光刻设备及器件制造方法技术

公开了一种光刻设备和器件制造方法。光刻设备包括支撑台(16)以及包括传感器部分(13)和参考部分(12、14)的测量系统(12-14)，所述测量系统被配置为通过使用所述传感器部分(13)与所述参考部分(12、14)相互作用来确定所述支撑台(16)相对于参考框架(6、8、10)的位置和/或方向或所述支撑台上安装的部件相对于参考框架(6、8、10)的位置和/或方向，其中：所述参考框架(6、8、10)包括N个子框架(6、8)，所述N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】公开了一种光刻设备和器件制造方法。光刻设备包括支撑台(16)以及包括传感器部分(13)和参考部分(12、14)的测量系统(12-14)，所述测量系统被配置为通过使用所述传感器部分(13)与所述参考部分(12、14)相互作用来确定所述支撑台(16)相对于参考框架(6、8、10)的位置和/或方向或所述支撑台上安装的部件相对于参考框架(6、8、10)的位置和/或方向，其中：所述参考框架(6、8、10)包括N个子框架(6、8)，所述N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数。【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求于2012年4月26日提交的美国临时申请61/638889的权益，并且该美国临时申请通过引用被全部并入本文。
本专利技术涉及光刻设备和器件制造方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(1C)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述1C的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括:所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，来将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。 对光刻设备的各个元件的相对位置和/或方向的精确控制是所期望的以确保高性能(例如精确重叠)。振动可能通过减小测量的精度和/或通过引起待控制的主体的非期望移动来干扰这样的控制。可将编码器系统用于执行位置和/或方向测量。在一个主体上的传感器部分可被配置为检测从另一主体(其可被称为参考部分)上的图案或栅格反射的辐射。可使用干涉仪测量。传感器部分或反射主体的振动可减小测量的精度。 测量系统(例如编码器系统)可用于测量相对于参考框架的衬底的位置和/或方向、衬底上形成的图案的位置和/或方向、或者衬底台的位置和/或方向。该测量系统可以包括对准传感器或水平传感器或两者皆有。在该背景下，参考框架有时被称为“量测框架”。可将包括栅格的板(有时被称为“栅格板”)连接到量测框架，而传感器部分被连接到衬底台，反之亦然。由于生产率的原因，可能期望的是使用比之前最通常使用的衬底更大的衬底，例如具有450mm或更大，而不是300mm或更小的直径的衬底。这样的衬底需要横向上(即在平行于衬底的平面的方向)较大的衬底台、量测框架和栅格板。为了维持在横向上较大的栅格板中的足够刚度，栅格板可能需要被制造得更厚。然而，在厚度方向(垂直于衬底的平面)可用的空间量可能是有限的。因此可能必须将参考框架制造得更薄以适应更厚的栅格板。 增大参考框架的横向尺寸并且降低参考框架的厚度将趋向于减小参考框架的振动或谐振的自然内部模式的频率(也被称为本征频率)。降低的本征频率可能促成对与参考框架相互作用的测量系统来说更成问题的振动。之前已提出了使用多个比单个参考框架更小的参考框架来使内部本征频率更高。然而，较小的参考框架更轻并且更容易被加速，并且因此被移位，这也可导致位置控制的误差。
技术实现思路
期望提高光刻设备的元件的位置和/或方向控制的精度。 根据实施例，提供一种光学设备，包括:支撑台；以及测量系统，其包括传感器部分和参考部分，测量系统被配置为通过使用传感器部分与参考部分相互作用来确定支撑台相对于参考框架的位置和/或方向或支撑台上安装的部件相对于参考框架的位置和/或方向，其中:参考框架包括N个子框架，N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体,并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数。 根据实施例，提供一种器件制造方法，包括:提供用于光刻设备的支撑台；以及使用包括传感器部分和参考部分的测量系统来通过使用传感器部分与参考部分相互作用来确定支撑台相对于参考框架的位置和/或方向或支撑台上安装的部件相对于参考框架的位置和/或方向，其中:参考框架包括N个子框架，N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数。 【专利附图】【附图说明】 现在将仅通过示例的方式，参考所附示意图来描述本专利技术的实施例，在所附示意图中，对应的参考标记指示对应的部件，并且在所附示意图中: 图1示出根据本专利技术的实施例的光刻设备； 图2示出根据本专利技术的实施例的包括具有两个子框架和用于动态耦接子框架的耦接系统的参考框架的光刻设备； 图3示出了根据本专利技术的实施例的包括力传感器的示例主动耦接系统；以及 图4示出根据本专利技术的实施例的包括运动传感器的示例主动耦接系统。 【具体实施方式】 图1示意性地示出一种光刻设备。所述设备包括: -照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射); -支撑结构(例如掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据特定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连； -衬底台(例如晶片台)WT，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据特定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和 -投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或更多根管芯)上。 所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。 所述支撑结构支撑图案形成装置，即承载所述图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。 这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备，包括：支撑台；和包括传感器部分和参考部分的测量系统，所述测量系统被配置为通过使用所述传感器部分与所述参考部分相互作用来确定所述支撑台相对于参考框架的位置和/或方向、或所述支撑台上安装的部件相对于参考框架的位置和/或方向，其中：所述参考框架包括N个子框架，所述N个子框架耦接在一起以便针对低于第一参考频率的振动主要表现为单个刚性体，并且针对高于第二参考频率的振动主要表现为N体系统，其中N是大于1的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·巴特勒，M·范德威吉斯特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL