本发明专利技术提供一种顶发射白光OLED器件及其制备方法、显示装置，该OLED器件包括位于基板上的多个像素单元，每一像素单元在远离所述基板方向上包括依次设置的第一电极层、有机层和第二电极层，其中，每一所述像素单元内的所述有机层具有渐变的腔长，所述渐变的腔长分别对应从红光到蓝光波长范围，使得所述像素单元对应的白光增强。采用本发明专利技术的方案，可以提高顶发射白光OLED器件的出光效果，在较大的观察视角时不会发生明显的强度下降和光色变化。
【技术实现步骤摘要】
—种顶发射白光01^0器件及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及有机电致发光器件(01'职111(3010(16，以下简称:0120)显示
，尤其涉及一种顶发射白光0120器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
01^0因具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点，而被称之为第三代梦幻显示技术。目前，在全球厂商持续资金投入与技术研发的推动下，0120平板显示技术正趋向于量产技术日益成熟与市场需求高速增长阶段。 0120按照出光方向主要分为两种，即:底发射0120和顶发射0120。底发射0120是指光从基板方向射出的0120，顶发射0120是指光从器件顶部方向射出的0120。其中，顶发射01^0因不受基板是否透光的影响，可有效提高显示面板的开口率，拓展了基板上丁?丁电路的设计，丰富了电极材料的选择，有利于器件与电路的集成。 虽然顶发射01^0具有可以提高器件效率、窄化光谱和提高色纯度等优点，但是其往往具有较强的微腔效应。微腔效应会使01^0的电致发光光谱随观测角度变化而改变，在大视角时效率明显下降，即导致0120出现观测角度依赖性问题。而这些问题对于高精度的平板显不而目是很大的缺点。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种顶发射白光0120器件及其制备方法、显示装置，以解决现有的顶发射白光0120器件由于微腔效应而造成随观察角度变化出光效果差的问题。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种顶发射白光0120器件，包括: 位于基板上的多个像素单元，每一所述像素单元包括沿远离所述基板方向上依次设置的第一电极层、有机层和第二电极层，每一所述像素单元内的所述有机层具有渐变的腔长，所述渐变的腔长分别对应从红光到蓝光波长范围，使得所述像素单元对应的白光增强。 优选地，所述第一电极层朝向所述有机层的界面具有周期性起伏状结构。 优选地，所述周期性起伏状结构为点阵结构，所述点阵结构包括多个连续设置的凸点，或者包括多个间隔设置的凸点和凹坑。 优选地，所述凸点的谷峰高度位于可见光波长变化对应的光学腔长的差值范围内，所述凸点的谷峰间隔长度小于或等于所述像素单元的宽度。 优选地，所述凸点的谷峰高度在20-150纳米范围内，所述凸点的谷峰间隔长度在1-10微米范围内。 优选地，所述凸点为半球状或类半球状凸点，所述凹坑为半球状或类半球状凹坑。 优选地，所述顶发射白光01^0器件还包括:树脂层，位于所述第一电极层之下，所述树脂层朝向所述第一电极层的界面具有与所述第一电极层相同的周期性起伏状结构。 优选地，所述有机层至少部分或全部填平所述第一电极层的周期性起伏状结构，以使所述像素单元内的所述有机层具有渐变的腔长。 优选地，所述第一电极层为反射电极，所述第二电极层为半透明半反射电极。 本专利技术还提供一种顶发射白光0120器件的制备方法，包括在基板上形成多个像素单元的步骤，其中，每一所述像素单元沿远离所述基板方向上依序包括第一电极层、有机层及第二电极层，每一所述像素单元内的所述有机层具有渐变的腔长，所述渐变的腔长分别对应从红光到蓝光波长范围，使得所述像素单元对应的白光增强。 优选地,所述方法具体包括: 在基板上形成树脂层，所述树脂层的表面为点阵结构，所述点阵结构包括多个连续设置的凸点，或者包括多个间隔设置的凸点与凹坑； 在所述树脂层上形成第一电极层，所述第一电极层的表面为与所述树脂层相同的点阵结构； 在所述第一电极层上形成有机层，所述有机层能够至少部分或全部填平所述第一电极层的起伏表面； [0021〕 在所述有机层上形成第二电极层。 优选地，所述在基板上形成树脂层的步骤包括: 将形成树脂的前体墨水采用打印方式涂覆到基板上，形成均匀的液滴点阵，然后除去所述液滴点阵中的溶剂并交联聚合，固化后形成具有点阵结构的所述树脂层。 优选地，所述在基板上形成树脂层的步骤包括: 采取涂覆的方式在基板上形成树脂薄膜； 利用光罩掩膜的方式对所述树脂薄膜进行曝光显影，形成具有点阵结构的树脂层。 本专利技术还提供一种显示装置，包括上述顶发射白光0120器件。 本专利技术的上述技术方案的有益效果如下: 顶发射白光0120器件中，一像素单元内的有机层具有渐变的腔长，该渐变的腔长分别对应从红光到蓝光波长范围，使有机层的不同位置对应不同的微腔增强腔长，从而使得所述像素单元可以得到增强的白光发射。 【附图说明】 图1为现有的顶发射白光01^0器件的结构示意图； 图2为本专利技术实施例一的顶发射白光00?器件的结构不意图； 图3为图2中的顶发射白光01^0器件的增强出光原理示意图； 图4为本专利技术实施例二的顶发射白光01^0器件的结构示意图； 图5为本专利技术实施例的树脂层顶部的俯视图； 图6为本专利技术实施例的树脂层的剖面图； 图7为图4中的顶发射白光0120器件的增强出光原理示意图； 图8为本专利技术实施例三的顶发射白光0120器件的结构示意图； 图9为本专利技术实施例四的顶发射白光01^0器件的结构示意图。 【具体实施方式】 为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。 请参考图1，图1为现有的顶发射白光况即器件的结构示意图，该况即器件包括:玻璃基板101，功能层和平坦化层102，第一电极层103，有机层104，第二电极层105，以及像素定义层106。图中，箭头所指方向为光出射方向。 从图1中可以看出，一像素单元内的有机层104的腔长在不同位置上均是相同的，由于微腔效应，只有一种最佳波长的可见光得到增强出光，而其它波长的可见光则被过滤掉，这是导致较大的观察视角时，光强下降的原因。 为解决现有的顶发射白光0120器件由于微腔效应而造成随观察角度变化出光效果差的问题，本专利技术实施例提供一种顶发射白光0120器件，包括位于基板上的多个像素单元，每一所述像素单元包括沿远离所述基板方向上依次设置的第一电极层、有机层和第二电极层，每一所述像素单元内的所述有机层具有渐变的腔长(即厚度)，所述渐变的腔长分别对应从红光到蓝光波长范围，从而使得所述像素单元对应的白光增强。 本专利技术实施例中，由于一像素单元内的有机层具有渐变的腔长，该渐变的腔长分别对应从红光到蓝光波长范围，使有机层的不同位置对应不同的微腔增强腔长，从而使得所述像素单元可以得到增强的白光发射。 本专利技术实施例中，第一电极层为底电极，通常作为阳极，第二电极层为顶电极，通常作为阴极。所述第一电极层为反射电极，其材质可以为金、银、铝中的一种、或是它们的合金。第二电极层为半透明半反射的电极，其材质可以为金、银，或它们合金。 本专利技术实施例的顶发射白光01^0器件可以为多种结构。下面将举例进行说明。 实施例一 参见图2，图2为本专利技术实施例一的顶发射白光01^0器件的结构示意图，所述顶发射白光00?器件包括:基板200，形成于所述基板200上的第一电极层201，位于所述第一电极层201之上的有机层202，以及位于所述有机层202之上的第二电极层203，其中，所述第一电极层201朝向所述有机层202的界面为周期性起伏状结构。具体的该周期性起伏状结构为点阵结构，所述点阵结本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种顶发射白光OLED器件，包括位于基板上的多个像素单元，每一所述像素单元包括沿远离所述基板方向上依次设置的第一电极层、有机层和第二电极层，其特征在于，每一所述像素单元内的所述有机层具有渐变的腔长，所述渐变的腔长分别对应从红光到蓝光波长范围，使得所述像素单元对应的白光增强。
【技术特征摘要】
1.一种顶发射白光OLED器件，包括位于基板上的多个像素单元，每一所述像素单元包括沿远离所述基板方向上依次设置的第一电极层、有机层和第二电极层，其特征在于，每一所述像素单元内的所述有机层具有渐变的腔长，所述渐变的腔长分别对应从红光到蓝光波长范围，使得所述像素单元对应的白光增强。2.根据权利要求1所述的顶发射白光OLED器件，其特征在于，所述第一电极层朝向所述有机层的界面具有周期性起伏状结构。3.根据权利要求2所述的顶发射白光OLED器件，其特征在于，所述周期性起伏状结构为点阵结构，所述点阵结构包括多个连续设置的凸点，或者包括多个间隔设置的凸点和凹坑。4.根据权利要求3所述的顶发射白光OLED器件，其特征在于，所述凸点的谷峰高度位于可见光波长变化对应的光学腔长的差值范围内，所述凸点的谷峰间隔长度小于或等于所述像素单元的宽度。5.根据权利要求4所述的顶发射白光OLED器件，其特征在于，所述凸点的谷峰高度在20-150纳米范围内，所述凸点的谷峰间隔长度在1-10微米范围内。6.根据权利要求3所述的顶发射白光OLED器件，其特征在于，所述凸点为半球状或类半球状凸点，所述凹坑为半球状或类半球状凹坑。7.根据权利要求2所述的顶发射白光OLED器件，其特征在于，还包括:树脂层，位于所述第一电极层之下，所述树脂层朝向所述第一电极层的界面具有与所述第一电极层相同的周期性起伏状结构。8.根据权利要求2所述的顶发射白光OLED器件，其特征在于，所述有机层至少部分或全部填平所述第一电极层的周期性起伏状结构，以使所述像素单元内的所述有机层具有渐变的腔...
【专利技术属性】
技术研发人员：代青，刘则，孙力，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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