用于全控型变换器的晶闸管型偏磁抑制与能量回馈器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于全控型变换器的晶闸管型偏磁抑制与能量回馈器，包括隔离变压器T1、晶闸管电路和输出端口三大部分；所述的隔离变压器T1包含主回路的一次绕组N1和二次绕组N2，以及辅助绕组N3和辅助绕组N4；所述的晶闸管电路是两条晶闸管偏磁抑制与能量回馈回路，所述的输出端口又包含G端和H端，其中的G端连接至直流隔离全控型变换器的输入电源正极性上，而H端连接至直流隔离全控型变换器的输入电源负极性上。本实用新型专利技术设计简单、结构合理、构建方便、通用性好，不仅克服了现有直流隔离全控型变换器运用当中对偏磁抑制的不足，有效实现隔离变压器铁芯正方向与反方向的双向抗偏磁，而且还能实现偏磁能量的回馈。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

 本技术涉及一种偏磁抑制与能量回馈器，更具体地说，是涉及一种用于全控型变换器的晶闸管型偏磁抑制与能量回馈器。
技术介绍
在全控型变换器应用当中，直流隔离变换电路结构被广泛应用在电源领域，其输入侧和输出侧的电源能量在进行变换时，正因为采用了变压器实现信号隔离和能量传递，或多或少会产生偏磁现象。有偏磁的存在，特别是当工作的开关频率或调制频率在听觉范围时，其变压器的机械噪声会增大。另外，无视偏磁的后果是十分严重的，轻则会使变压器和全控型变换器模块的功耗增加，温升加剧，严重时还会损坏功率器件，使得变换器不能正常工作。因此，抗偏磁是直流隔离全控型变换器电源应用领域的关键问题之一。当前，在直流隔离正激式变换器电路结构中，采用的抗偏磁方法较多，但是都有局限性，主要表现在于：（1）最普遍采用的方法，是在直流隔离正激式变换器电路结构中，设置钳位绕组和快速二极管组成的钳位回路来实现有效的抗偏磁。但是，该技术方案无法实现隔离变压器铁芯正方向与反方向的双向抗偏磁，仅能实现隔离变压器铁芯正方向的抗偏磁.。（2）对于频率较低，功率较小的变换器，由于变压器绕组的阻值较高，自平衡能力较强，可以采用增加铁心截面，或使铁心保留一定气隙，并适当加大功率器件的容量，使偏磁的危害得到抑制或缓解。然而对于大功率高频变换器，以上所述的措施，不但经济上不合算，而且很难奏效。（3）中大功率的变换器常采用变压器隔离型半桥或全桥电路结构，抑制偏磁的方法都是在变压器一次回路中串入了电容器。其运行时，串入主回路的电容器通过全部的高频电流，造成电容器容量大、体积重量大、温升高，并且长期运行可靠性较差，难以实现真正的大功率设计。（4）在变压器主回路中设置相应的传感器、采样保持器、加法器、PID调节器等电路来构成脉冲宽度微调电路，其目的是把变压器磁通密度的摆动范围保持在原点对称范围内，因而设计变压器时可取较高的磁密值，从而减小变压器的体积和重量，可实现在变压器一次回路中不必串入电容器。但是这种方法电路复杂，制作成本较高，通用性较差。
技术实现思路
有鉴于此，本技术目的在于提供一种用于全控型变换器的晶闸管型偏磁抑制与能量回馈器，该装置设计简单、结构合理、构建方便、通用性好，不但能够有效克服现有直流隔离全控型变换器运用当中对偏磁抑制的不足，有效实现隔离变压器铁芯正方向与反方向的双向抗偏磁，而且还能实现偏磁能量的回馈。为了实现上述技术目的，本技术具体提供了一种用于全控型变换器的晶闸管型偏磁抑制与能量回馈器的技术实现方案，包括隔离变压器T1、晶闸管电路和输出端口三大部分；所述的隔离变压器T1采用正激式电路连接方式，其包含主回路的一次绕组N1和二次绕组N2，以及辅助绕组N3和辅助绕组N4；所述的晶闸管电路又包含晶闸管SCR1、晶闸管SCR2、起动辅助电阻R1和起动辅助电阻R2，其中，晶闸管SCR1的阳级和晶闸管SCR2的阳级相连接，晶闸管SCR1的阴极与所述隔离变压器T1的辅助绕组N3的一端相连接，晶闸管SCR2的阴极与所述隔离变压器T1的辅助绕组N4的一端相连接，并且此时的连接必须要求辅助绕组N3和辅助绕组N4同名端相反，晶闸管SCR1的门极与起动辅助电阻R1的一端相连接，晶闸管SCR2的门极与起动辅助电阻R2的一端相连接，进一步，所述隔离变压器T1的辅助绕组N3与辅助电阻R1的另一端再相连接，以及辅助绕组N4的另一端与辅助电阻R2的另一端再相连接；所述的输出端口又包含G端和H端，其中的G端是所述隔离变压器T1的辅助绕组N3和辅助绕组N4的另一端，以及辅助电阻R1和辅助电阻R2的另一端再相连接的公共接点，其输出连接至直流隔离全控型变换器的输入电源正极性上，而H端是所述晶闸管SCR1和晶闸管SCR2的阳级的公共接点，其输出连接至直流隔离全控型变换器的输入电源负极性上。本技术的有益效果是，提供一种用于全控型变换器的晶闸管型偏磁抑制与能量回馈器，设计简单、结构合理、构建方便、通用性好，不仅克服了现有直流隔离全控型变换器运用当中对偏磁抑制的不足，有效实现隔离变压器铁芯正方向与反方向的双向抗偏磁，而且还能实现偏磁能量的回馈。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或技术方案，下面将对实施例或技术方案描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的较典型实施例或结构组成，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术一种用于全控型变换器的晶闸管型偏磁抑制与能量回馈器的组成示意图。图2是本技术一种用于全控型变换器的晶闸管型偏磁抑制与能量回馈器基本应用方案的示意图。图3是本技术一种用于全控型变换器的晶闸管型偏磁抑制与能量回馈器具体实施例的示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术技术组成、技术方案和实施例进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。如附图1所示，是本技术一种用于全控型变换器的单相全桥型偏磁抑制与能量回馈器的组成示意图，其特征是：包括：隔离变压器T1、晶闸管电路和输出端口三大部分；隔离变压器T1采用正激式电路连接方式，其包含主回路的一次绕组N1和二次绕组N2，以及辅助绕组N3和辅助绕组N4；晶闸管电路又包含晶闸管SCR1、晶闸管SCR2、起动辅助电阻R1和起动辅助电阻R2，其中，晶闸管SCR1的阳级和晶闸管SCR2的阳级相连接，晶闸管SCR1的阴极与上述隔离变压器T1的辅助绕组N3的一端相连接，晶闸管SCR2的阴极与上述隔离变压器T1的辅助绕组N4的一端相连接，并且此时的连接必须要求辅助绕组N3和辅助绕组N4同名端相反，晶闸管SCR1的门极与起动辅助电阻R1的一端相连接，晶闸管SCR2的门极与起动辅助电阻R2的一端相连接，进一步，上述隔离变压器T1的辅助绕组N3与辅助电阻R1的另一端再相连接，以及辅助绕组N4的另一端与辅助电阻R2的另一端再相连接；输出端口又包含G端和H端，其中的G端是上述隔离变压器T1的辅助绕组N3和辅助绕组N4的另一端，以及辅助电阻R1和辅助电阻R2的另一端再相连接的公共接点，其输出连接至直流隔离全控型变换器的输入电源正极性上，而H端是所述晶闸管SCR1和晶闸管SCR2的阳级的公共接点，其输出连接至直流隔离全控型变换器的输入电源负极性上。如附图2所示，是本技术一种用于全控型变换器的晶闸管型偏磁抑制与能量回馈器基本应用方案的示意图。在典型的直流隔离全控型变换器设置了对应于如附图1所示的端口，并且进行连接。其中的PWM全控型变换器包括了正激式、推挽式、半桥型和全桥型，隔离变压器为带两个辅助绕组（即辅本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于全控型变换器的晶闸管型偏磁抑制与能量回馈器，其特征是：包括隔离变压器T1、晶闸管电路和输出端口三大部分；所述的隔离变压器T1采用正激式电路连接方式，其包含主回路的一次绕组N1和二次绕组N2，以及辅助绕组N3和辅助绕组N4；所述的晶闸管电路又包含晶闸管SCR1、晶闸管SCR2、起动辅助电阻R1和起动辅助电阻R2，其中，晶闸管SCR1和晶闸管SCR2的阳级相连接，晶闸管SCR1的阴极与所述隔离变压器T1的辅助绕组N3的一端相连接，晶闸管SCR2的阴极与所述隔离变压器T1的辅助绕组N4的一端相连接，并且此时的连接必须要求辅助绕组N3和辅助绕组N4同名端相反，晶闸管SCR1的门极与起动辅助电阻R1的一端相连接，晶闸管SCR2的门极与起动辅助电阻R2的一端相连接，进一步，所述隔离变压器T1的辅助绕组N3与辅助电阻R1的另一端再相连接，以及辅助绕组N4的另一端与辅助电阻R2的另一端再相连接；所述的输出端口又包含G端和H端，其中的G端是所述隔离变压器T1的辅助绕组N3和辅助绕组N4的另一端，以及辅助电阻R1和辅助电阻R2的另一端再相连接的公共接点，其输出连接至直流隔离全控型变换器的输入电源正极性上，而H端是所述晶闸管SCR1和晶闸管SCR2的阳级的公共接点，其输出连接至直流隔离全控型变换器的输入电源负极性上。...

【技术特征摘要】
1.用于全控型变换器的晶闸管型偏磁抑制与能量回馈器，其特征是：
包括隔离变压器T1、晶闸管电路和输出端口三大部分；
所述的隔离变压器T1采用正激式电路连接方式，其包含主回路的一次绕组N1和二次绕组N2，以及辅助绕组N3和辅助绕组N4；
所述的晶闸管电路又包含晶闸管SCR1、晶闸管SCR2、起动辅助电阻R1和起动辅助电阻R2，其中，晶闸管SCR1和晶闸管SCR2的阳级相连接，晶闸管SCR1的阴极与所述隔离变压器T1的辅助绕组N3的一端相连接，晶闸管SCR2的阴极与所述隔离变压器T1的辅助绕组N4的一端相连接，并且此时的连接必须要求辅助绕组N3和辅助绕组N4同...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖无限，肖强晖，刘明超，杨劲松，夏宇辉，李立中，
申请(专利权)人：株洲中达特科电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43