一种LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED芯片，包括电极组和半导体组件，所述半导体组件包括：衬底、第一半导体层、第一多量子阱层、第二半导体层、第二多量子阱层和与第一半导体层具有相同极性的第三半导体层；所述第一半导体层位于衬底和第一多量子阱层之间，所述第一多量子阱层位于第一半导体层和第二半导体层之间，所述第二多量子阱层位于第二半导体层和第三半导体层之间，所述电极组与第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层电连接。本实用新型专利技术通过在第二半导体层上依次设置第二多量子阱层和第三半导体层，使LED芯片具有两个P-N结结构，从而提升了LED芯片单位面积的出光量，提升了芯片的总发光亮度。

【技术实现步骤摘要】
—种1^0芯片
本技术涉及半导体领域，特别涉及一种120芯片。
技术介绍
[￡0英文全称是￡11111:1:1118 010(16，中文名称是发光二极管(台湾地区称为发光二极体),是把电能转换成光能的半导体光电器件，属光电半导体的一种。其中[￡0的发光部件是[￡0芯片。[￡0芯片也称为[￡0发光芯片，主要功能是将电能转化为光能，是[￡0灯的核心组件，其核心结构为结。120芯片主要由两部分组成，一部分是？型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一部分是~型半导体，在它里面电子占主导地位。这两种半导体连接起来形成一个结，当电流通过导线作用于这个结的时候，电子就会被推向电子和空穴复合区，在复合区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是120芯片发光的原理。 如图1所示，现有[￡0芯片主要由金属电极层10、？电极20、？型半导体30、圆胃(1111^11)16 011811^11111 1^118,多量子老井)多量子阱层40』型半导体50』电极60、衬底70和金属反射层80构成，[￡0芯片的各层结构除衬底70外，大部分是通过蒸镀的方式进行连接。衬底70用于固定~型半导体50和？型半导体30，肌!I多量子阱层40为电子空穴的复合层。金属电极层80用于与外界电极联通。 现有的[￡0芯片只有一个结进行发光，由于刚结的面积与[￡0芯片出光量成正比，要想提高[￡0芯片的亮度，只能增大结的面积，而增大结的面积不利于[￡0芯片的小型化，同时还增加了 [￡0芯片的物料成本和封装难度。 因而现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本技术的目的在于提供一种[￡0芯片，通过在现有[￡0芯片结构的基础上增加了一个结结构，来提升[￡0芯片的亮度。 为了达到上述目的，本技术采取了以下技术方案: 一种1^0芯片，包括电极组和半导体组件，所述半导体组件包括:衬底、第一半导体层、第一多量子阱层、第二半导体层，所述第一半导体层位于衬底和第一多量子阱层之间，所述第一多量子阱层位于第一半导体层和第二半导体层之间，所述半导体组件还包括第二多量子阱层和与第一半导体层具有相同极性的第三半导体层，所述第二多量子阱层位于第二半导体层和第三半导体层之间；所述电极组与第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层电连接。 所述的[￡0芯片中，所述电极组包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极设置于所述第一半导体层上，第二电极设置于所述第二半导体层上，第三电极设置于所述第三半导体层上。 所述的…!)芯片，还包括硅基板，所述半导体组件和电极组均设置于所述硅基板上，所述电极组通过硅基板与第二半导体层和第三半导体层电连接。 所述的[￡0芯片中，所述电极组包括第一电极和第二电极，所述第一电极通过硅基板与第三半导体层电连接，所述第二电极通过硅基板与第二半导体层电连接。 所述的120芯片中，所述第一半导体层和第三半导体层为？型半导体层，所述第二半导体层为~型半导体层。 所述的120芯片中，所述第一半导体层和第三半导体层为~型半导体层，所述第二半导体层为？型半导体层。 所述的[￡0芯片中，在所述衬底下方设置有用于反射1^0芯片底部光线的金属反射层。 所述的[￡0芯片中，所述第一电极和第三电极通过蚀刻的沟道导通，合并为一个相同极性的电极。 所述的[￡0芯片中，所述第一电极、第二电极和第三电极上镀有金属层。 所述的[￡0芯片中，所述第一半导体层、第一多量子阱层和第二半导体层构成第一结，所述第二半导体层、第二多量子阱层和第三半导体层构成第二结。 相较于现有技术，本技术提供的[￡0芯片，通过在第二半导体层上依次设置第二多量子阱层和第三半导体层，使120芯片具有两个结结构，从而提升了 1^0芯片单位面积的出光量，提升了芯片的总发光亮度。 【附图说明】 图1为现有技术的[￡0芯片结构图。 图2为本技术提供的1^0芯片的第一较佳实施例的结构图。 图3为本技术提供的[￡0芯片的第一较佳实施例的一种电子空穴迁移示意图。 图4为本技术提供的[￡0芯片的第一较佳实施例的另一种电子空穴迁移示意图。 图5为本技术提供的1^0芯片的第二较佳实施例的结构图。 【具体实施方式】 本技术提供一种[￡0芯片，通过增加了一个结结构，来提升[￡0芯片的亮度。 为使本技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。 请参阅图2，本技术提供的120芯片的第一较佳实施例，该第一较佳实施例提供的120芯片为正装结构，其包括电极组(图中未标出)和半导体组件(图中未标出),所述半导体组件包括衬底101、第一半导体层102、第一多量子阱层103、第二半导体层104、第二多量子阱层105和与第一半导体层102具有相同极性的第三半导体层106 ；所述第一半导体层102位于衬底101和第一多量子讲层103之间,所述第一多量子讲层103位于第一半导体层102和第二半导体层104之间，所述第二多量子阱层105位于第二半导体层104和第三半导体层106之间。本实施例中，所述金属反射层107为半导体组件的最底层，第三半导体层106为半导体组件的最顶层。所述电极组与第一半导体层102、第二半导体层104和第三半导体层106电连接。 其中，所述第一多量子阱层103和第二多量子阱层105为载流子复合层，又叫活性层；所述第一半导体层102、第一多量子阱层103和第二半导体层构104成第一结(图中未标出),所述第二半导体层104、第二多量子阱层105和第三半导体106层构成第二？4结(图中未标出),本技术通过两个结提高了 [即芯片的总发光亮度。 请继续参阅图2，所述电极组包括第一电极201、第二电极202和第三电极203，所述第一电极201设置于所述第一半导体层102上，第二电极202设置于所述第二半导体层104上，第三电极203设置于所述第三半导体层106上；所述第一电极201、第一半导体层102和第三半导体层106所用材料、极性均相同；所述第二电极202和第二半导体层104所用材料、极性相同。 所述的[￡0芯片中，所述第一半导体层102和第三半导体层106为？型半导体层，所述第二半导体层104为~型半导体层；其中，所述？型半导体层为掺有？型受主杂质的半导体层，所述~型半导体层为掺有~型施主杂质的半导体层。 请参阅图3，图中虚线箭头表示空穴的迁移方向，实线箭头表示电子的迁移方向，当第一电极201和第三电极203通电(第一电极201和第三电极203为[￡0芯片的正极)，第二电极202通电(第二电极202为[￡0芯片的负极)时，在电场的作用下，连接第一电极201的第一半导体层102中的空穴往第一多量子阱层103中迁移，连接第二电极202的第二半导体层104中的电子往第一多量子阱层103中迁移，大量空穴与电子在第一多量子阱层103中复合使第一多量子讲层103导电，从而使第一？4结导通并发光,与此同时，在电场的作用下，连接第二电极202的第二半导体层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，包括电极组和半导体组件，所述半导体组件包括：衬底、第一半导体层、第一多量子阱层、第二半导体层，所述第一半导体层位于衬底和第一多量子阱层之间，所述第一多量子阱层位于第一半导体层和第二半导体层之间，其特征在于，所述半导体组件还包括第二多量子阱层和与第一半导体层具有相同极性的第三半导体层，所述第二多量子阱层位于第二半导体层和第三半导体层之间；所述电极组与第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，包括电极组和半导体组件，所述半导体组件包括:衬底、第一半导体层、第一多量子阱层、第二半导体层，所述第一半导体层位于衬底和第一多量子阱层之间，所述第一多量子阱层位于第一半导体层和第二半导体层之间，其特征在于，所述半导体组件还包括第二多量子阱层和与第一半导体层具有相同极性的第三半导体层，所述第二多量子阱层位于第二半导体层和第三半导体层之间；所述电极组与第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层电连接。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电极组包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极设置于所述第一半导体层上，第二电极设置于所述第二半导体层上，第三电极设置于所述第三半导体层上。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括硅基板，所述半导体组件和电极组均设置于所述硅基板上，所述电极组通过硅基板与第二半导体层和第三半导体层电连接。4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述电极组包括第一电极和第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟长军，
申请(专利权)人：创维液晶器件深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44