的信号。第一输出端子连接到输入端 子，第二输出端子直接或间接地连接到输出节点。 在根据本公开的上述实施方式的开关、第二通信装置以及第三通信装置中，由控 制端子的电压控制一个或多个开关晶体管的导通或截止状态。通过非线性电路提供电压。 根据根据本公开的上述实施方式的单相差分变换电路、平衡_不平衡变换器、第 一通信装置以及第三通信装置，由于第一输出端子连接到输入端子，以及第二输出端子直 接或间接地连接到所述输出节点，所以能够降低噪声。 根据根据本公开的上述实施方式的开关、第二通信装置以及第三通信装置，由于 非线性电路连接到一个或多个开关晶体管的控制端子，所以能够在截止状态下输入了具有 较大幅度的信号情况下充分地中断信号。 【附图说明】 图1是图解根据本公开第一实施方式的接收机的一个配置示例的框图。 图2是图解图1中表示的RF开关的一个配置示例的电路图。 图3是图解图2中所示的RF开关的特性的一个示例的说明图。 图4是图解图2中所示的RF开关的一个操作示例的定时波形图。 图5是图解图2中所示的RF开关的另一个操作示例的定时波形图。 图6是图解图2中所示的RF开关的特性的一个示例的特性图。 图7A是图解关闭图2中所示的RF开关的电路图。 图7B是图解图2中所示的RF开关的特性的一个示例的另一特性图。 图8是图解根据比较示例的RF开关的一个配置示例的电路图。 图9是图解图8所示的RF开关的一个操作示例的定时波形图。 图10是图解图8所示的RF开关的另一个操作示例的定时波形图。 图11是图解根据第一实施方式和比较示例的接收机特性的特性图。 图12A是图解根据第一实施方式的一个变形例的RF开关的一个配置示例的电路 图。 图12B是图解根据第一实施方式的另一个变形例的RF开关的一个配置示例的电 路图。 图13A是图解根据第一实施方式的另一个变形例的RF开关的一个配置示例的电 路图。 图13B是图解根据第一实施方式的另一个变形例的RF开关的一个配置示例的电 路图。 图13C是图解根据第一实施方式的另一个变形例的RF开关的一个配置示例的电 路图。 图14是图解根据第一实施方式的另一个变形例的RF开关的一个配置示例的电路 图。 图15是图解图14所示的RF开关的一个操作示例的定时波形图。 图16是图解根据第一实施方式的另一个变形例的RF开关的一个配置示例的电路 图。 图17是图解根据第一实施方式的另一个变形例的RF开关的一个配置示例的电路 图。 图18是图解根据第一实施方式的另一个变形例的RF开关的一个配置示例的电路 图。 图19是图解根据第一实施方式的另一个变形例的RF开关的一个配置示例的电路 图。 图20是图解根据本公开第二实施方式的接收机的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单相差分变换电路，包括：各自包括栅极、源极和漏极的一个或多个第一导电型第一晶体管，该栅极连接到输入端子，该源极构成为连接到第一电压源，该漏极连接到输出节点；各自包括栅极、源极和漏极的一个或多个第二导电型第二晶体管，该栅极连接到所述输入端子，该源极构成为连接到第二电压源，该漏极连接到所述输出节点；插入并连接在所述输入端子和所述输出节点之间的第一电阻元件；连接到所述输入端子的第一输出端子；以及直接或间接地连接到所述输出节点的第二输出端子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.28 JP 2012-120939;2012.05.28 JP 2012-120941. 一种单相差分变换电路，包括： 各自包括栅极、源极和漏极的一个或多个第一导电型第一晶体管，该栅极连接到输入 端子，该源极构成为连接到第一电压源，该漏极连接到输出节点； 各自包括栅极、源极和漏极的一个或多个第二导电型第二晶体管，该栅极连接到所述 输入端子，该源极构成为连接到第二电压源，该漏极连接到所述输出节点； 插入并连接在所述输入端子和所述输出节点之间的第一电阻元件； 连接到所述输入端子的第一输出端子；以及 直接或间接地连接到所述输出节点的第二输出端子。2. 如权利要求1所述的单相差分变换电路，还包括： 各自包括栅极和源极的一个或多个第二导电型第三晶体管，该栅极构成为连接到所述 第一电压源，该源极构成为连接到所述输出节点； 各自包括栅极和源极的一个或多个第一导电型第四晶体管，该栅极构成为连接到所述 第二电压源，该源极构成为连接到所述输出节点。3. 如权利要求2所述的单相差分变换电路，其中 所述一个或多个第一晶体管的跨导和所述一个或多个第二晶体管的跨导之和大于所 述一个或多个第三晶体管的跨导和所述一个或多个第四晶体管的跨导之和。4. 如权利要求2所述的单相差分变换电路，其中 所述第一晶体管至第四晶体管的沟道长度彼此相等， 所述一个或多个第一晶体管的沟道宽度大于所述一个或多个第四晶体管的沟道宽度， 所述一个或多个第二晶体管的沟道宽度大于所述一个或多个第三晶体管的沟道宽度。5. 如权利要求2所述的单相差分变换电路，其中 所述一个或多个第三晶体管中的每一个晶体管还包括构成为连接到所述第一电压源 的漏极， 所述一个或多个第四晶体管中的每一个晶体管还包括构成为连接到所述第二电压源 的漏极。6. 如权利要求2所述的单相差分变换电路，还包括： 一个或多个第二电阻，其与所述一个或多个第三晶体管对应地提供并各自包括第一端 子和第二端子，该第二端子构成为连接到所述第一电压源；以及 一个或多个第三电阻，其与所述一个或多个第四晶体管对应地提供并各自包括第一端 子和第二端子，该第二端子构成为连接到所述第二电压源， 其中，所述一个或多个第三晶体管中的每一个晶体管还包括连接到分别对应的第二电 阻的该第一端子的漏极，以及 所述一个或多个第四晶体管中的每一个晶体管还包括连接到分别对应的第三电阻的 该第一端子的漏极。7. 如权利要求1所述的单相差分变换电路，还包括插入并连接在所述输出节点和所述 第二输出端子之间的衰减部分。8. 如权利要求7所述的单相差分变换电路，其中 所述衰减部分包括： 包括第一端子和第二端子的第一电容器，该第一端子连接到所述输出节点，该第二端 子连接到所述第二输出端子；以及 各自包括第一端子和第二端子的一个或多个第二电容器，该第一端子连接到所述第二 输出端子，该第二端子构成为连接到所述第二电压源。9. 如权利要求1所述的单相差分变换电路，还包括： 一个或多个第一开关，其与所述一个或多个第一晶体管对应地提供并各自包括第一端 子和第二端子，该第一端子连接到所述第一电压源，该第二端子连接到分别对应的第一晶 体管的该源极；以及 一个或多个第二开关，其与所述一个或多个第二晶体管对应地提供并各自包括第一端 子和第二端子，该第一端子连接到所述第二电压源，该第二端子连接到分别对应的第二晶 体管的该源极。10. 如权利要求5所述的单相差分变换电路，还包括： 一个或多个第三开关，其与所述一个或多个第三晶体管对应地提供并各自包括第一端 子和第二端子，该第一端子连接到所述第一电压源，该第二端子连接到分别对应的第三晶 体管的该漏极；以及 一个或多个第四开关，其与所述一个或多个第四晶体管对应地提供并各自包括第一端 子和第二端子，该第一端子连接到所述第二电压源，该第二端子连接到分别对应的第四晶 体管的该漏极。11. 如权利要求6所述的单相差分变换电路，还包括： 一个或多个第三开关，其与所述一个或多个第二电阻对应地提供并各自包括第一端子 和第二端子，该第一端子连接到所述第一电压源，该第二端子连接到分别对应的第二电阻 的该第二端子；以及 一个或多个第四开关，其与所述一个或多个第三电阻对应地提供并各自包括第一端子 和第二端子，该第一端子连接到所述第二电压源，该第二端子连接到分别对应的第三电阻 的该第二端子。12. 如权利要求8所述的单相差分变换电路，包括： 一个或多个第五开关，其与所述一个或多个第二电容器对应地提供并各自包括第一端 子和第二端子，该第一端子连接到所述第二电压源，该第二端子连接到分别对应的第二电 容器的该第二端子。13. -种平衡-不平衡变换器，包括： 各自包括栅极、源极和漏极的一个或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川直人，山本宪，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP