【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于光纤通信领 域。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，中国已经进入了光纤宽带和多业务融合的信息高速发 展时代。融合后的电信网、广电网和互联网可以承载多种信息化业务，为用户提供打电话、 上网和看电视等多种服务。这必将对运营商和企业数据中心机房的网络基础设施的高带宽 和灵活性提出了更高的要求，以便能够支持高性能连接，存储区域网络（SAN)、网络附加存 储（NAS)和高性能计算（比如云计算)等应用。因此，未来几年，数据中心将逐步成为40G乃 至100G以太网的天下。尤其是近年来云计算和物联网等概念的提出，以及VCSEL激光器在 多模光纤通信网络的应用，在数据中心和中心机房中多模光纤提出更多苛刻的要求，其中 光纤带宽的要求以及光纤的抗弯曲特性是最重要的两项参数。 2010年6月17日，IEEE 802. 3ba标准，8卩40/100G以太网标准获批，该标准支持 40Gb/s和100Gb/s速率下150米多模光纤传输和40公里单模光纤传输。该标准的正式发 布，必将加速40G和100G以太网的建设步伐。 0M3和0M4光纤为50 ii m芯径渐变折射率多模光纤，数值孔径为0. 200±0. 015。 0M3和0M4光纤的最小有效模式带宽EMB (Effective Mode Bandwidth)分别为2000MHz. km和4700MHz. km。0M3/0M4多模光纤在10Gb/s，40Gb/s和100Gb/s系统中的传输距离如下 表所示。可以看出，在中短距离的高速网络中，多模光纤能够很好的胜任。
【技术保护点】
一种大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法，其特征在于首先使用纯石英玻璃衬管作为芯棒基底管，使用PCVD或MCVD工艺进行掺杂沉积，所述的纯石英玻璃衬管外径为28～47mm，单边壁厚为1～4mm；掺杂沉积过程，在反应气体四氯化硅和氧气中，通入含氟的气体，进行氟掺杂，通入四氯化锗，进行锗掺杂，通过微波使衬管内的反应气体离子化变成等离子体，并最终以玻璃的形式沉积在衬管内壁，根据所述光纤波导结构的掺杂要求，通过改变混合气体中掺杂气体的流量，依次沉积内包层和芯层，形成Ge/F共掺的芯层、Ge/F共掺或掺F的第一内包层、及纯二氧化硅第二内包层的沉积衬管；沉积完成后，用电加热炉将沉积衬管加温熔缩成实心芯棒；将实心芯棒进行腐蚀处理；然后再使用纯石英玻璃衬管作为套管基底管，使用PCVD或MCVD工艺进行掺杂沉积，所述的纯石英玻璃衬管外径为45～65mm，单边壁厚为7～14mm；掺杂沉积过程，在反应气体四氯化硅和氧气中，通入含氟的气体，引入氟掺杂，通过微波使衬管内的反应气体离子化变成等离子体，并最终以玻璃的形式沉积在衬管内壁，根据所述光纤波导结构的掺杂要求，通过改变混合气体中掺杂气体的流量，沉积掺氟的...
【技术特征摘要】
1. 一种大尺寸弯曲不敏感多模光纤预制棒的制造方法，其特征在于 首先使用纯石英玻璃衬管作为芯棒基底管，使用PCVD或MCVD工艺进行掺杂沉积，所述 的纯石英玻璃衬管外径为28?47mm，单边壁厚为1?4mm ; 掺杂沉积过程，在反应气体四氯化硅和氧气中，通入含氟的气体，进行氟掺杂，通入四 氯化锗，进行锗掺杂，通过微波使衬管内的反应气体离子化变成等离子体，并最终以玻璃的 形式沉积在衬管内壁，根据所述光纤波导结构的掺杂要求，通过改变混合气体中掺杂气体 的流量，依次沉积内包层和芯层，形成Ge/F共掺的芯层、Ge/F共掺或掺F的第一内包层、及 纯二氧化硅第二内包层的沉积衬管； 沉积完成后，用电加热炉将沉积衬管加温熔缩成实心芯棒；将实心芯棒进行腐蚀处 理； 然后再使用纯石英玻璃衬管作为套管基底管，使用PCVD或MCVD工艺进行掺杂沉积，所 述的纯石英玻璃衬管外径为45?65mm，单边壁厚为7?14mm ; 掺杂沉积过程，在反应气体四氯化硅和氧气中，通入含氟的气体，引入氟掺杂，通过微 波使衬管内的反应气体离子化变成等离子体，并最终以玻璃的形式沉积在衬管内壁，根据 所述光纤波导结构的掺杂要求，通过改变混合气体中掺杂气体的流量，沉积掺氟的下陷包 层；沉积后成为外层为纯二氧化硅玻璃层、内层为F掺杂玻璃层的掺杂套管；掺杂套管壁厚 较原始衬管壁厚增加1?4mm ; 将掺杂套管进行清洗、腐蚀处理； 最后将实心芯棒套入掺杂套管，制成用于RIT工艺的光纤预制棒，掺杂套管的孔径与 实心芯棒外径的差值为0. 5?4_ ;或者将实心芯棒与掺杂套管组装后再次加温熔缩成实 心的光纤预制棒。2. 按权利要求1所述的大尺寸弯...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙胜亚，张磊，黄荣，王润涵，王瑞春，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。