干膜抗蚀剂剥离剂组合物以及使用该组合物的干膜抗蚀剂的除去方法技术

本发明专利技术涉及一种干膜抗蚀剂剥离剂组合物以及使用该组合物的干膜抗蚀剂的除去方法。本发明专利技术的干膜抗蚀剂剥离剂组合物以规定的混合比含有氢氧系化合物、链胺化合物、三唑化合物以及纯水(H2O)，能够完全除去干膜抗蚀剂，同时能够防止金属层的腐蚀，且具有剥离剂可再使用的优点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种。本专利技术的干膜抗蚀剂剥离剂组合物以规定的混合比含有氢氧系化合物、链胺化合物、三唑化合物以及纯水(H2O)，能够完全除去干膜抗蚀剂，同时能够防止金属层的腐蚀，且具有剥离剂可再使用的优点。【专利说明】干膜抗蚀剂剥离剂组合物以及使用该组合物的干膜抗蚀剂 的除去方法
本专利技术涉及干膜抗蚀剂剥离剂组合物以及使用该组合物的干膜抗蚀剂的除去方 法。
技术介绍
根据球栅阵列（Ball Grid Array，BGA)产品的高性能化、小型化以及薄膜化的需 求的増大，开发了倒装芯片-芯片级封装（Flip Chip Chip Scale Package, FCCSP)，由于 具有优良的性能，其需求存在逐渐增大的趋势。FCCSP并非利用使用焊线（wire bonding) 连接的方式而是使用凸块（bump)连接的方式将芯片（chip)和印刷电路基板（Printed Circuit Board, PCB)连接。另一方面，以往，使用金属掩膜印刷（Metal Mask Printing, MMP)法来制作凸块，最近，为了确保凸块间距（pitch)的细微化以及生产性，开发了使用干 膜抗蚀剂（Dry Film Resist, DFR)的蓝色模板印刷（Blue Stencil Printing, BSP)法。 所述BSP法有利于确保凸块的形成或生产性，但在使用干膜和强碱溶液时，与MMP 法相比，存在有机物的污染不良情况增加，金属损伤等问题。因此，目前情况是强烈要求开 发适用于该BSP法的新剥离剂。 另一方面，专利文献1中公开了印刷电路基板用剥离剂组合物，但并非是用于剥 离干膜抗蚀剂的组合物，而使用于剥离光致抗蚀剂的组合物，存在除去物质不能完全除去， 基板上残留残渣的问题。 韩国公开专利第2000-0046480号
技术实现思路
由此，本专利技术的专利技术人发现：通过提供含有氢氧系化合物、链胺化合物以及三唑化 合物的干膜抗蚀剂剥离剂组合物，能够防止基板上的干膜抗蚀剂残渣残留，使金属层的腐 蚀最小化，从而实现了本专利技术。 因此，本专利技术的第一个目的在于提供可完全除去基板上的干膜抗蚀剂残渣，同时 使金属层的腐蚀最小化的含有氢氧系化合物、链胺化合物以及三唑化合物的干膜抗蚀剂剥 离剂组合物。 本专利技术的第二目的在于提供使用所述干膜抗蚀剂剥离剂组合物除去干膜抗蚀剂 的方法。 用于实现所述第一目的的本专利技术的代表性的具体例子的干膜抗蚀剂剥离剂组合 物（以下称为"第一专利技术"）含有氢氧系化合物、链胺化合物、三唑化合物以及纯水（h20)。 在第一专利技术中，其特征在于，所述组合物含有0. 5-15重量％的氢氧系化合物、 1-40重量％的链胺化合物、0. 5-5重量％的三唑化合物以及余量的纯水。 在第一专利技术中，其特征在于，所述组合物含有0. 5-5重量％的氢氧系化合物、5-15 重量％的链胺化合物、〇. 5-5重量％的三唑化合物以及余量的纯水。 在第一专利技术中，其特征在于，所述组合物进一步含有二醇、有机酸、表面活性剂、有 机溶剂、消泡剂或它们的混合物。 在第一专利技术中，其特征在于，所述氢氧系化合物为无机碱金属氢氧化物（無機7 >力u t F 口 ; F )或烷基氢氧化铵。 在第一专利技术中，其特征在于，所述烷基氢氧化铵为四乙基氢氧化铵、四甲基氢氧化 铵、四丁基氢氧化铵、三甲基苄基氢氧化铵或它们的混合物。 在第一专利技术中，其特征在于，所述烷基氢氧化铵为四甲基氢氧化铵。 在第一专利技术中，其特征在于，所述链胺化合物为选自由单乙醇胺、二乙醇胺、三乙 醇胺、丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、2-(2-氨基乙氧 基）乙醇、2-(2-氨乙基氨基）乙醇、N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-甲基乙醇 胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺和N-甲基乙醇胺组成的组中的一种以上。 在第一专利技术中，其特征在于，所述链胺化合物为单乙醇胺。 在第一专利技术中，其特征在于，所述三唑化合物为甲基苯并三唑。 在第一专利技术中，其特征在于，所述纯水（H20)具有18(ΜΩ)以上的比电阻。 用于实现本专利技术的第二目的的干膜抗蚀剂的除去方法（以下称为"第二专利技术"）， 包括：在形成有规定的电路图案的基板上层压干膜的步骤；通过使所述层压的干膜部分曝 光来形成干膜曝光部和干膜非曝光部的步骤；通过使所述干膜曝光部显影和除去来形成开 口部的步骤；在形成有所述开口部的电路图案上设置焊锡球的步骤；以及使所述本专利技术的 多种具体例子的干膜抗蚀剂剥离剂组合物与所述干膜非曝光部接触的步骤。 在第二专利技术中，其特征在于，所述干膜抗蚀剂的除去方法进一步包括：在所述接触 步骤后，将干膜抗蚀剂残渣进行水洗的步骤。 本专利技术的多种具体例子的干膜抗蚀剂剥离剂组合物具有：能够使与所述剥离剂接 触的金属层的腐蚀最小化、同时能够完全除去干膜抗蚀剂的良好的效果。 【专利附图】【附图说明】 为表示使用本专利技术的一个具体例子的干膜抗蚀剂剥离剂组合物除去干膜 抗蚀剂的方法的工序图。 为表示通常的金焊垫（Au Pad)的照片。 为表示使用本专利技术的实施例3的干膜抗蚀剂剥离液将金焊垫上的干膜抗 蚀剂剥离的结果的照片。 为表示使用本专利技术的比较例2的干膜抗蚀剂剥离液将金焊垫上的干膜抗 蚀剂剥离的结果的照片。 为表示通常的焊锡球（Sn/Pb)的照片。 为表示测定使用本专利技术的实施例3的干膜抗蚀剂剥离液将干膜抗蚀剂除 去后的焊锡球表面有无腐蚀的结果的照片。 为表示测定使用本专利技术的比较例2的干膜抗蚀剂剥离液将干膜抗蚀剂除 去后的焊锡球表面有无腐蚀的结果的照片。 为表示通常的铜焊垫（Cu Pad)的照片。 为表示测定使用本专利技术的实施例3的干膜抗蚀剂剥离液将干膜抗蚀剂除 去后的铜焊垫表面有无腐蚀的结果的照片。 为表示测定使用本专利技术的比较例2的干膜抗蚀剂剥离液将干膜抗蚀剂除 去后的铜焊垫表面有无腐蚀的结果的照片。 附图标记说明 10电路图案 20 干膜 21干膜非曝光部 22干膜曝光部 30焊锡球 100 基板 【具体实施方式】 本专利技术的目的、特定的优点以及新的特征通过以下附图的详细说明以及优选的实 施例会变得更加明确。本说明书中，对各附图的构成要素附加参考标记时，在同一构成要素 的情况下，即使表示在不同的附图中，也尽可能附加同一标记。此外，"一面"、"另一面"、"第 一"、"第二"等的用语为用于将一构成要素与其它构成要素相区别而使用的用语，构成要素 并不受这些用语的限制。以下，在对本专利技术进行说明时，省略了有可能使本专利技术的要旨不明 确的公知技术的详细说明。 以下，参照附图对本专利技术的优选实施例进行详细地说明。 本专利技术的代表性的具体例子的干膜抗蚀剂剥离剂组合物含有氢氧系化合物、链胺 化合物、三唑化合物以及纯水。 氢氧系化合物 本专利技术的代表性的具体例子的干膜抗蚀剂剥离剂组合物中的氢氧系化合物 为无机碱金属氢氧化物或烷基氢氧化铵。作为所述烷基氢氧化铵，可使用四乙基氢氧 化铵(Tetraethyl ammonium hydroxide)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干膜抗蚀剂剥离剂组合物，其特征在于，该组合物含有氢氧系化合物、链胺化合物、三唑化合物以及纯水(H2O)。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：曹恩仁，吴龙洙，李秀兴，孙命赞，池营植，李胎坤，李庚相，郑世桓，金柄郁，尹锡壹，郑宗铉，许舜范，黄钟源，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，株式会社东进世美肯，
类型：发明
国别省市：韩国;KR