本发明专利技术提供一种半导体相变激发装置及激发方法，其中，装置包括至少一个半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷侧设置有相变介质通道。本发明专利技术提供的上述方案，采用了相变蓄能技术，通过对相变的主动控制，摆脱了显热蓄能的局限，大大提高蓄热密度的同时达到了长期低热损储能的目的。采用上述方案的跨季蓄能系统建造、使用成本低，使用寿命长。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，其中，装置包括至少一个半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷侧设置有相变介质通道。本专利技术提供的上述方案，采用了相变蓄能技术，通过对相变的主动控制，摆脱了显热蓄能的局限，大大提高蓄热密度的同时达到了长期低热损储能的目的。采用上述方案的跨季蓄能系统建造、使用成本低，使用寿命长。【专利说明】
本专利技术涉及相变材料储能供热
，尤其涉及一种。
技术介绍
目前，跨季节蓄热技术主要有以下几类:人造水箱水体、砾石蓄热、土壤蓄热及地下含水层蓄热。人造水箱水体及碌石蓄热具有高热容，良好的蓄/释热性能，性能稳定、无环境污染等优点。人造水箱水体及砾石蓄热的方式，是将水或砾石存放与水箱内，但水箱保温工程困难，造价高昂，1000m3的人工水箱造价便高达千万元。土壤蓄热系统通常采用地埋管将热能存蓄到地下土壤中，该技术的优点是无需人造蓄热设备，造价相对低，但系统热损失高，所需蓄热容积大，对周围生态环境有影响，且对地质结构具有选择性，仅适用于岩石和饱和水土壤环境。利用地下天然含水层作为蓄热水箱，具有造价低的优点，但对地质环境要求苛刻，系统运行易出现塞井、腐蚀及霉菌等现象。以上跨季节蓄热技术由于技术或经济上的限制因素，很难推广。因此亟需开发新型高效经济的跨季节蓄能技术。
技术实现思路
在下文中给出关于本专利技术的简要概述，以便提供关于本专利技术的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本专利技术的穷举性概述。它并不是意图确定本专利技术的关键或重要部分，也不是意图限定本专利技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。 本专利技术提供一种，用以解决现有技术的不足。 本专利技术提供一种半导体相变激发装置，包括至少一个半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷侧设置有相变介质通道。 本专利技术还提供一种半导体相变激发方法，通过半导体制冷片降低局部相变介质的温度，使所述相变介质结晶以释放热能。 本专利技术提供的上述方案，采用了相变蓄能技术，通过对相变的主动控制，摆脱了显热蓄能的局限，大大提高蓄热密度的同时达到了长期低热损储能的目的。采用上述方案的跨季蓄能系统建造、使用成本低，使用寿命长。 【专利附图】【附图说明】 参照下面结合附图对本专利技术实施例的说明，会更加容易地理解本专利技术的以上和其它目的、特点和优点。附图中的部件只是为了示出本专利技术的原理。在附图中，相同的或类似的技术特征或部件将采用相同或类似的附图标记来表示。 图1为本专利技术实施例提供的半导体相变激发装置的主视图。 附图标记说明: 保温部件-1 ；半导体制冷片-2 ；密封圈-3 ； 连接管-4;导热金属片-5。 【具体实施方式】 下面参照附图来说明本专利技术的实施例。在本专利技术的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本专利技术无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。 图1为本专利技术实施例提供的半导体相变激发装置的主视图。如图1所示，本专利技术实施例提供的半导体相变激发装置，包括至少一个半导体制冷片2，所述半导体制冷片2的制冷侧设置有相变介质通道。 上述方案，采用了相变蓄能技术，通过对相变的主动控制，摆脱了显热蓄能的局限，大大提高蓄热密度的同时达到了长期低热损储能的目的效果。采用上述方案的跨级蓄能系统建造、使用成本低，使用寿命长。 实际使用中，该半导体相变激发装置可以包括一个保温部件I，保温部件I可以但不限于为一块保温板。在保温部件I上设置有安装腔，在安装腔内安装一片半导体制冷片2，且半导体制冷片2的制冷侧朝向安装腔的底部。当然也可以安装多片(含两片)半导体制冷片2，当安装多片半导体制冷片2时，多片半导体制冷片2层叠设置，且每两相邻半导体制冷片2之一的制冷侧靠近或紧贴另一的散热侧。 在安装腔的底部设置有通孔，通孔内设置有连接管4，连接管4的中空部分为相变介质通道。连接管4用于与相变介质容器相连。相变介质容器中的相变材料处于过冷态。半导体制冷片2的制冷量降低了通道内局部相变介质温度，局部相变介质结晶并通过相变介质通道传导到相变介质容器内使处于过冷态的相变介质陆续全部结晶并释放热能。 为了使半导体制冷片2的产生的低温顺利迁移至相变介质通道，则半导体制冷片2与相变介质通道之间设置有导热金属片5，导热金属片5紧贴于半导体制冷片2的制冷侦牝相变介质通道的一端顶在导热金属片5的表面。导热金属片5具有良好的导热性能，提高了制冷片的低温向相变介质通道迁移的效率。 为了获得较好的密封效果，防止相变介质渗漏，在连接管4上套装有与通孔密封的密封圈3，且该密封圈3与导热金属片5密封接触配合，实现了连接管4、通孔及导热金属片5之间的良好密封。 本专利技术实施例还提供一种半导体相变激发方法，通过半导体制冷片2降低局部相变介质的温度，使所述相变介质结晶以释放热能。 作为一种优选方式，相变介质为醋酸钠溶液。该醋酸钠溶液的含水量在40%_60%。醋酸钠溶液通过半导体制冷片2的Peltier效应，激发处于过冷态的醋酸钠溶液，使其结晶，释放回收60°C左右的热能。当然，相变介质也可以采用处醋酸钠溶液之外的其他相变材料，只要其可以通过上述半导体相变激发装置激发即可。 最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本专利技术各实施例技术方案的精神和范围。【权利要求】1.一种半导体相变激发装置，其特征在于，包括至少一个半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷侧设置有相变介质通道。2.根据权利要求1所述的半导体相变激发装置，其特征在于，所述半导体制冷片与所述相变介质通道之间设置有导热金属片，所述导热金属片紧贴于所述半导体制冷片的制冷侧，所述相变介质通道的一端顶在所述导热金属片的表面。3.根据权利要求2所述的半导体相变激发装置，其特征在于，还包括保温部件，所述保温部件上设置有安装腔，所述半导体制冷片设置于所述安装腔内。4.根据权利要求2或3所述的半导体相变激发装置，其特征在于，所述半导体制冷片的制冷侧朝向所述安装腔的底部，所述安装腔的底部设置有通孔，所述通孔内设置有连接管，所述连接管的中空部分为所述相变介质通道。5.根据权利要求4所述的半导体相变激发装置，其特征在于，所述连接管上套装有与所述通孔密封的密封圈。6.根据权利要求5所述的半导体相变激发装置，其特征在于，所述密封圈与所述导热金属片密封接触配合。7.根据权利要求1或2或3所述的半导体相变激发装置，其特征在于，所述半导体制冷片为多个，多个所述半导体制冷片层叠设置，且每两相邻所述半导体制冷片之一的制冷侧靠近或紧贴另一的散热侧。8.一种半导体相变激发方法，其特征在于，通过半导体制冷片降低局部相变介质的温度，使所述相变介质结晶以释放热能。9.根据权利要求8所述的半导体相变激发方法，其特征在于，所述相变介质为醋酸钠溶液。10.根据权利要求9所述的半导本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体相变激发装置，其特征在于，包括至少一个半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷侧设置有相变介质通道。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：樊建华，李富玲，
申请(专利权)人：樊建华，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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