光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法，在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，光栅的不透光的成分为金属，电路部分全部用金属覆盖。结构简单、精度高，芯片可以直接使用。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，光栅的不透光的成分为金属，电路部分全部用金属覆盖。结构简单、精度高，芯片可以直接使用。【专利说明】
本专利技术涉及一种光学指纹传感器芯片，尤其涉及一种。
技术介绍
如图1、图2所示，光学指纹传感器采用小孔成像的原理，需要在每个像素上做成光栅，从而满足小孔成像的条件。 现有技术中，都是需制作单独的光栅。结构复杂、精度低。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种结构简单、精度高的。 本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的: 本专利技术的光学指纹传感器芯片光栅，在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单兀对应开孔，电路部分被覆盖。 本专利技术的上述的光学指纹传感器芯片光栅的制作方法，包括步骤: A、在光学指纹传感器芯片感光单元加工完的晶圆上用CVD方法生成透明的二氧化硅膜； B、用溅射方法生成不透明的金属膜； C、用光刻方法露出需要透光的区域； D、经过干法刻蚀后将需要透光区域的金属刻蚀掉，在芯片上做出光栅； E、用CVD的方法在芯片的表面生成透明的保护膜。 由上述本专利技术提供的技术方案可以看出，本专利技术实施例提供的，由于直接在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，电路部分被覆盖，结构简单、精度高，芯片可以直接使用。 【专利附图】【附图说明】 图1为光学指纹传感器像素中光栅的结构示意图； 图2为小孔成像原理图； 图3-1为本专利技术实施例中感光单元加工完的晶圆示意图； 图3-2为本专利技术实施例中CVD方法生成透明的二氧化硅膜示意图； 图3-3为本专利技术实施例中SPUTTER溅射方法生成不透明的金属膜示意图； 图3-4为本专利技术实施例中PR光刻方法露出将需要透光的区域示意图； 图3-5为本专利技术实施例中经过干法刻蚀后将透光的区域打开，在芯片上做出光栅示意图； 图3-6为本专利技术实施例中CVD的方法在芯片的表面生成透明的保护膜示意图。 图中:1、物体(手指)，2、光栅单元，3、芯片的感光单元。 【具体实施方式】 下面将对本专利技术实施例作进一步地详细描述。 本专利技术的光学指纹传感器芯片光栅，其较佳的【具体实施方式】是: 在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，电路部分被覆盖。 所述光栅的不透光的成分为金属，所述电路部分全部用金属覆盖。 本专利技术的上述的光学指纹传感器芯片光栅的制作方法，其较佳的【具体实施方式】是: 包括步骤: A、在光学指纹传感器芯片感光单元加工完的晶圆上用CVD(化学气相沉积)方法生成透明的二氧化硅膜； B、用溅射方法生成不透明的金属膜； C、用光刻方法露出需要透光的区域； D、经过干法刻蚀后将需要透光区域的金属刻蚀掉，在芯片上做出光栅； E、用CVD的方法在芯片的表面生成透明的保护膜。 所述步骤E包括: 首先，用SPIN ON GLASS (自旋玻璃)方法制作透明的二氧化硅； 然后，用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)方法生成透明的氮氧化硅保护膜。 本专利技术为晶圆级光栅的生成方法，直接在晶圆(WAFER)上生成光栅，光栅的不透光的成分为金属，采用溅射和光刻的方法； 图像传感器的感光单元对应开孔，电路部分全部用金属覆盖。 具体实施例: 如图3 — I至图3 — 5所示，制作方法如下: 1.S12-CVD-透明的二氧化硅膜； 2.溅射的方法做金属； 3.光刻； 4.干刻的方法将感光区域对应的位置的金属刻蚀掉； 5.1 SOG保护膜一SPIN ON GLASS方法透明的二氧化硅； 5.2 PECVD方法生成的S10N，透明的氮氧化硅，保护膜防划伤，芯片可以直接使用。 以上所述，仅为本专利技术较佳的【具体实施方式】，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。【权利要求】1.一种光学指纹传感器芯片光栅，其特征在于，在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，电路部分被覆盖。2.根据权利要求1所述的光学指纹传感器芯片光栅，其特征在于，所述光栅的不透光的成分为金属，所述电路部分全部用金属覆盖。3.—种权利要求1或2所述的光学指纹传感器芯片光栅的制作方法，其特征在于，包括步骤: A、在光学指纹传感器芯片感光单元加工完的晶圆上用CVD方法生成透明的二氧化硅膜； B、用溅射方法生成不透明的金属膜； C、用光刻方法露出需要透光的区域； D、经过干法刻蚀后将需要透光区域的金属刻蚀掉，在芯片上做出光栅； E、用CVD的方法在芯片的表面生成透明的保护膜。4.根据权利要求3所述的光学指纹传感器芯片光栅的制作方法，其特征在于，所述步骤E包括: 首先，用SPIN ON GLASS方法制作透明的二氧化硅； 然后，用PECVD方法生成透明的氮氧化硅保护膜。【文档编号】G02B5/18GK104297830SQ201410589027【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年10月28日 优先权日:2014年10月28日 【专利技术者】冯建中 申请人:北京思比科微电子技术股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学指纹传感器芯片光栅，其特征在于，在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，电路部分被覆盖。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯建中，
申请(专利权)人：北京思比科微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11