发光器件、发光器件包装和光设备制造技术

根据本发明专利技术的发光器件包含：发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；反射电极，所述反射电极布置在所述发光结构下并具有在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸并穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及电连接到所述第一导电半导体层的电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件、发光器件包装和光设备
[0001 ] 本专利技术涉及一种发光器件、发光器件包装和光设备。
技术介绍
发光二极管(LED)已经被广泛用作发光器件中的一种。所述LED通过使用复合半导体的特性将电信号转化成光的形式如近红外光、紫外光和可见光。 随着发光器件光效率的提高，已经将LED用于各种领域如显示装置和照明电器中。
技术实现思路
技术问题 本专利技术提供一种能够在提高光强度的同时控制光的取向角的发光器件、发光器件包装和光设备。 技术方案 根据本专利技术的发光器件包括:发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；反射电极，所述反射电极设置在所述发光结构下并包括在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及电连接到所述第一导电半导体层的电极。 根据本专利技术的发光器件包装包括:主体；在所述主体上的发光器件；以及电连接到所述发光器件的第一引线电极和第二引线电极，其中所述发光器件包括:发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；反射电极，所述反射电极设置在所述发光结构下并包括在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及电连接到所述第一导电半导体层的电极。 根据本专利技术的光设备包括:基材；在所述基材上的发光器件；和光学构件，所述光学构件充当发射自所述发光器件的光的光学通道，其中所述发光器件包括:发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；反射电极，所述反射电极设置在所述发光结构下并包括在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及电连接到所述第一导电半导体层的电极。 有益效果 本专利技术的发光器件、发光器件包装和光设备具有能够调整取向角并改善光强度的优点。 【附图说明】 图1是显示根据本专利技术的发光器件的视图。 图2和3是显示应用于根据本专利技术的发光器件的反射电极和绝缘层的布置的视图。 图4?8是显示制造根据本专利技术的发光器件的方法的视图。 图9是显示改进的根据本专利技术的发光器件的视图。 图10是显示根据本专利技术的发光器件包装的视图。 图11是显示根据本专利技术的显示装置的视图。 图12是显示根据本专利技术的显示装置的另一个实例的视图。 图13?15是显示根据本专利技术的发光装置的视图。 图16和17是显示根据本专利技术的发光装置的另一个实例的视图。 【具体实施方式】 在本专利技术的说明书中，应理解，当指层(或膜)、区域、图案或结构在另一个基材、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个垫或另一个图案“上”或“下”时，其能够“直接”或“间接”地在其它基材、层(或膜)、区域、垫或图案上方，或还可存在一个或多个插入层。已经参考附图对所述层的这种位置进行了描述。 为了方便或清晰，示于附图中的各个层的厚度和尺寸可以放大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸不完全反应实际尺寸。 下文中，将参考附图对根据本专利技术的发光器件、发光器件包装、光设备和制造所述发光器件的方法进行详细说明。 图1是显示根据本专利技术的发光器件的视图。 如图1中所示，根据本专利技术的发光器件可以包括发光结构10、反射电极17和电极80。 发光结构10可以包括第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13。所述有源层12可以设置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间。有源层12可以设置在第一导电半导体层11之下，且第二导电半导体层13可以设置在有源层12之下。 例如，第一导电半导体层11可以包含掺杂有充当第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，且第二导电半导体层13可以包含掺杂有充当第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电半导体层11可以包含P型半导体层，且第二导电半导体层13可以包含N型半导体层。 例如，第一导电半导体层11可以包含N型半导体层。第一导电半导体层11可以通过使用复合半导体来实现。第一导电半导体层11可以通过使用II?VI族复合半导体、或III?V族复合半导体来实现。 例如，第一导电半导体层11可以通过使用具有组成式为InxAlyGa^N(O彡x彡1，O y 1,0 ^ x+y ( I)的半导体材料来实现。例如，第一导电导体层11可以包含掺杂有N型掺杂剂的选自如下物质中的一种:GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP，所述 N 型掺杂剂为例如 S1、Ge、Sn、Se 和 Te。 有源层12利用通过第一导电半导体层11注入的电子(或空穴)与通过第二导电半导体层13注入的空穴(或电子)的组合来发光，所述光的波长与构成有源层12的材料的能隙差相对应。有源层12可以具有如下结构中的一种:单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQff)结构、量子点结构和量子线结构，但本专利技术不限制于此。 有源层12可以通过使用复合半导体来实现。有源层12可以通过使用具有组成式为InxAlyGa^N(O彡x彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡I)的半导体材料来实现。当有源层12具有MQW结构时，有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个阻挡层来形成。例如，有源层12可以具有InGaN阱层/GaN阻挡层的循环。 例如，第二导电半导体层13可以包含P型半导体层。第二导电半导体层13可以通过使用复合半导体来实现。例如，第二导电半导体层13可以通过使用II?VI族复合半导体或II?V族复合半导体来实现。 例如，第二导电半导体层13可以通过使用具有组成式为InxAlyGa^N (O彡x彡1，O ^ y ^ I, O ^ x+y ( I)的半导体材料来实现。例如第二导电半导体层13可以包含掺杂有P型掺杂剂的选自如下物质中的一种:GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs、GaP、GaAs, GaAsP 和 AlGalnP，所述 P 型掺杂剂为例如 Mg、Zn、Ca、Sr 和 Ba。 同时，第一导电半导体层11可以包括P型半导体层且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。另外，包括N型或P型半导体层的半导体层可以另外设置在第二导电半导体层13之下。因此，第一发光结构10可以具有选自如下结构中的至少一种:NP结结构、PN结结构、NPN结结构或PNP结结构。另外，可以在均一或不均一的掺杂浓度下将杂质掺杂入第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中。换言之，第一发光结构10可以具有各种结构，且本专利技术不限制于此。 另外，在第一导电半导体层11与有源层12之间可以形成第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电半导体层13与有源层12之间形成第二导电AlGaN层。 反射电极17可以设置在发光结构10之下。反射电极17的第一区域1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，所述发光器件包含：发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；反射电极，所述反射电极布置在所述发光结构下，并包含在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸并穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及电连接到所述第一导电半导体层的电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.16 KR 10-2012-00517451.一种发光器件，所述发光器件包含: 发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层； 反射电极，所述反射电极布置在所述发光结构下，并包含在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸并穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及 电连接到所述第一导电半导体层的电极。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的最上面设置在所述第一导电半导体层中。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的第二区域以向上的方向对发射自所述有源层的光进行反射。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的第二区域包围所述有源层。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的第二区域包围所述第二导电半导体层。6.根据权利要求1所述的发光器件，还包含在所述反射电极的第二区域与所述第一导电半导体层之间的绝缘层。7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述绝缘层包含绝缘离子植入层。8.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述绝缘层设置在所述反射电极与所述有源层之间。9.根据权利要求1所述的发光器件，还包含在所述反射电极的第一区域与所述第二导电半导体层之间的欧姆接触层。10.根据权利要求1所述的发光器件，还包含与所述反射电极的第二区域接触的金属层，其中所述金属层的第一区域的位置高于所述有源层。11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述金属层的第二区域与所述第二导电半导体层的底面接触，且所述金属层的第三区域从所述金属层的第二区域向外延伸。12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述金属层的第三区域暴露于所述发光结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，金昭廷，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR