一种提高剥离工艺成品率的方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种提高剥离工艺成品率的方法，包括在基底上涂覆光刻胶；对涂覆在所述基底上的所述光刻胶进行曝光，在所述光刻胶上显影出负斜角的图形；在显影后所述基底上保留的所述光刻胶和显影出负斜角的图形后暴露出的所述基底的表面淀积金属层；在所述金属层上覆盖粘贴膜；沿预设方向揭开所述粘贴膜的方式去除所述光刻胶的表面附着的金属层；将所述光刻胶除去。本发明专利技术所提供的提高剥离工艺成品率的方法可以简单有效地去除光刻胶表面的金属层，成品率得到显著提高。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例公开了，包括在基底上涂覆光刻胶；对涂覆在所述基底上的所述光刻胶进行曝光，在所述光刻胶上显影出负斜角的图形；在显影后所述基底上保留的所述光刻胶和显影出负斜角的图形后暴露出的所述基底的表面淀积金属层；在所述金属层上覆盖粘贴膜；沿预设方向揭开所述粘贴膜的方式去除所述光刻胶的表面附着的金属层；将所述光刻胶除去。本专利技术所提供的提高剥离工艺成品率的方法可以简单有效地去除光刻胶表面的金属层，成品率得到显著提高。【专利说明】
本专利技术涉及光刻工艺领域，特别是涉及。
技术介绍
随着半导体技术的进步，与其相应的产品工艺也在不断发展，剥离工艺就是其中一种重要的光刻工艺技术。 光刻是加工制造集成电路图形结构以及微结构的关键工艺之一。所谓光刻就是利用光敏的抗蚀涂层发生光化学反应，结合腐蚀方法在各种薄膜或硅上制备出合乎要求的图形，以实现制作各种电路元件、选择掺杂、形成金属电极和布线等目的。 光刻工艺中所用的光刻胶又叫做光致抗蚀剂，是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合制成的胶状液体，当受到特定波长的光线作用后，其化学结构发生变化，致使光刻胶在特定的溶液中能够溶解。 在光刻工艺中，一种代替刻蚀方法的工艺即是剥离工艺，也就是我们说的Lift-off。在剥离工艺中，首先要形成光刻图形，然后沉积薄膜，最后用化学试剂去除光刻胶，此时连同不需要的薄膜会一同除去。 然而，在上述剥离工艺中，如果基底表面有台阶，在台阶较大区域制作负斜角，那么在台阶区域光刻胶厚会偏薄，在曝光过程中偏薄的光刻胶区域就会过曝光，导致显影后斜角变小；其次，台阶区域曝光时台阶部分漫反射比平面大，也会造成显影后负斜角变小。这样会造成金属淀积后在光刻胶侧面形成薄层金属连接，在浸泡去除光刻胶时由于浸泡液不能与光刻胶接触发生反应，就会造成金属去除不干净的问题，从而降低了剥离工艺产品的成品率。 因此，如何确保浸泡液能够与光刻胶接触发生反应，干净的去除光刻胶，从而有效地解决金属残留问题，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，可以有效解决光刻胶表面金属残留问题，从而使工艺的成品率得到显著提高。 为解决上述技术问题，本专利技术提供了如下技术方案: ，包括在基底上涂覆光刻胶；对涂覆在所述基底上的光刻胶进行曝光，在所述光刻胶上显影出负斜角的图形；在显影后所述基底上保留的光刻胶和显影出负斜角的图形后暴露出的基底的表面淀积金属层；在所述金属层上覆盖粘贴膜；沿预设方向揭开所述粘贴膜的方式去除所述光刻胶的表面附着的金属层；将所述光刻月父除去。 优选地，在位于所述光刻胶侧面的金属层上覆盖粘贴膜。 优选地，在淀积的所有所述金属层上覆盖粘贴膜。 优选地，所述沿预设方向揭开所述粘贴膜包括:沿一个方向揭开所述粘贴膜。 优选地，所述沿预设方向揭开所述粘贴膜包括:从边缘向中间揭开所述粘贴膜。 优选地，所述粘贴膜为兰膜。 优选地，所述兰膜为电子级的兰膜。 优选地，所述基底为有台阶的基底。 优选地，所述光刻胶厚度是金属层厚度的2-3倍，包括端点值。 与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点: 本专利技术实施例所提供的提高剥离工艺成品率的方法，在金属层上覆盖粘贴膜，并沿预设方向揭开粘贴膜以粘贴去除光刻胶表面的金属层，由于粘贴膜质软并且粘贴去除光刻胶表面的金属层时力度适中，所以采用粘贴膜来去除光刻胶表面的金属。此外，沿预设方向揭开粘贴膜，基底和金属层受力方向固定，受力也就比较稳定，因而，在有效去除光刻胶表面的金属层时，不会因为基底易碎而对基底造成损坏。光刻胶表面的金属层去除时，光刻胶暴露的面积不断增加，在浸泡去除光刻胶时光刻胶与浸泡液的有效接触面积也就越大，光刻胶和浸泡液的反应也就越充分，光刻胶反应完全，其表面附着的残留金属也就会被干净的去除掉，剥离工艺的成品率因而得到提高。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本专利技术一种【具体实施方式】所提供的剥离工艺流程图； 图2为本专利技术一种【具体实施方式】所提供的光刻胶和基底的表面淀积金属层后的效果不意图； 图3为本专利技术一种【具体实施方式】所提供的揭开光刻胶的侧面粘贴膜的效果示意图； 图4为本专利技术一种【具体实施方式】所提供的揭开淀积的所有金属层上的粘贴膜的效果不意图； 图5为本专利技术一种【具体实施方式】所提供的去除光刻胶后的效果示意图。 【具体实施方式】 正如
技术介绍
部分所述，目前的剥离工艺中，尤其是基底表面有台阶时，光刻胶表面金属去除不干净，降低了剥离工艺成品率。专利技术人研究发现，金属淀积后在光刻胶侧面形成薄层金属连接，会影响浸泡液和光刻胶接触反应，使得有金属残留，从而使剥离工艺成品率降低。 基于上述研究的基础上，本专利技术实施例提供了一种提闻剥尚工艺成品率的方法，该方法包括:在基底上涂覆光刻胶；对涂覆在基底上的光刻胶进行曝光，在光刻胶上显影出负斜角的图形；在显影后基底上保留的光刻胶和显影出负斜角的图形后暴露出的基底的表面淀积金属层；在金属层上覆盖粘贴膜；沿预设方向揭开粘贴膜的方式去除光刻胶的表面附着的金属层；将所述光刻胶除去。 本专利技术实施例所提供的方案，简单有效地去除了光刻胶表面的金属层，使得浸泡液和光刻胶能充分反应，提高了剥离工艺成品率。 为了使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。 在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。 请参考图1、图2和图5，图1为本专利技术一种【具体实施方式】所提供的剥离工艺流程图；图2为本专利技术一种【具体实施方式】所提供的光刻胶和基底的表面淀积金属层后的效果示意图；图5为本专利技术一种【具体实施方式】所提供的去除光刻胶后的效果示意图。 在本专利技术的第一实施例中，以对有台阶的基底运用提高剥离工艺成品率的方法为例，对本专利技术实施例所提供的提高剥离工艺成品率的方法进行描述。如图1所示，本专利技术实施例所提供的提高剥离工艺成品率的方法包括: 步骤110:在基底200上涂覆光刻胶。如图2所示，所述基底200 —般指硅片等芯片，在涂覆光刻胶前要对基底200进行清洗和烘干，保证基底200表面无灰尘、油脂、水等物质，以保证粘附性和光刻质量，然后在基底200表面涂覆一层粘附性好，厚度适中，厚薄均匀的光刻胶。 步骤120:对涂覆在基底200上的光刻胶进行曝光，在光刻胶上显影出负斜角的图形。所谓的曝光就是指对光刻胶进行选择性光化学反应，使光刻胶改变在显影液中的溶解性。所谓的显影就是溶解掉曝光后不需要的光刻胶，显影通常使用显影液溶解光刻胶，特殊情况下会采用超声显影等方式进行显影。显影出的负斜角的图形就是成品所需要的图形。 步骤130:在显影后基底200上剩余的光刻胶22本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高剥离工艺成品率的方法，其特征在于，包括：在基底上涂覆光刻胶；对涂覆在所述基底上的光刻胶进行曝光，在所述光刻胶上显影出负斜角的图形；在显影后所述基底上保留的光刻胶和显影出负斜角的图形后暴露出的基底的表面淀积金属层；在所述金属层上覆盖粘贴膜；沿预设方向揭开所述粘贴膜的方式去除所述光刻胶的表面附着的金属层；将所述光刻胶除去。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐利辉，李朝阳，
申请(专利权)人：四川飞阳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51