本发明专利技术公开了一种发光二极管，属于光电子制造技术领域，包括依次层叠的衬底、缓冲层、分布布拉格反射镜、n型限制层、有源层、p型限制层、GaP窗口层、p型欧姆接触层，衬底的与缓冲层相对的一面上设置有n型欧姆接触电极，p型欧姆接触层的与GaP窗口层相反的一面上设置有p面焊线电极，GaP窗口层与p型欧姆接触层之间层叠有C元素重掺杂GaP层，p型欧姆接触层为氧化铟锡膜，p面焊线电极为Al电极。通过采用高透过率导电膜氧化铟锡代替Au/AuBe/Au做p型欧姆接触层，p面焊线电极采用以金属Al为主的电极，可以极大地减少芯片制作过程中的黄金消耗，有效地大幅降低成本。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种发光二极管，属于光电子制造
，包括依次层叠的衬底、缓冲层、分布布拉格反射镜、n型限制层、有源层、p型限制层、GaP窗口层、p型欧姆接触层，衬底的与缓冲层相对的一面上设置有n型欧姆接触电极，p型欧姆接触层的与GaP窗口层相反的一面上设置有p面焊线电极，GaP窗口层与p型欧姆接触层之间层叠有C元素重掺杂GaP层，p型欧姆接触层为氧化铟锡膜，p面焊线电极为Al电极。通过采用高透过率导电膜氧化铟锡代替Au/AuBe/Au做p型欧姆接触层，p面焊线电极采用以金属Al为主的电极，可以极大地减少芯片制作过程中的黄金消耗，有效地大幅降低成本。【专利说明】
本专利技术涉及光电子制造
，特别涉及。
技术介绍
LED作为一种全新的照明技术，它是利用半导体芯片作为发光材料、直接将电能转换为光能。半导体LED及其应用以其发光效率高、耗电量少、使用寿命长、安全可靠性强、环保卫生等优越性，被认为是21世纪最具发展前景的高
之一。目前LED的芯片的制造成本的70%左右来源于贵金属，尤其是黄金Au材料的成本，如何能在疯狂的价格战上站稳脚跟，降低成本是其中的重要因素。 目前，传统的红黄光四元发光二极管芯片结构包括P面焊线电极、P型欧姆接触层、GaP窗口层、上限制层、有源层、下限制层、布拉格反射镜、缓冲层、衬底、η型欧姆接触电极，这种结构的LED在P型欧姆接触层通常采用AuBe或AuZn合金，η型欧姆接触电极采用AuGe或AuGeNi合金，ρ面焊线电极通常用彡2um厚的Au电极。 在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题: 传统的红黄光四元发光二极管芯片中的绝大部分金属采用黄金Au，芯片制造过程中的黄金消耗量很大，导致成本较高。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例提供了，技术方案如下: —方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管，包括依次层叠的衬底、缓冲层、分布布拉格反射镜、η型限制层、有源层、ρ型限制层、GaP窗口层、ρ型欧姆接触层，所述衬底的与所述缓冲层相对的一面上设置有η型欧姆接触电极，所述ρ型欧姆接触层的与所述GaP窗口层相反的一面上设置有P面焊线电极， 所述GaP窗口层与所述ρ型欧姆接触层之间层叠有C元素重掺杂GaP层，所述P型欧姆接触层为氧化铟锡膜，所述P面焊线电极为Al电极。 进一步地，所述C元素重掺杂GaP层中C元素的掺杂浓度大于lxl019Cm_3，所述C元素重掺杂GaP层的厚度为400-1000nm。 进一步地，所述氧化铟锡膜的厚度为80-280nm。 进一步地，所述ρ面焊线电极包括依次层叠的Al电极焊线层，T1、N1、Cr中的1-2种金属粘附层及Pt、N1、Cr中的1-2种金属阻挡层，所述金属阻挡层与所述ρ型欧姆接触层贴合。 进一步地，所述η型欧姆接触电极采用含Ge的金属材料，所述η型欧姆接触电极中还包括N1、T1、Al、Ag、Mo中的1-3种粘附层金属。 进一步地，所述ρ型欧姆接触层与所述C元素重掺杂GaP层之间层叠有表面粗化层。 另一方面，本专利技术实施例还提供一种发光二极管的制造方法，所述方法包括: 提供一衬底； 在所述衬底上依次形成缓冲层、分布布拉格反射镜、η型限制层、有源层、ρ型限制层、GaP窗口层和C兀素重惨杂GaP层； 在所述C元素重掺杂GaP层上蒸发一层氧化铟锡膜，形成ρ型欧姆接触层； 将所述衬底减薄，在所述衬底上蒸发含Ge的金属材料形成η型欧姆接触电极； 对P面和η面进行高温退火处理； 在所述ρ面做负性光刻胶光刻并在显影后蒸发含Al的金属材料，蒸发完成后剥离光刻胶及所述含Al的金属材料形成ρ面焊线电极； 切割所述衬底并进行光电测试。 进一步地，在所述形成ρ型欧姆接触层之前，所述方法还包括: 在C元素重掺杂GaP层上进行表面粗化以形成表面粗化层。 进一步地，在所述将所述衬底减薄之前，所述方法还包括: 在所述氧化铟锡膜上做负性光刻胶光刻，显影后腐蚀掉氧化铟锡膜的用于设置P面焊线电极的部分，并露出部分所述表面粗化层。 进一步地，所述在C元素重掺杂GaP层上进行表面粗化的过程中，使用的粗化液包括氢氧化钠、氢氧化钾、磷酸铵、过氧化氢、次氯酸钠中的1-5种。 本专利技术实施例提供的技术方案的有益效果是: 通过采用高透过率导电膜氧化铟锡代替Au/AuBe/Au做P型欧姆接触层，P面焊线电极采用以金属Al为主的电极，可以极大地减少芯片制作过程中的黄金消耗，有效地大幅降低成本。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1是常规发光二极管的结构图； 图2是本专利技术实施例1提供的一种发光二极管的结构图； 图3是本专利技术实施例1提供的一种发光二极管的结构图； 图4是本专利技术实施例1提供的一种发光二极管的结构图； 图5是本专利技术实施例2提供的一种发光二极管的制备方法流程图； 图6是本专利技术实施例3提供的一种发光二极管的制备方法流程图； 图7是本专利技术实施例4提供的一种发光二极管的制备方法流程图。 【具体实施方式】 为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。 如图1所示，为传统的红黄光四元发光二极管芯片结构，这种二极管芯片包括依次层叠的P面焊线电极la、p型欧姆接触层lb、GaP窗口层2、上限制层3、有源层4、下限制层5、布拉格反射镜6、缓冲层7、衬底8、η型欧姆接触电极9。 实施例1 参见图2，本专利技术实施例提供了一种发光二极管，包括依次层叠的衬底11、缓冲层12、分布布拉格反射镜13、η型限制层14、有源层15、ρ型限制层16、GaP窗口层17、P型欧姆接触层18，衬底11的与缓冲层12相反的一面上设置有η型欧姆接触电极10，ρ型欧姆接触层18的与GaP窗口层17相反的一面上设置有ρ面焊线电极19，GaP窗口层17与ρ型欧姆接触层18之间层叠有C元素重掺杂GaP层20，ρ型欧姆接触层18为氧化铟锡膜，ρ面焊线电极19为Al电极。 具体地，本实施例中衬底11可以选用GaAs基板，缓冲层12可以采用GaAs，分布布拉格反射镜13可以采用AlInP/AlGaInP，n型限制层可以采用η_Α1ΙηΡ，有源层可以采用AlGaInP, ρ型限制层可以采用ρ_Α1ΙηΡ，容易知道，本实施例中发光二极管各层材料的选用仅为举例，并不作为对本专利技术的限制；C元素重掺杂GaP层20是通过在GaP窗口层17的最表面采用C元素进行ρ型重掺杂形成，能够与透明导电膜氧化铟锡形成良好的欧姆接触，成型的发光二极管具有良好的电流扩展能力，同时可将界面反射率降到最低来形成增透作用，极大提高了外量子效率，经试验发光二极管芯片的裸芯亮度能够提高10-20% ;p面焊线电极采用Al电极，同时下文提到的η型欧姆接触电极采用含金属Ge的但不带Au的金属材料代替Au/AuGe/Au，经测定可以减少芯片制程中的黄金消耗本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管，包括依次层叠的衬底、缓冲层、分布布拉格反射镜、n型限制层、有源层、p型限制层、GaP窗口层、p型欧姆接触层，所述衬底的与所述缓冲层相对的一面上设置有n型欧姆接触电极，所述p型欧姆接触层的与所述GaP窗口层相反的一面上设置有p面焊线电极，其特征在于，所述GaP窗口层与所述p型欧姆接触层之间层叠有C元素重掺杂GaP层，所述p型欧姆接触层为氧化铟锡膜，所述p面焊线电极为Al电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：薛蕾，肖千宇，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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