【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用分形表面穿过金属机壳传输磁场
本申请要求2012年7月3日提交的美国临时专利申请序列号N0.61/667,518的优先权权益。
技术介绍
近来,出现了允许在相互靠近的便携设备之间的近场耦合(例如无线电力传输(WPT)和近场通信(NFC))。这样的近场耦合功能可使用在设备中的射频(RF)天线来发送和接收电磁信号。因为用户期望(和/或由于审美原因),这些便携设备中的很多是小的(和变得更小),并且趋向于当从侧面看时具有扩大的纵横比。作为结果,这些便携设备中的很多并入了平的天线,该平的天线使用导电材料的线圈作为其辐射天线以在近场耦合功能中使用。 例如,可通过在便携设备的掌托区域下的导电电磁干扰(EMI)涂层上建立切口,使得被附着到切口区域的NFC天线可有效地穿过机壳辐射,来实现在塑料机壳便携设备中的NFC天线集成。对于具有完整的金属机壳的设备,通常使用金属机壳来维持在薄设计中的机械强度。金属机壳的使用对于在这样的设备(例如,诸如超级本之类的薄膝上型计算机)中的NFC线圈天线集成来说建立了关键的挑战,因为NFC天线需要非金属表面以便辐射穿过。 相应地,期望允许NFC天线被集成到薄金属机壳中并且维持NFC天线辐射的效率的解决方案,从而可保持工业设计、机械完整性和客户诉求。 【附图说明】 图1示出在示例性的近场耦合布置中的无线设备。 图2A和2B分别示出示例性的近场通信(NFC)线圈天线和无线设备中的键盘区域的顶视图。 图3示出线圈天线的示例性下视图和导电涂层的导电表面。 图4A示出被用作构造导电涂层和金属机壳中的分形缝隙的模板 ...
【技术保护点】
一种装置,包括:一个或多个处理器;耦合到所述一个或多个处理器的存储器;耦合到所述一个或多个处理器的近场通信(NFC)天线,其中所述NFC天线被集成在所述装置的金属机壳之下;以及被构造在所述金属机壳上的至少一个分形缝隙,所述至少一个分形缝隙具有非自回路分形空间填充曲线模板并且与另一分形缝隙平铺以覆盖至少由所述NFC天线的外部参数定义的区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.03 US 61/667518;2012.11.16 US 13/6789261.一种装置,包括: 一个或多个处理器; 耦合到所述一个或多个处理器的存储器; 耦合到所述一个或多个处理器的近场通信(NFC)天线,其中所述NFC天线被集成在所述装置的金属机壳之下;以及 被构造在所述金属机壳上的至少一个分形缝隙,所述至少一个分形缝隙具有非自回路分形空间填充曲线模板并且与另一分形缝隙平铺以覆盖至少由所述NFC天线的外部参数定义的区域。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述金属机壳包括嵌入的或附着的导电涂层,所述导电涂层位于所述金属机壳和所述NFC天线之间。3.根据权利要求1所述的装置,其中所述至少一个分形缝隙被构造为包括从导电涂层延伸并且穿透所述金属机壳的切片。4.根据权利要求1所述的装置,其中所述至少一个分形缝隙在导电涂层中定义了一区域,所述区域包括在所述至少一个分形缝隙的两端处的接地点以提供静电放电(ESD)保护。5.根据权利要求1所述的装置,其中所述非自回路分形空间填充曲线模板包括希尔伯特曲线、皮亚诺曲线、勒贝克曲线或H树曲线。6.根据权利要求1所述的装置,其中所述非自回路分形空间填充曲线模板包括连续的缝隙线以定义所述至少一个分形缝隙。7.根据权利要求1所述的装置,其中分形缝隙被平铺以在导电涂层中定义一区域,所述区域覆盖感生至所述导电涂层的涡电流的电磁场的大致范围。8.根据权利要求1所述的装置,其中所述非自回路分形空间填充曲线模板包括被配置为切断较小规模的涡电流的连续性的几何样式,所述几何样式通过变换函数来定义,所述变换函数被重生成以建模由感生较大规模涡电流的电磁场的大致范围定义的区域。9.根据权利要求1所述的装置,其中分形缝隙被平铺到覆盖感生至导电涂层的涡电流的电磁场的大致范围的区域的不同象限内。10.根据权利要求1所述的装置,其中所述至少一个分形缝隙包括可调节的宽度以提供高阻抗给涡电流,并且当所述NFC天线在无线保真(WiFi)信号频率中工作时提供频率选择性。11.一种装置机壳,包括: 分形缝隙,用于包括非自回路分形空间填充曲线形状,其中所述分形缝隙与另一分形缝隙平铺以覆盖至少由被集成在分形缝隙之下的近场通信(NFC)天线的外部回路定义的区域;以及 导电涂层,其被集成在所述NFC天线和所平铺的分形缝隙之间。12.根据权利要求11所述的装置,其中所述分形缝隙被构造在金属机壳或碳纤维机壳上。13.根据权利要求11所述的装置,其中所述分形缝隙被构造为包括从所述导电涂层延伸到所述金属机壳的段。14.根据权利要求11所述的装置,其中所述分形缝隙在所述导电涂层中定义了一区域,所述区域包括在所...
【专利技术属性】
技术研发人员:A科纳努尔,U卡拉考格卢,S杨,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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