本发明专利技术提供了一种具有高放热性和高可靠性的保护膜的电子装置、光盘装置、显示装置和摄像装置。所述电子装置包括：电子元件；和包括氧化铝层和氧化硅的保护膜，所述氧化铝层覆盖所述电子元件，所述氧化硅散布在所述氧化铝层的表面上。
【技术实现步骤摘要】
电子装置、光盘装置、显示装置和摄像装置相关申请的交叉参考本申请要求享有于2013年7月16日提交的日本在先专利申请JP2013-147743的权益，其全部内容以引用的方式并入本文。
本公开涉及一种具有保护膜的电子装置、光盘装置、显示装置和摄像装置。
技术介绍
近年来，各种激光二极管元件(半导体发光元件)已广泛用作光盘记录和再现装置用的光源。近来，作为记录密度高的下一代高密度光盘用的光源，对使用诸如氮化镓(GaN)等II1-V族氮化物半导体的蓝紫色激光二极管元件的需求增大。 在这些激光二极管元件的共振器端面上形成由氧化物制成的保护膜以防止外部水分进入以及防止激光二极管元件的劣化和损坏。对于这种保护膜，使用了 Si02、SiN,AlO和AlN等(例如，参照日本未审查专利申请公开N0.2011-060932、2007-324193、2003-332032,2006-041403 和 2007-189097)。 在用于保护膜的上述材料中，S12耐水性优异。然而，由于S12热导率低，所以在激光二极管元件的操作过程中S12很难有效地放热。此外，与氧化物相比，诸如SiN和AlN等氮化物在成膜过程中的膜应力更可能增大，并且对于氮化物来说很难维持稳定的成膜条件。此外，在氮化饱和度不充分的情况下，氮化物可能吸收特定波长的光。此外，AlO的多结晶化可能由于外部水分或AlO中所含的水分而加速，从而引起膜的体积变化或诸如折射率等光学性能的变化。 因此，例如，如日本未审查专利申请公开N0.2011-060932中所述的，考虑了在覆盖共振器端面的AlO上进一步形成耐水性S12的方法。然而，在这种情况下，AlO中所含的水分没有释放到外部，并且水分局限在AlO内部；因此，很难消除由多结晶化导致的劣化发生的可能性。因此，期望一种热导率高并且不太可能被水分劣化的保护膜。
技术实现思路
希望提供一种具有高放热性和高可靠性的保护膜的电子装置、光盘装置、显示装置和摄像装置。 根据本公开的实施方案，提供了一种电子装置，包括:电子元件；和包括氧化铝层和氧化硅的保护膜，所述氧化铝层覆盖所述电子元件，所述氧化硅散布在所述氧化铝层的表面上。 根据本公开的实施方案，提供了一种光盘装置，包括:具有记录面的光盘；向所述光盘的记录面施加照射光的光源；检测来自所述光盘的记录面的反射光的光电探测器；和控制所述光盘、所述光源和所述光电探测器的操作的控制部，其中所述光源包括:具有被构造成发射所述照射光的共振器端面的半导体发光元件，和包括氧化铝层和氧化硅的保护膜，所述氧化铝层覆盖所述半导体发光元件的共振器端面，所述氧化硅散布在所述氧化铝层的表面上。 根据本公开的实施方案，提供了一种显示装置，包括:一对基板；夹在所述一对基板之间并按顺序包括第一电极、有机层和第二电极的有机发光元件；和包括氧化铝层和氧化硅的保护膜，所述氧化铝层覆盖所述有机发光元件的端部，所述氧化硅散布在所述氧化铝层的表面上 根据本公开的实施方案，提供了一种摄像装置，包括:摄像元件，所述摄像元件包括光接收部和集光部，所述光接收部包括光电转换元件，所述集光部被构造成将入射光聚集到所述光接收部上；和包括氧化铝层和氧化硅的保护膜，所述氧化铝层覆盖所述摄像元件，所述氧化硅散布在所述氧化铝层的表面上。 在根据本公开实施方案的电子装置、光盘装置、显示装置和摄像装置中，氧化硅散布在覆盖电子元件的氧化铝层的表面上；因此，在防止水分进入氧化铝层中的同时，使氧化铝层中所含的水分释放到外部。此外，氧化铝层的热导率高，并且有效地将热从散布氧化硅的地方之间的间隙放出到外部。 在根据本公开实施方案的电子装置、光盘装置、显示装置和摄像装置中，包括放热性高并且构造和性能劣化较少的保护膜；因此，可以长期稳定地提供高操作性能。 应当理解不论上述概括说明还是以下详细说明都是示例性的，并且其目的是用来提供对所请求保护的技术的进一步解释。 【附图说明】 所包含的附图是为了提供对本技术的进一步理解，其包含在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图与说明书一起示出实施方案并用来解释本技术的原理。 图1是示出包括根据本公开第一实施方案的半导体发光元件的发光装置的示意性构造的断面图。 图2是图1所示的发光装置的另一个断面图。 图3A是示出图1所示的半导体发光元件的制造过程的断面图。 图3B是示出图3A的后续过程的断面图。 图3C是示出图3B的后续过程的断面图。 图4是用来制造图1所示的半导体发光元件的ECR设备。 图5是根据本公开第二实施方案的光盘装置的示意图。 图6是示出图5所示的光盘装置中的光学拾取头的构造的示意图。 图7是根据本公开第三实施方案的显示装置的示意性断面图。 图8是根据本公开第四实施方案的摄像元件的示意性断面图。 图9是包括图8所示的摄像元件的摄像装置的示意图。 【具体实施方式】 下面将参照附图详细说明本公开的一些实施方案。需要指出的是，将按以下顺序进行说明。 1.第一实施方案 其中在半导体发光元件的共振器端面上设置保护膜的发光装置 2.第二实施方案 包括其中在半导体发光元件的共振器端面上设置保护膜的光源的光盘装置 3.第三实施方案 包括用保护膜覆盖的有机发光元件的显示装置 4.第四实施方案 用保护膜覆盖的摄像元件和包括该摄像元件的摄像装置 (第一实施方案) [发光装置的构造] 图1示出了包括根据本公开实施方案的半导体发光元件(激光二极管元件)10的发光装置的断面构造。图2示出发光装置的与图1所示的断面垂直的断面。更具体地，图1示出与半导体发光元件10的共振器端面平行的断面，图2示出沿着半导体发光元件10的共振器的纵向的断面。 例如，半导体发光元件10可以是通过在由GaN制成的基板11 (氮化物半导体基板)上生成II1-V族氮化物半导体层(以下被简单称作半导体层〃)20形成的元件。本文中，术语II1-V族氮化物半导体指的是含有Ga(镓)和N(氮)的氮化镓系化合物。含有Ga和N的氮化镓系化合物的例子可以包括GaN、AlGaN(氮化铝镓)和AlGaInN(氮化铝镓铟)。氮化镓系化合物必要时含有由诸如Si(硅)、Ge(锗)、0(氧)和Se(硒)等IV和VI族任意元素制成的η型杂质或者由诸如Mg(镁)、Ζη (锌)和C(碳)等II和IV族任意元素制成的P-型杂质。 半导体层20具有通过在基板11上按顺序层叠η型包覆层12、η型引导层13、活性层14、ρ型引导层15、ρ型包覆层16和ρ型接触层17构成的激光器构造(发光元件构造)。需要指出的是，在下文中，半导体层20的层叠方向被称作纵向(Ζ-轴向)，激光的发射方向被称作”轴向(Y-轴向)，与轴向和纵向垂直的方向被称作横向(X-轴向)。 例如,η型包覆层12可以由η型AlGaN制成,η型引导层13可以由η型GaN制成。例如，活性层14可以具有非掺杂的GaInN多重量子阱结构。例如，ρ型引导层15可以由ρ型GaN制成，ρ型包覆层16可以由AlGaN制成，ρ型接触层17可以由ρ型GaN制成。 此外,P型包覆层16的一部分和ρ型接触层17形成在轴向上延伸的带状脊部(突起部)18。与活性层1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子装置，包括：电子元件；和包括氧化铝层和氧化硅的保护膜，所述氧化铝层覆盖所述电子元件，所述氧化硅散布在所述氧化铝层的表面上。
【技术特征摘要】
2013.07.16 JP 2013-1477431.一种电子装置，包括: 电子兀件；和 包括氧化铝层和氧化硅的保护膜，所述氧化铝层覆盖所述电子元件，所述氧化硅散布在所述氧化铝层的表面上。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述保护膜还包括在所述电子元件和所述氧化铝层之间的中间层，所述中间层含有氮化铝。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述氧化硅在所述氧化铝层的表面上的分布密度为约5 X 116个/cm2以下。4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述氧化硅是S1x，其中0〈x( 2。5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述氧化硅通过向所述氧化铝层的表面上施加含有氧和硅的等离子体形成。6.根据权利要求1所述的电子装置，其中 所述电子元件是半导体发光元件，以及 所述保护膜作为最上层覆盖所述半导体发光元件的共振器端面。7.根据权利要求1所述的电子装置，其中 所述电子元件是有机发光元件，以及 所述保护膜覆盖所述有机发光元件的端面。8.根据权利要求1所述的电子装置，其中 所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡部义昭，河角孝行，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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