本实用新型专利技术公开了一种抗干扰的红外截止型光敏传感器，属于光通信技术领域。其包括相对设置的阴极和阳极及树脂层，所述阳极的顶面设置有硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三极管芯片，所述硅光敏芯片的发射极电连接所述硅外延平面型NPN三极管芯片的基极，所述硅外延平面型NPN三极管芯片电连接所述阴极；所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面与该光敏传感器的轴向方向不垂直。解决了以往技术不环保、抗红外光和发射光干扰能力差的问题。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种抗干扰的红外截止型光敏传感器，属于光通信
。其包括相对设置的阴极和阳极及树脂层，所述阳极的顶面设置有硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三极管芯片，所述硅光敏芯片的发射极电连接所述硅外延平面型NPN三极管芯片的基极，所述硅外延平面型NPN三极管芯片电连接所述阴极；所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面与该光敏传感器的轴向方向不垂直。解决了以往技术不环保、抗红外光和发射光干扰能力差的问题。【专利说明】抗干扰的红外截止型光敏传感器
本技术涉及光通信
，尤其是涉及具有抗反射光干扰的红外截止型光敏传感器。
技术介绍
光敏电阻是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，入射光变强时，其电阻减小，入射光变弱时，其电阻增大。光敏电阻一般用于光的测量、光的控制和光电转换等。现有技术的光敏电阻由基板、涂覆于整个基板表面的光敏层，以及光敏层上镀有的梳状电极及其电极引脚组成。而这些光敏层大多是含有硫化镉(CdS)，而硫化镉中的镉属于重金属，对人体和环境都具有很大的危害性。另外，在使用过程中容易受到环境光产生的红外线、反射光等的干扰，造成稳定性差、一致性不好的问题。为了解决上述的问题，企业采用多种方案来解决，其中多使用添加隔离器或者薄膜之类的来对光线进行发射和隔离，但是这样会降低芯片的光功率，而且其成本也较高，不能满足企业的真正需求。
技术实现思路
本技术为了克服现有技术的不足，提供一种抗干扰的红外截止型光敏传感器，其目的是解决现有的光敏传感器环境污染大、抗红外光、发射光干扰能力差等的问题。 为了解决上述的技术问题，本技术提出的基本解决方案为:一种抗干扰的红外截止型光敏传感器，包括相对设置的阴极和阳极及树脂层，所述阳极的顶面设置有硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三极管芯片，所述硅光敏芯片的发射极电连接所述硅外延平面型NPN三极管芯片的基极，所述硅外延平面型NPN三极管芯片电连接所述阴极；所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面与该光敏传感器的轴向方向不垂直。 本技术所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述阳极的顶面为倾向所述阴极的倾斜面。 本技术所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述阳极的顶面的倾斜度为5。?10°。 本技术所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述阳极的顶面为水平面，所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面为倾斜面。 本技术所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述硅光敏芯片的光敏面和硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面的倾斜度为5°?10°。 本技术所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述硅光敏芯片为硅光敏二极管芯片或者硅光敏三极管芯片。 本技术所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述树脂层为淡绿色或者里任 本技术所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述硅光敏芯片、硅外延平面型NPN三极管芯片和阴极依次通过金线电连接。 本技术所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述阳极和所述阴极的下部连接有绝缘支架。 本技术的有益效果是: 1、本技术利用光敏三极管放大原理，将硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三极管芯片绑定在阳极的顶面，其电路简单，实现光电流放大效果以及解决了以往采用增益放大电路而造成成本高的问题。 2、本技术将阳极的顶面设置为倾斜面或者将硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面设置成倾斜面，使得信号光以一定的入射角入射到接收芯片的光敏面上，当发射光经过光敏面反射后就不能沿原光路被发射回光纤，而是被反射到其他对反射无任何反应的其他地方，这一结构的设计很好的处理了原本难以控制的反射光，提高了光接收器的光回波损耗，适用于大批量生产和质量管。 3、本技术采用黑色或者淡绿色的树脂层能够提高光敏传感器的抗红外干扰能力。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术的具体实施例一的结构示意图； 图2为本技术的具体实施例二的结构示意图。 【具体实施方式】 以下将结合附图1和附图2对本技术做进一步的说明，但不应以此来限制本技术的保护范围。 为了方便说明并且理解本技术的技术方案，以下说明所使用的方位词均以附图所展示的方位为准。 本技术所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器，包括相对设置的阴极和阳极、及树脂层，所述阳极的顶面设置有硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三极管芯片，所述硅光敏芯片的发射极电连接所述硅外延平面型NPN三极管芯片的基极，所述硅外延平面型NPN三极管芯片电连接所述阴极；所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面与该光敏传感器的轴向方向不垂直。本技术很好的解决了以往光敏传感器环保性能差，抗红外光干扰和抗反射光能力差以及需要另外增添电流增益电路而导致成本大幅度增加的问题，其适用于在红外辐射噪声强的可见光线性测量/开关作为控制信号应用领域，无铅、无镉，替代传统硫化镉(CdS)光敏电阻，在光控开关，背光控制、红外补光灯开关控制等领域有着很广泛的市场前景。 具体实施例一 对照图1，本技术的抗干扰的红外截止型光敏传感器包括阳极10、阴极20、树脂层30以及绝缘支架40。其中所述阳极10的顶面101为倾向所述阴极20的倾斜面，该倾斜面的倾斜度为a = 5° ;在阳极的顶面101上设置有硅光敏三极管芯片50和NPN型光敏三极管芯片60，所述的硅光敏三极管芯片50、NPN型光敏三极管芯片60和阴极20依次通过金线70电连接；其中，树脂层30为淡绿色。 由于阳极的顶面101为倾斜面，所以所述的硅光敏三极管芯片5和NPN型光敏三极管芯片60的光敏面与该光敏传感器不成90°，这样当光线照射到光敏面上时，当发射光经过光敏面反射后就不能沿原光路被发射回光纤，而是被反射到其他对反射无任何反应的其他地方，这一结构的设计很好的处理了原本难以控制的反射光，大大降低了反射光的干扰。 具体实施例二 对照图2，本实施例与具体实施例一相比，其不同点在于:所述阳极100的顶面1001为水平面，设置在该阳极100的顶面1001上的硅光敏三极管芯片200和NPN型光敏三极管芯片300的光敏面为倾斜面。采用这样的技术，也能够使得光线照射之后，反射光反射到其他地方，能够大大降低反射光对该光敏传感器的干扰。 根据上述说明书的揭示和教导，本技术所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本技术并不局限于上面揭示和描述的【具体实施方式】，对本技术的一些修改和变更也应当落入本技术的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本技术构成任何限制。【权利要求】1.一种抗干扰的红外截止型光敏传感器，包括相对设置的阴极和阳极及树脂层，其特征在于: 所述阳极的顶面设置有硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三极管芯片，所述硅光敏芯片的发射极电连接所述硅外延平面型NPN三极管芯片的基极，所述硅外延平面型NPN三极管芯片电连接所述阴极；所述硅光敏本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种抗干扰的红外截止型光敏传感器，包括相对设置的阴极和阳极及树脂层，其特征在于： 所述阳极的顶面设置有硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三极管芯片，所述硅光敏芯片的发射极电连接所述硅外延平面型NPN三极管芯片的基极，所述硅外延平面型NPN三极管芯片电连接所述阴极；所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面与该光敏传感器的轴向方向不垂直。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓龙，吴胜，
申请(专利权)人：吴晓龙，
类型：新型
国别省市：河南;41
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