本发明专利技术公开一种掩膜版、利用其形成的隔垫物及利用其制备隔垫物的方法,涉及液晶显示装置制作中的曝光工艺技术领域,解决了在保证柱状隔垫物顶端尺寸的同时,减小底端尺寸以满足高分辨率的TFT-LCD设计要求的问题。本发明专利技术提供的所述掩膜版,包括掩膜版基板,所述掩膜版基板上设有透光区域和遮光区域;所述透光区域处设有菲涅耳波带片,所述菲涅尔波带片用于在玻璃基板上形成圆柱状隔垫物和/或倒锥状隔垫物。本发明专利技术主要用于液晶显示装置的生产中。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种,涉及液晶显示装置制作中的曝光工艺
,解决了在保证柱状隔垫物顶端尺寸的同时,减小底端尺寸以满足高分辨率的TFT-LCD设计要求的问题。本专利技术提供的所述掩膜版,包括掩膜版基板,所述掩膜版基板上设有透光区域和遮光区域;所述透光区域处设有菲涅耳波带片,所述菲涅尔波带片用于在玻璃基板上形成圆柱状隔垫物和/或倒锥状隔垫物。本专利技术主要用于液晶显示装置的生产中。【专利说明】
本专利技术涉及液晶显示装置制作中的曝光工艺
,尤其涉及一种掩膜版、利 用其形成的隔垫物及利用其制备隔垫物的方法。
技术介绍
目前,TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,薄膜晶体管液 晶显示器)作为具有高显示效果、低能耗的显示装置,备受人们的青睐。 其中,TFT-LCD面板主要由彩膜基板和阵列基板以及填充于两个玻璃基板(彩膜 基板、阵列基板)之间的液晶层构成,再以电压控制液晶产生点、线、面并配合背部灯管构 成画面。为了保证液晶层厚度的均一稳定性,通常在两个基板之间通过隔垫物隔离出注入 液晶的空间,其中,可以利用掩膜版对光刻胶进行曝光、显影、刻蚀等工序形成隔垫物。具体 地,现有技术中的掩膜版通常在其上设有开孔,以在开孔处形成曝光区。在通过现有的掩膜 版形成隔垫物的过程如下:首先,在玻璃基板(通常为阵列基板)上涂敷一层用于形成隔 垫物的光刻胶;然后,通过现有的掩膜版对光刻胶进行曝光、显影,从而形成顶端尺寸小、底 端尺寸大的柱状隔垫物。这其中,由于隔垫物为非显示结构件,因此需要通过黑矩阵进行覆 盖。 随着科学技术的发展,TFT-LCD的分辨率越来越高,同时,由于高分辨率的 TFT-IXD的黑矩阵尺寸较小,可供放置柱状隔垫物的位置较小,因此需要使坚向接触面积尽 量小,即柱状隔垫物的底端尺寸小。然而,使用现有的掩膜版形成的隔垫物顶底端尺寸较 大,则黑矩阵的占用范围较大,导致高分辨率的显示器实现较困难。
技术实现思路
本专利技术提供一种,解决 了在保证柱状隔垫物顶端尺寸的同时,减小底端尺寸以满足高分辨率的TFT-LCD设计要求 的问题。 为达到上述目的,本专利技术采用如下技术方案: -种掩膜版,包括掩膜版基板,所述掩膜版基板上设有透光区域和遮光区域;所述 透光区域处设有菲涅耳波带片,所述菲涅尔波带片用于在玻璃基板上形成圆柱状隔垫物和 /或倒锥状隔垫物。 其中,所述菲涅尔波带片的横截面为圆形,由一系列同心圆环状带区构成;所述菲 涅尔波带片的中心为圆形带;沿径向向外方向,所述菲涅尔波带片上依次设有多个圆环状 的明带和暗带;所述明带为透光带,所述暗带为不透光带;多个所述明带和暗带交替设置。 具体地,所述圆形带为暗带;或,所述圆形带为明带。 实际应用时,所述圆形带、明带和暗带均为所述菲涅尔波带片的波带级数,且所述 圆形带为一级;所述菲涅尔波带片的波带级数为3-13。 其中,所述菲涅尔波带片的半径为R、所述菲涅尔波带片的主焦距为f、所述菲涅 尔波带片的波带级数总数为m;照射到所述菲涅尔波带片的入射光为单一的平行光,且入 射光的波长为λ;根据关系式f=R*R/mA得到所述主焦距f的数值。 具体地,所述掩膜版与玻璃基板之间的距离小于所述主焦距f时,通过所述掩膜 版能够在所述玻璃基板上形成倒锥状隔垫物;所述掩膜版与玻璃基板之间的距离等于所述 主焦距f时,通过所述掩膜版能够在所述玻璃基板上形成圆柱状隔垫物;所述掩膜版与玻 璃基板之间的距离大于所述主焦距f时,通过所述掩膜版能够在所述玻璃基板上形成正锥 状隔垫物。 实际应用时,所述菲涅尔波带片的横截面为圆形,且为包括内波带片和外波带片 的复合式菲涅尔波带片;所述内波带片位于所述外波带片的中心处,且为所述外波带片的 圆形带。 其中,所述内波带片的波带级数为11,所述外波带片的波带级数为3。 一种隔垫物,使用上述所述的掩膜版形成。 一种制备隔垫物的方法,使用了上述所述的掩膜版,包括:步骤1、在基板上涂覆 光刻胶层;步骤2、使用所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光、显影,在所述基板上形成隔 垫物。 本专利技术实施例提供的一种掩膜版中,包括设有透光区域和遮光区域的掩膜基板, 其中,透光区域处设有用于在玻璃基板上形成圆柱状隔垫物和倒锥状隔垫物的菲涅尔波带 片。由此分析可知,设有菲涅尔波带片的掩膜版可以利用其聚光作用,产生极大地光强,并 对光刻胶进行曝光、显影、刻蚀等工序,同时利用光刻胶与掩膜版之间的距离(例如光刻胶 位于掩膜版的主焦距处或光刻胶位于掩膜版的主焦距内),在玻璃基板及黑矩阵上形成圆 柱状隔垫物和倒锥状隔垫物。从而在保证柱状隔垫物顶端尺寸的同时,减小了底端尺寸,即 形成顶端与底端尺寸一致的圆柱状隔垫物和/或底端尺寸小于顶端尺寸的倒锥状隔垫物, 以满足高分辨率的TFT-IXD设计要求。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术实施例提供的一种掩膜板的结构示意图; 图2为本专利技术实施例提供的一种掩膜板中菲涅尔波带片的结构示意图; 图3为本专利技术实施例提供的一种掩膜板形成隔垫物的原理图; 图4为本专利技术实施例提供的另一种掩膜板的结构示意图; 图5为本专利技术实施例提供的再一种掩膜板的结构示意图; 图6为本专利技术实施例提供的一种特殊形状的隔垫物; 图7为本专利技术一种制备隔垫物的方法的流程图; 图8a_图8b为本专利技术一种制备隔垫物的方法的流程所对应结构的示意图。 图中,3为掩膜版,4为菲涅尔波带片、4a为负菲涅尔波带片、4b为正菲涅尔波带 片、4'为复合式菲涅尔波带片、41为圆形带、42为明带、43为暗带、44为内波带片、45为外 波带片;5为(玻璃)基板;6为光刻胶(层)、61为圆柱状隔垫物、62为倒锥状隔垫物、63 为正锥状隔垫物、64为中间高、四周低的特殊形状隔垫物、641为圆环柱状、642为圆柱状凸 起;P为主焦点、pi(p2、p3)为次焦点。 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术实施例的一种掩膜版进行详细描述。 本专利技术实施例提供的一种掩膜版,如图1和图3所示,包括掩膜版基板,掩膜版基 板上设有透光区域和遮光区域;透光区域处设有菲涅耳波带片4 (4b),菲涅尔波带片4用于 在玻璃基板5上形成圆柱状隔垫物61和/或倒锥状隔垫物62。 本专利技术实施例提供的一种掩膜版中,包括设有透光区域和遮光区域的掩膜基板, 其中,透光区域处设有用于在玻璃基板上形成圆柱状隔垫物和倒锥状隔垫物的菲涅尔波带 片。由此分析可知,设有菲涅尔波带片的掩膜版可以利用其聚光作用,产生极大地光强,并 对光刻胶进行曝光、显影、刻蚀等工序,同时利用光刻胶与掩膜版之间的距离(例如光刻胶 位于掩膜版的主焦距处或光刻胶位于掩膜版的主焦距内),在玻璃基板及黑矩阵上形成圆 柱状隔垫物和倒锥状隔垫物。从而在保证柱状隔垫物顶端尺寸的同时,减小了底端尺寸,即 形成顶端与底端尺寸一致的圆柱状隔垫物和/或底端尺寸小于顶端尺寸的倒锥状隔垫物, 以满足高分辨率的TFT-IXD设计要求。 本专利技术实施例提供的掩膜版,设有菲涅尔波带片,不仅可以制作圆柱状隔垫物、倒 锥形隔垫物,还本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种掩膜版,其特征在于,包括掩膜版基板,所述掩膜版基板上设有透光区域和遮光区域;所述透光区域处设有菲涅耳波带片,所述菲涅尔波带片用于在玻璃基板上形成圆柱状隔垫物和/或倒锥状隔垫物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张洪术,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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