一种调光电源及其Bleeder保护电路制造技术

本发明专利技术属于调光类照明领域，尤其涉及一种调光电源及其Bleeder保护电路。根据本发明专利技术实施例提供的Bleeder保护电路，在Bleeder电阻的两端分别并联第一开关和第二开关，当Bleeder电路中的开关管Q1发生短路时，两个开关能够共同实现电路对地的严重短路，以使得保险管F1瞬间熔断、从而保护整个电路，避免浓烟、爆炸及火灾等事故的发生。并且，该Bleeder保护电路也不会带来电路损耗，不影响电路的调光匹配性和调光深度，不会对整个电路的EMI和EMC产生影响，健全且增强了电路的可靠性，易量化生产，具有很高的性价比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于调光类照明领域，尤其涉及一种调光电源及其Bleeder保护电路。
技术介绍
目前，市场上的调光类照明灯具产品五花八门。在生产开发过程中，适配前沿切相和后沿切相的调光方案均以Iwatt、CIRRUSLOGIC、MPS等为主，其调光电源方案中的驱动电路一般如图1所示，其中Bleeder电路100由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、开关管Q1等原件组成。在正常工作状态下，该电路基本能满足照明灯具调光的需求，但是当因Bleeder电路100出现异常，例如开关管Q1短路失效时，电阻R1和电阻R2就被开关管Q1短路，串接于斩波升压电路200与地之间，此时电阻R1、电阻R2会承载比较高的直流电压。由公式P＝UI知电阻的功率损耗较大，但该功率损耗可能不足以瞬间烧毁电阻R1和电阻R2；又因为一般调光类照明灯具的电源会做灌胶散热处理，它导致电阻R1和电阻R2未能瞬间烧断开路，并且该功率损耗会瞬间转化为热能，瞬间温升高达300℃以上，使得灌封胶产生化学反应分解出氧气，氧气在有限的高温空间内便产生浓烟、可能爆炸甚至发生火灾的危险，严重威胁着消费者的生命和财产安全，也使得调光类照明灯具产品的市场信誉和消费者信心受到严重打击。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的首先即在于提供一种调光电源，旨在解决现有电源中的Bleeder电路出现异常时，容易导致浓烟、甚至引起爆炸或者火灾的技术问题。本专利技术提供的调光电源，包括与交流相线依次相接的保险管F1、滤波单元、整流桥、斩波升压电路、驱动芯片以及连接在斩波升压电路与驱动芯片之间的Bleeder保护电路，作为改进，所述Bleeder保护电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和开关管Q1；所述开关管Q1的控制端通过电阻R4接所述驱动芯片的输出端，所述开关管Q1的高电位端通过电阻R1接所述斩波升压电路，所述开关管Q1的低电位端通过电阻R2接地，电阻R3连接在所述开关管Q1的控制端与低电位端之间；以及分别并联在所述电阻R1两端和电阻R2两端的第一开关和第二开关；当所述开关管Q1发生短路时，所述第一开关和第二开关能够共同实现电路对地的严重短路，以使得保险管F1瞬间熔断、切断电源输入路径，从而保护整个电路。另一方面，本专利技术的目的还在于提供一种Bleeder保护电路，能够在Bleeder电路异常失效时、快速切断电源输入路径而保护整个电路。本专利技术提供的Bleeder保护电路，连接在斩波升压电路与驱动芯片之间，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和开关管Q1；所述开关管Q1的控制端通过电阻R4接所述驱动芯片的输出端，所述开关管Q1的高电位端通过电阻R1接所述斩波升压电路，所述开关管Q1的低电位端通过电阻R2接地，电阻R3连接在所述开关管Q1的控制端与低电位端之间；以及分别并联在所述电阻R1两端和电阻R2两端的第一开关和第二开关；当所述开关管Q1发生短路时，所述第一开关和第二开关能够共同实现电路对地的严重短路，以使得主回路中的保险管F1瞬间熔断而保护整个电路。根据本专利技术提供的调光电源及其Bleeder保护电路，可以确保调光光源在Bleeder电路异常失效时快速切断电源输入路径，避免浓烟、爆炸及火灾等事故的发生。并且，该Bleeder保护电路也不会带来电路损耗，不影响电路的调光匹配性和调光深度，不会对整个电路的EMI和EMC产生影响，健全且增强了电路的可靠性，易量化生产，具有很高的性价比。附图说明图1是现有调光电源的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的调光电源的结构示意图；图3是本专利技术一优选实施例提供的调光电源的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图2是本专利技术实施例提供的调光电源的结构示意图；为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，如图所示：一种调光电源，包括与交流火线L依次相接的保险管F1、滤波单元300、整流桥400、斩波升压电路200、驱动芯片500以及连接在斩波升压电路200与驱动芯片500之间的Bleeder保护电路100。Bleeder保护电路100包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和开关管Q1。开关管Q1的控制端通过电阻R4接驱动芯片500的输出端，开关管Q1的高电位端通过电阻R1接斩波升压电路200，开关管Q1的低电位端通过电阻R2接地，电阻R3连接在开关管Q1的控制端与低电位端之间。现有的调光Bleeder电路就是如上所述的结构，作为改进，本专利技术提供的调光电源中Bleeder保护电路100还包括第一开关10和第二开关20。具体地，第一开关10并联在电阻R1的两端、第二开关20并联在电阻R2的两端。当开关管Q1发生短路等异常时，第一开关10和第二开关20能够共同实现斩波升压电路200对地端严重短路，以使得主回路中的保险管F1瞬间熔断，从而切断整个输入回路，保证电路无输入电源，进而保护整个调光电源电路。在具体实现时，作为一优选实施例，第一开关10和第二开关20可以同时选用稳压二极管。参见图3，第一开关10和第二开关20分别为稳压二极管ZD1和稳压二极管ZD2；稳压二极管ZD1的阳极接开关管Q1的高电位端，稳压二极管ZD1的阴极接电阻R1与斩波升压电路200的共接端；稳压二极管ZD2的阳极接地，稳压二极管ZD2的阴极接开关管Q1的低电位端。当调光电源采用如图3所示的结构时，当Bleeder电路中开关管Q1出现短路异常时，施加在电阻R1和电阻R2上的直流电压分两路工作，一路在电阻R1、电阻R2上瞬间产生高热，使电阻R1、电阻R2瞬间烧毁开路，切断故障回路；另一路将施加在电阻R1、电阻R2的直流电压把稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2瞬间击穿，导致斩波升压电路200对地端严重短路，形成主回路短路，从而将保险管F1瞬间烧断，从而切断主输入回路，保证电路无输入电源；另一方面，也能避免因电阻R1、电阻R2未能瞬间烧毁开路及产生过多热量导致高温的隐患，响应极其迅速。进一步地，为了增强该调光电源保护电路的可靠性，电阻R1和电阻R2可以优选熔断型金属皮膜电阻。该类电阻具有瞬时因过热而烧毁开路的优异特性，能够进一步避免Bleeder电路中开关管Q1出现短路异常时的安全隐患。在电阻R1和电阻R2选用熔断型金属皮膜电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调光电源，包括与交流相线依次相接的保险管F1、滤波单元、整流桥、斩波升压电路、驱动芯片以及连接在斩波升压电路与驱动芯片之间的Bleeder保护电路，其特征在于，所述Bleeder保护电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和开关管Q1；所述开关管Q1的控制端通过电阻R4接所述驱动芯片的输出端，所述开关管Q1的高电位端通过电阻R1接所述斩波升压电路，所述开关管Q1的低电位端通过电阻R2接地，电阻R3连接在所述开关管Q1的控制端与低电位端之间；以及分别并联在所述电阻R1两端和电阻R2两端的第一开关和第二开关；当所述开关管Q1发生短路时，所述第一开关和第二开关能够共同实现电路对地的短路，以使得保险管F1瞬间熔断、切断电源输入路径，从而保护整个电路。

【技术特征摘要】
1.一种调光电源，包括与交流相线依次相接的保险管F1、滤波单元、整
流桥、斩波升压电路、驱动芯片以及连接在斩波升压电路与驱动芯片之间的
Bleeder保护电路，其特征在于，所述Bleeder保护电路包括：
电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和开关管Q1；所述开关管Q1的控
制端通过电阻R4接所述驱动芯片的输出端，所述开关管Q1的高电位端通过
电阻R1接所述斩波升压电路，所述开关管Q1的低电位端通过电阻R2接地，
电阻R3连接在所述开关管Q1的控制端与低电位端之间；以及
分别并联在所述电阻R1两端和电阻R2两端的第一开关和第二开关；当
所述开关管Q1发生短路时，所述第一开关和第二开关能够共同实现电路对地
的短路，以使得保险管F1瞬间熔断、切断电源输入路径，从而保护整个电路。
2.如权利要求1所述的调光电源，其特征在于，所述第一开关和第二开
关分别为稳压二极管ZD1和稳压二极管ZD2；
所述稳压二极管ZD1的阳极接所述开关管Q1的高电位端，所述稳压二极
管ZD1的阴极接所述电阻R1与斩波升压电路的共接端；所述稳压二极管ZD2
的阳极接地，所述稳压二极管ZD2的阴极接所述开关管Q1的低电位端。
3.如权利要求1所述的调光电源，其特征在于，所述电阻R1和电阻R2
均为熔断型金属皮膜电阻。
4.如权利要求1-3任一项所述的调光电源，其特征在于，所述开关管Q1
为NPN型三极管；
所述NPN型三极管的基极为所述开关管Q1的控制端，所述NPN型三极
管的集电极为所述开关管Q1的高电位端，所述NPN型三极管的发射极为所述

\t开关管Q1的低电位端。
5.如权利要求1-3任一项所述的调光电源，其特征在于，所述开关管Q1
为N沟道MOS管；
所述N沟道MOS管的栅极为所述开关管Q1的控制端，所述N沟道MOS
管的漏极为所述开关管Q1的高电位端，所述N沟道MOS管的源极为所述开
关...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪发根，
申请(专利权)人：深圳市众明半导体照明有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44