一种铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5(AsO4)3Cl：xEu3+,yTb3+；其中，Me5(AsO4)3Cl是基质，且x为0.01～0.08，y为0.01～0.06，Me为Ca、Sr或Ba。该铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在490nm和510nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5(AsO4)3Cl：xEu3+,yTb3+；其中，Me5(AsO4)3Cl是基质，且x为0.01～0.08，y为0.01～0.06，Me为Ca、Sr或Ba。该铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在490nm和510nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本专利技术还提供该铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。【专利说明】铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜、制备方法及其应用
本专利技术涉及发光材料领域，尤其涉及一种铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜、其制备方法、使用该铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的薄膜电致发光器件及其制备方法。 一种铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为 Me5 (AsO4) 3C1:xEu3+, yTb3+ ； 其中，Me5(AsO4)3Cl是基质，且 x 为 0.01 ?0.08，y 为 0.01 ?0.06，Me 为 Ca、Sr 或Ba。 在优选的实施例中，所述铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的厚度为60nm?400nm。 一种铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤: 根据Me5 (AsO4) 3C1:xEu3+, yTb3+ 各元素的化学计量比称取 MeO、MeCl2, As2O5, Eu2O3和Tb4O7粉体并混合均匀在900°C?1300°C下烧结制成靶材，其中，X为0.01?0.08，y为0.01 ?0.06，Me 为 Ca、Sr 或 Ba ; 将衬底及所述靶材与所述装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并调整所述真空腔体的真空度为1.0X KT3Pa?1.0X KT5Pa ;及 调整工作气体的流量为1sccm?35sccm，工作气体的压强为0.2Pa?4Pa，所述靶材与所述衬底的间距为45mm?95mm，所述衬底的温度为250°C?750°C，激光的能量为SOmJ?300mJ，在所述衬底上磁控溅射得到铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5(AsO4)3Cl:xEu3+, yTb3+，其中，x为0.01?0.08，y 为 0.01 ?0.06，Me 为 Ca、Sr 或 Ba。 在优选的实施例中，还包括步骤:在得到铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜后，将所述铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜在0.0OlPa?0.lPa、500°C?800°C下退火I小时?3小时。 在优选的实施例中，磁控溅射的操作中，工作气体的流量为25SCCm，工作气体的压强为2Pa，所述靶材与所述衬底的间距为60mm，所述衬底的温度为500°C，所述激光的能量为 150W。 在优选的实施例中，所述衬底为ITO衬底；所述工作气体为氩气。 在优选的实施例中，磁控溅射的操作中，通过控制磁控溅射的时间为1min?40min,得到厚度为60nm?400nm的铕铺共掺杂氯砷酸盐发光薄膜。 一种薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层为铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为 Me5(AsO4)3Cl:xEu3+, yTb3+ ； 其中，Me5(AsO4)3Cl是基质，且 x 为 0.01 ?0.08，y 为 0.01 ?0.06，Me 为 Ca、Sr 或Ba。 一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤: 提供衬底，所述衬底包括层叠的基底和阳极层； 在所述阳极层上形成发光层，所述发光层为铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5 (AsO4) 3C1:xEu3+, yTb3+，其中，Me5(AsO4)3Cl 是基质，且 X 为 0.01 ?0.08，y 为 0.01 ?0.06，Me 为 Ca、Sr 或 Ba ; 在所述发光层上形成阴极层。 在优选的实施例中，所述发光层的制备包括以下步骤: 根据Me5 (AsO4) 3C1:xEu3+, yTb3+ 各元素的化学计量比称取 MeO、MeCl2, As2O5, Eu2O3和Tb4O7粉体并混合均匀在900°C?1300°C下烧结制成靶材，其中，X为0.01?0.08，y为0.01 ?0.06，Me 为 Ca、Sr 或 Ba ; 将衬底及所述靶材与所述装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并调整所述真空腔体的真空度为1.0X KT3Pa?1.0X KT5Pa ;及 调整工作气体的流量为1sccm?35sccm，工作气体的压强为0.2Pa?4Pa，所述靶材与所述衬底的间距为45mm?95mm，所述衬底的温度为250°C?750°C，激光的能量为SOmJ?300mJ，在所述衬底上磁控溅射得到铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜，所述铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5(AsO4)3Cl:xEu3+, yTb3+，其中，x为0.01?0.08，y 为 0.01 ?0.06，Me 为 Ca、Sr 或 Ba。 上述铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜(Me5 (AsO4) 3C1:xEu3+, yTb3+)的电致发光光谱(EL)中，在490nm和510nm波长区都有很强的发光峰，这种铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜能够应用于薄膜电致发光器件。 【专利附图】【附图说明】 图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图； 图2为实施例1得到铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的EL光谱图； 图3为实施例1得到铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的XRD图。 【具体实施方式】 为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。 一实施方式的铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜，该铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为 Me5(AsO4)3Cl:xEu3+, yTb3+。 其中，Me5(AsO4)3Cl是基质，且 x 为 0.01 ?0.08，y 为 0.01 ?0.06，Me 为 Ca、Sr 或Ba。 掺杂元素Eu和Tb是发光体系中的激活元素，在结构组成中进入了 As5+离子的晶格。 优选的，X为 0.04，y 为 0.03。 优选的，铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的厚度为60nm?400nm。 上述铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜(Me5 (AsO4)本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜，其特征在于，所述铕铽共掺杂氯砷酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me5(AsO4)3Cl：xEu3+,yTb3+；其中，Me5(AsO4)3Cl是基质，且x为0.01～0.08，y为0.01～0.06，Me为Ca、Sr或Ba。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，陈吉星，王平，冯小明，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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