发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置及其制造方法，即使是小型且薄型的发光装置，在发光元件向封装的搭载、发光装置向安装基板的安装中，也不会发生元件不良，可稳定且高精度地进行搭载或安装。本发明专利技术的发光装置具备：至少在第一主面上具备一对连接端子(3)的基体(4)；通过熔融性部件(6)与连接端子(3)连接的发光元件(5)；覆盖发光元件(5)的光反射性部件(7)，其中，连接端子(3)在第一主面上具备使与发光元件(5)连接的部位从连接端子(3)突出的凸部(3a)，凸部(3a)及熔融性部件(6)被光反射性部件(7)掩埋。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光装置及其制造方法。
技术介绍
目前，提案有与芯片大致相同尺寸的芯片级封装(CSP)的发光装置(例如，日本特开2001－223391号公报)。该发光装置是顶视型的安装方式的发光装置，根据其用途，发光装置自身的厚度较薄，能够非常有效地利用。另外，该发光装置通过在封装所利用的引线电极上形成突起部，使批量生产效率提高，实现进一步的薄型化。另一方面，作为电子设备的显示面板的背光灯光源等，使用有侧视型的发光装置。例如，提案有如下的侧视型的发光装置，其包括：基体，其具有带凹部的芯片状的母材及形成在该母材的表面并与发光元件连接的一组端子；发光元件，其中，从发光元件的下方延伸设置的一组端子分别在母材的两端面附近的表面周向设置(例如，日本特开平8－264842号公报)。侧视型的发光装置因为其安装方式与上述的顶视型不同，故而在安装的稳定性、配光状态等下，存在不能直接应用顶视型的种种制约。专利文献1：(日本)特开2001－223391号公报特别是，近年来，在要求更小型化及薄膜化的发光装置中，为了使芯片级的封装自身的占有空间最小限，正在推进基体的平坦化及缩小化。因此，用作端子的金属部件从板状引线电极转变成极薄的薄膜状地直接成膜于基体自身的金属膜。正在寻求如下的发光装置，即，即使将这种金属膜用于封装，特别是在侧视型的发光装置中，在发光元件向封装的搭载、发光装置向安装基板的安装中，也不会发生元件不良，可稳定且高精度地搭载或安装。另外，在使光取出面朝向侧方而安装在安装基板上的侧面发光型的发光装置中，在与搭载有发光元件的端子的同一面，配置焊料等而进行安装。而且，即使例如通过密封部件等将发光元件密封，配置在同一面的焊料等的一部分或焊料中含有的助熔剂也会沿着端子表面而侵入密封部件与端子之间，会使发光装置的可靠性下降。特别是，在应对薄型化要求的发光装置中，由于搭载有发光元件的端子和由焊料等固定的端子接近，故而焊料等的侵入允许余量非常小，具有容易产生上述的不良情况的课题。在通过更小型的芯片来寻求进一步的高输出或高亮度等的状况下，需要实现光取出效率的进一步的提高。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述课题而设立的，其目的在于提供一种发光装置，即使是小型且薄型的发光装置，在发光元件向封装的搭载、发光装置向安装基板的安装中，也不会发生元件不良，可稳定且高精度地搭载或安装。本专利技术第一方面提供一种发光装置，具备：至少在第一主面上具备一对连接端子的基体；通过熔融性部件与所述连接端子连接的发光元件；覆盖该发光元件的光反射性部件，其中，所述连接端子在所述第一主面上具备凸部，该凸部与所述发光元件连接的部位从所述连接端子突出，所述凸部及所述熔融性部件被所述光反射性部件掩埋。另外，本专利技术第二方面提供一种发光装置的制造方法，具备如下工序：准备至少在第一主面上具备具有凸部的一对连接端子的基体，将在基板上具有半导体层积体且在半导体层积体的同一面侧具有一对电极的发光元件载置在所述基体的第一主面上的凸部，通过熔融性部件分别将所述发光元件的一对电极和一对连接端子连接，由光反射性部件掩埋该连接端子的凸部及所述熔融性部件的表面以及所述基体和所述发光元件之间。本专利技术第三方面提供一种发光装置，其为侧面发光型的发光装置，具备：至少在第一主面上具备一对连接端子的基体；与所述连接端子连接的发光元件；覆盖所述连接端子的一部分的绝缘部件；将所述发光元件密封的密封部件，其中，所述连接端子在所述第一主面上具备与所述发光元件连接的元件连接部、与所述发光装置的外部连接的外部连接部，所述绝缘部件与所述密封部件相接，并且配置在所述元件连接部与所述外部连接部之间。根据本专利技术的发光装置，即使是小型且薄型的发光装置，在发光元件向封装的搭载、发光装置向安装基板的安装中，也不会发生元件不良，可稳定且高精度地实现搭载或安装。根据本专利技术的发光装置的制造方法，能够简便且可靠地制造上述的发光装置。附图说明图1是本专利技术一实施方式的发光装置的概略立体图；图2是图1的发光装置的A－A’线剖面图；图3是图1的发光装置的平面透视图；图4是表示图1的发光装置安装于安装部件的状态的概要立体图；图5A是用于对图1的发光装置的制造方法进行说明的概略平面图；图5B是图5A的B－B’线剖面图；图6是本专利技术另一实施方式的发光装置的概略剖面图；图7是本专利技术又一实施方式的发光装置的概略剖面图；图8A是本专利技术再一实施方式的发光装置的概略平面图；图8B是图8A的从箭头标记E侧看到的侧面图；图8C是图8A的F－F’线剖面图；图8D是图8A的G－G’线剖面图；图8E是图8A的发光装置的基体的平面图；图8F是图8E的基体的从箭头标记E侧看到的透视图；图8G是图8E的基体的背面透视图；图9A是本专利技术其他实施方式的发光装置的概略平面图；图9B是图9A的从箭头标记E侧看到的侧面图；图9C是图9A的F－F’线剖面图；图9D是图9A的G－G’线剖面图；图9E是图9A的发光装置的基体的平面图；图10是表示本专利技术其他实施方式的发光装置的连接端子的凸部的形状的概略平面图；图11是本专利技术再另一实施方式的发光装置的概略剖面图；图12A是本专利技术再另一实施方式的发光装置的概略局部平面透视图；图12B是图12A的侧面图；图12C是图12A的剖面图；图12D是图12A的发光装置的基体的平面图；图12E是图12A的发光装置的基体的剖面图；图12F是图12A的发光装置的基体的背面图；图12G是用于对图12A的发光装置的制造方法进行说明的基体的概略平面图；图13A是本专利技术再又一实施方式的发光装置的概略局部平面透视图；图13B是图13A的侧面图；图13C是图13A的剖面图；图13D是图13A的发光装置的基体的平面图；图13E是图13A的发光装置的基体的剖面图；图13F是图13A的发光装置的基体的背面图；图13G是用于对图13A的发光装置的制造方法进行说明的基体的概略平面图；图14是本专利技术一实施方式的发光装置的概略立体图；图15是图14的发光装置的A－A′线剖面图；图16是图14的发光装置的平面透视图；图17是表示图14的发光装置安装在安装部件上的状态的概略立体图；图18A是用于说明图14的发光装置的制造方法的概略平面图；图18B是图18A的B－本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其具备：至少在第一主面上具备一对连接端子的基体；通过熔融性部件与所述连接端子连接的发光元件；覆盖该发光元件的光反射性部件，其特征在于，所述连接端子在所述第一主面上具备凸部，该凸部与所述发光元件连接的部位从所述连接端子突出，所述凸部及所述熔融性部件被所述光反射性部件掩埋。

【技术特征摘要】
2013.07.19 JP 2013-150462;2013.07.19 JP 2013-150441.一种发光装置，其具备：
至少在第一主面上具备一对连接端子的基体；
通过熔融性部件与所述连接端子连接的发光元件；
覆盖该发光元件的光反射性部件，其特征在于，
所述连接端子在所述第一主面上具备凸部，该凸部与所述发光元件连接
的部位从所述连接端子突出，
所述凸部及所述熔融性部件被所述光反射性部件掩埋。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中，
发光装置为侧视型发光装置。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，其中，
所述基体和所述发光元件之间由所述光反射性部件掩埋。
4.如权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其中，
所述发光元件的第一主面与所述光反射性部件的第一主面形成同一面，
或所述发光元件的第一主面位于比所述光反射性部件的第一主面高的位置。
5.如权利要求1～4中任一项所述的发光装置，其中，
在所述发光元件的第一主面上配置有含有被来自所述发光元件的光激
发的荧光体的透光性部件。
6.如权利要求5所述的发光装置，其中，
所述透光性部件的端面及所述发光元件的端面被所述光反射性部件覆
盖。
7.如权利要求1～6中任一项所述的发光装置，其中，
所述连接端子从所述基体的第一主面上延长到该第一主面相反侧的面
即第二主面而设置。
8.如权利要求1～7中任一项所述的发光装置，其中，
所述连接端子在所述第一主面上具有所述凸部、与所述发光装置的外部
连接的外部连接部，
在所述凸部和所述外部连接部之间具备覆盖所述连接端子的一部分的
绝缘部件。
9.一种发光装置的制造方法，具备如下工序：
准备至少在第一主面上具备具有凸部的一对连接端子的基体，
将在基板上具有半导体层积体且在半导体层积体的同一面侧具有一对
电...

【专利技术属性】
技术研发人员：中林拓也，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP