一种微波器件测试用扭环制造技术

本发明专利技术公开了一种微波器件测试用扭环，涉及半导体器件测试技术领域。扭环外环壁的横截面为圆形，扭环内环壁的横截面为六边形，且与微波器件测试夹具输入、输出的同轴接头端子外形尺寸相适配，所述扭环的材质为聚四氟乙烯材料。本发明专利技术采用了带有网纹结构的聚四氟乙烯扭环，成功解决了测试夹具在测试过程中存在的连接不紧密的问题，保证器件测试稳定性、准确性及无损性，其制作成本低，易实现，保证了相关科研生产顺利进行。

【技术实现步骤摘要】
-种微波器件测试用扭环
本专利技术涉及半导体器件测试
。
技术介绍
基于半导体材料可制作微波器件，为了验证验证微波器件的直流及微波特性，需 要对其进行测试。测试过程需要使用测试夹具，测试夹具输入、输出端子或与负载连接，或 与测试系统连接，实现直流及微波测试。器件测试几项很重要指标为测试的稳定性、准确 性、无损性，无损性指测试过程不能造成夹具损伤。如果测试夹具输入、输出端子与系统连 接不紧密，容易造成测试参数不准确，影响测试精度。 常见的测试中，测试夹具输入、输出端子采用同轴接头形式，测试系统与输入、输 出端子连接的部件也为同轴接头。采用的金属制扳手实现测试夹具与测试系统同轴接头的 连接。由于金属扳手与同轴接头外围为硬接触，同轴接头外围一般会电镀一层金属，容易造 成外围金属脱落，影响同轴接头差损等指标。同时，如果用力过猛，会造成同轴接头与测试 系统很难分离，容易造成同轴接头变形。如果器件需要多次测试，频繁的使用烙铁会造成测 试夹具测试系统可靠性下降，且对器件端子造成机械损伤。 在一些空间狭小的场合无法使用金属扳手，只能用手操作，操作十分不方便，同时 由于手用力有限，造成测试夹具同轴接头与测试系统同轴接头连接不紧密，影响测试结果 准确性。 微波器件是实现对微波信号进行放大的器件，在进行器件微波测试时，需要使用 测试夹具对器件施加一定的直流工作电压及微波输入信号，例如10dBm的信号，得到器件 噪声、增益、功率、效率等微波参数，如果测试夹具同轴接头与测试系统同轴接头连接不紧 密，会造成器件噪声系数大于真实值，增益、功率、效率测试值小于真实值。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种微波器件测试用扭环，能够实现微波器件 无损测试，使用方便，并能保证测试结果的准确性及稳定性。 为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种微波器件测试用扭环，扭 环外环壁的横截面为圆形，扭环内环壁的横截面为六边形，且与微波器件测试夹具输入或 输出的同轴接头端子外形尺寸相适配，所述扭环的材质为塑料或木质。 进一步的，所述塑料为聚四氟乙烯材料。 进一步的，所述扭环外环壁表面设有阻力网纹结构。 进一步的，所述的圆形与六边形同心。 采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本专利技术采用聚四氟乙烯材料，实现了 测试夹具器件输入、输出端子与测试夹具测试系统的紧密连接，实现了无损测试。同时采用 在扭环外围制作网纹接头，增加了手与扭环之间摩擦力，使得测试夹具与测试系统连接紧 密，提高了器件测试的准确性及稳定性。 【附图说明】 图1是本专利技术俯视的结构示意图； 图2是图1的左视图； 图3是本专利技术使用状态示意图； 其中，1扭环，2扭环外环壁，3扭环内环壁，4阻力网纹结构，5同轴阳性接头端子，6同 轴阴性接头端子。 【具体实施方式】 下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细的说明。 如图1所示，本专利技术是一种微波器件测试用扭环，扭环外环壁2的横截面为圆形， 扭环内环壁3的横截面为六边形，且与微波器件测试夹具输入或输出的同轴接头端子外形 尺寸相适配，所述扭环1的材质为塑料或木质；所述塑料为聚四氟乙烯材料；所述扭环外环 壁2表面设有阻力网纹结构4 ;所述的圆形与六边形同心。 本专利技术的制作及使用： 1) 根据同轴外形尺寸，使用聚四氟乙烯材料，设计并制作扭环； 2) 把扭环套在测试夹具输入、输出同轴接头上； 3) 测试夹具同轴接头与测试系统同轴接头对齐； 4) 使用手扭动扭环，使得测试夹具同轴接头与测试系统同轴接头紧密相连； 本专利技术采用了聚四氟乙烯材料，对微波测试无影响；采用了聚四氟乙烯材料，其不会对 测试夹具端子造成机械损伤，实现了无损测试；设计过程采用了 AutoCAD设计程序，制作过 程涉及到机械加工工艺；外围设计制作了网纹结构，增大了手与钮环之间的摩擦力，保证测 试夹具同轴接头与测试系统同轴接头之间紧密连接。本专利技术采用了带有网纹结构的聚四氟 乙烯扭环，成功解决了测试夹具在测试过程中存在的连接不紧密的问题，保证器件测试稳 定性、准确性及无损性。该方法成本低，易实现，保证了相关科研生产顺利进行。 实施例： 本专利技术应用于GaN HEMT及SiC MESFET微波器件测试中。【具体实施方式】如下所述。 器件及试验描述：1)栅宽：27 mm ;2)测试参数：饱和电流、3. 2 GHz下输出功率、增 益及效率。 本专利技术应用于GaN HEMT及SiC MESFET微波器件测试中，包括如下步骤： 1) 根据测试夹具输入、输出端子(本例为SMA阳头）外形尺寸，使用聚四氟乙烯材料，设 计扭环内部结构； 2) 设计扭环外围结构，采用聚四氟乙烯材料，制作扭环； 3) 使用扭环连接测试夹具输入、输出端子(本例为SMA同轴阳性接头端子5)连接测试 系统同轴接头连接(本例为SMA同轴阴性接头端子6); 4) 测试微波器件微波参数，GaN HEMT电压28V，SiC MESFET电压60V。重复测试10次， 证明微波器件工作稳定，测试参数稳定准确，如表1、表2所不。 表1 GaN HEMT测试结果本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波器件测试用扭环，其特征在于：扭环外环壁（2）的横截面为圆形，扭环内环壁（3）的横截面为六边形，且与微波器件测试夹具输入或输出的同轴接头端子外形尺寸相适配，所述扭环（1）的材质为塑料或木质。

【技术特征摘要】
1. 一种微波器件测试用扭环，其特征在于：扭环外环壁（2)的横截面为圆形，扭环内环 壁（3)的横截面为六边形，且与微波器件测试夹具输入或输出的同轴接头端子外形尺寸相 适配，所述扭环（1)的材质为塑料或木质。2. 根据权利要求1所述的一种微波器件测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亮，默江辉，崔玉兴，付兴昌，蔡树军，杨克武，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13