当前位置: 首页 > 专利查询>HOYA株式会社专利>正文

磁记录介质基板用玻璃及其利用制造技术

技术编号:10958475 阅读:84 留言:0更新日期:2015-01-26 00:40
本发明专利技术的一个方式涉及磁记录介质基板用玻璃,其中,作为必要成分包含SiO2、Li2O、Na2O、以及从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选择的一种以上的碱土类金属氧化物,MgO的含量相对于MgO、CaO、SrO及BaO的合计含量的摩尔比(MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO))为0.80以上,杨氏模量为80GPa以上,玻璃化转变温度为620℃以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁记录介质基板用玻璃及其利用
本专利技术涉及适合于作为硬盘等的磁记录介质的基板材料的磁记录介质基板用玻 璃、使用该玻璃的磁记录介质基板及其制造方法、为了得到该基板而能使用的磁记录介质 基板坯件(blank)、具备该基板的磁记录介质及其制造方法、以及具备该基板的磁记录装 置。
技术介绍
伴随着因特网等信息相关基础技术的进展,磁盘、光盘等信息记录介质的需求也 在快速地增加。计算机等的磁存储装置的主要构成要素是磁记录介质和磁记录再生用的磁 头。作为磁记录介质,已知有软盘和硬盘。其中,作为硬盘(磁盘)用的基板材料,例如有 铝基板、玻璃基板、陶瓷基板、碳基板等,在实用上,根据尺寸、用途而主要使用铝基板和玻 璃基板。在笔记本个人计算机用硬盘驱动器中,除了耐冲击性以外,伴随着磁记录介质的高 密度记录化对提高盘基板的表面平滑性的要求变得越来越严格,因此,用表面硬度、刚性差 的铝基板来应对是存在极限的。因此玻璃基板的开发成为当前主流(例如,参照文献1? 10)。 此外近年来,以谋求磁记录介质的更进一步的高密度记录化为目的,正在探讨研 究使用Fe - Pt类、Co - Pt类等的磁各向异性能高的磁性材料(高Ku磁性材料)(例如, 参照文献11)。虽然为了高记录密度化需要减小磁性粒子的粒径,但是另一方面,当粒径变 小时,由热涨落造成的磁特性的劣化会成为问题。因为高Ku磁性材料不易受到热涨落的影 响,所以期待会有助于高密度记录化。 文献1 :日本特表平9 一 507206号公报; 文献2 :日本特开2007-51064号公报; 文献3 :日本特开2001-294441号公报; 文献4 :日本特开2001-134925号公报; 文献5 :日本特开2001-348246号公报; 文献6 :日本特开2001-58843号公报; 文献7 :日本特开2006-327935号公报; 文献8 :日本特开2005-272212号公报; 文献9 :日本特开2004-43295号公报; 文献10 :日本特开2005-314159号公报; 文献11 :日本特开2004-362746号公报。
技术实现思路
但是,上述高Ku磁性材料为了实现高Ku而需要得到特定的晶体取向状态,因此, 需要高温下的成膜或在成膜后在高温下进行热处理。因而,为了形成由这些高Ku磁性材料 构成的磁记录层,要求玻璃基板具有能够承受上述高温处理的高耐热性,即,要求具有高的 玻璃化转变温度。 可是在盘状的磁记录介质中,一边使介质围绕中心轴进行高速旋转并且使磁头在 半径方向上移动,一边沿旋转方向进行数据的写入、读出。近年来,为了提高该写入速度和 读出速度,旋转数从5400rpm向着7200rpm进而lOOOOrpm的高速化的方向发展,但因为在 盘状的磁记录介质中预先根据距中心轴的距离而分配记录数据的位置,所以,当盘在旋转 中发生变形时,会发生磁头的位置偏移,正确的读取变得困难。因而,为了应对上述高速旋 转化,对于玻璃基板还要求具有在高速旋转时不会发生大的变形的高的刚性(杨氏模量)。 进而,通过使用具有高热膨胀系数的玻璃基板,可提高磁记录介质的记录再生的 可靠性。这是由于以下的理由。 装入有磁记录介质的HDD (硬盘驱动器)是用主轴电动机的主轴及夹钳压住磁记 录介质的中央部分而使其本身旋转的构造。因此,当磁记录介质基板与构成主轴部分的主 轴材料各自的热膨胀系数存在大的差异时,在使用时,相对于周围的温度变化主轴的热膨 胀/热收缩与磁记录介质基板的热膨胀/热收缩会产生偏差,其结果是发生磁记录介质变 形的现象。当产生这样的现象时,磁头不再能读出写入的信息,成为损害记录再生的可靠性 的原因。因此,为了提高磁记录介质的可靠性,对于玻璃基板要求具有与主轴材料(例如, 不锈钢等)同等程度的高的热膨胀系数。 除此之外,对于如近年来持续探讨研究的能量辅助方式的磁记录介质那样要求极 高的记录密度的磁记录介质用的玻璃基板,为了提高HDD的可靠性,要求优秀的耐冲击性。 作为其背景,第一,可举出磁头的上浮量(磁头与磁记录介质表面的间隙)的大幅 的降低(低上浮量化)。通过这样,因为磁头与介质的磁性层的距离靠近,所以变得能拾取 更小的磁性粒子的信号,因此,能达成高记录密度化。近年来,为了实现现有技术以上的低 上浮量化,在磁头搭载了被称为DHKDynamic Flying Height:动态飞行高度)的功能。这 是在磁头的记录再生元件部的附近设置极小的加热器等的加热部而只使元件部周围向介 质表面方向突出的功能。预见将来通过该功能,磁头的元件部与介质表面的间隙将变为极 小的不足2nm。因此,即使是一点点的冲击,磁头也会容易与介质表面碰撞。 第二,可举出介质的高速旋转化。由此,首先,与磁头碰撞时的冲击会变大。另外, 由于基板在外周部的弯曲会变大,因此,因一点点的冲击也易于与磁头碰撞。此外,在内周 部,由于利用主轴(spindle)及夹钳(clamp)对介质的紧固(固定)的影响,在外部的冲击 施加到HDD本身的情况下,基板破裂的可能性变高。 本专利技术的一个方式涉及一种磁记录介质基板用玻璃,其中, 作为必要成分包含Si02、Li20、Na20、以及从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选 择的一种以上的碱土类金属氧化物, MgO的含量相对于MgO、CaO、SrO及BaO的合计含量的摩尔比(MgO/ (Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))为 0· 80 以上, 杨氏模量为80GPa以上, 玻璃化转变温度为620°C以上。 本专利技术的另一个方式涉及一种磁记录介质基板用玻璃,其中, 作为必要成分包含Si02、Li20、Na20、以及从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选 择的一种以上的碱土类金属氧化物, CaO的含量相对于MgO、CaO、SrO及BaO的合计含量的摩尔比(CaO/ (MgO+CaO+SrO+BaO))为 0· 20 以下, 杨氏模量为80GPa以上, 玻璃化转变温度为620°C以上。 在一个方式中,上述的磁记录介质基板用玻璃在100?300°C中的平均线膨胀系 数为70X1(T 7/°C以上。 本专利技术的另一个方式涉及一种磁记录介质基板用玻璃,其中, 作为必要成分包含Si02、Li20、Na20、以及从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选 择的一种以上的碱土类金属氧化物, MgO的含量相对于MgO、CaO、SrO及BaO的合计含量的摩尔比(MgO/ (Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))为 0· 80 以上, 在100?300°C中的平均线膨胀系数为70X1(TV°C以上, 玻璃化转变温度为620°C以上。 本专利技术的另一个方式涉及一种磁记录介质基板用玻璃,其中, 作为必要成分包含Si02、Li20、Na20、以及从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选 择的一种以上的碱土类金属氧化物, CaO的含量相对于MgO、CaO、SrO及BaO的合计含量的摩尔比(CaO/ (Mg0+Ca0+Sr0+Ba0))为 0本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种磁记录介质基板用玻璃,其中,作为必要成分包含SiO2、Li2O、Na2O、以及从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选择的一种以上的碱土类金属氧化物,MgO的含量相对于MgO、CaO、SrO及BaO的合计含量的摩尔比(MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO))为0.80以上,杨氏模量为80GPa以上,玻璃化转变温度为620℃以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.16 US 61/647,6441. 一种磁记录介质基板用玻璃,其中, 作为必要成分包含Si02、Li20、Na20、以及从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选择的 一种以上的碱土类金属氧化物, MgO的含量相对于MgO、CaO、SrO及BaO的合计含量的摩尔比(MgO/ (MgO+CaO+SrO+BaO))为 0· 80 以上, 杨氏模量为80GPa以上, 玻璃化转变温度为620°C以上。2. -种磁记录介质基板用玻璃,其中, 作为必要成分包含Si02、Li20、Na20、以及从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选择的 一种以上的碱土类金属氧化物, CaO的含量相对于MgO、CaO、SrO及BaO的合计含量的摩尔比(CaO/ (MgO+CaO+SrO+BaO))为 0· 20 以下, 杨氏模量为80GPa以上, 玻璃化转变温度为620°C以上。3. 如权利要求1或2所述的磁记录介质基板用玻璃,其中,在100?300°C的平均线膨 胀系数为70X10_V°C以上。4. 一种磁记录介质基板用玻璃,其中, 作为必要成分包含Si02、Li20、Na20、以及从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选择的 一种以上的碱土类金属氧化物, MgO的含量相对于MgO、CaO、SrO及BaO的合计含量的摩尔比(MgO/ (MgO+CaO+SrO+BaO))为 0· 80 以上, 在100?300°C的平均线膨胀系数为70X1(TV°C以上, 玻璃化转变温度为620°C以上。5. -种磁记录介质基板用玻璃,其中, 作为必要成分包含Si02、Li20、Na20、以及从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选择的 一种以上的碱土类金属氧化物, CaO的含量相对于MgO、CaO、SrO及BaO的合计含量的摩尔比(CaO/ (MgO+CaO+SrO+BaO))为 0· 20 以下, 在100?300°C的平均线膨胀系数为70X1(TV°C以上, 玻璃化转变温度为620°C以上。6. 如权利要求4或5所述的磁记录介质基板用玻璃,其中,杨氏模量为80GPa以上。7. 如权利要求1?6中任一项所述的磁记录介质基板用玻璃,其中,比模量为30MNm/ kg以上。8. 如权利要求1?7中任一项所述的磁记录介质基板用玻璃,其中,其为化学强化用玻 3? 〇9. 一种磁记录介质基板,其中,由权利要求1?8中任一项所述的磁记录介质基板用玻 璃构成。10. -种磁记录介质基板,其中,对权利要求1?8中任一项所述的磁记录介质基板用 玻璃进行化学强化而成。11. 如权利要求9或10所述的磁记录介质基板,其中,由断裂韧性值为0. 9MPa ·πι1/2以 上的玻璃构成。12. 如权利要求10所述的磁记录介质基板,其中,其由如下化学强化玻璃构成,在该化 学强化玻璃中,在通过巴比涅法求出的与两个主表面垂直的假想截面中的应力分布中,拉 伸应力分布是凸形状,但是该凸形状不包含向压缩应力侧凹陷的凹部。13. 如权利要求10所述的磁记录介质基板,其中,其由如下化学强化玻璃构成,在该化 学强化玻璃中,通过巴比涅法求出的拉伸应力的平均值Tav与拉伸应力的最大值Tmax满足 下述式(1): Tav/Tmax >...

【专利技术属性】
技术研发人员:松本奈绪美桥本和明
申请(专利权)人:HOYA株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1