本发明专利技术涉及一种氨气传感器，包括上层基片、中层基片和下层基片，上层基片与中层基片之间具有一定空间，空间内形成有相邻的进气区和反应区，进气区和反应区相隔离；上层基片上开设有第一进气口和第二进气口，第一进气口与进气区连通，第二进气口与反应区连通；上层基片上从靠近第二进气口的位置开始依次设有多个第二加热体；中层基片上设有氧泵、第一氧传感器和第二氧传感器，第一氧传感器位于进气区的靠近第一进气口的位置，第二氧传感器位于反应区的远离第二进气口的一端，氧泵位于靠近第二进气口的位置。本发明专利技术的氨气传感器，可以精确地得出检测气体中的氨气含量。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种氨气传感器，包括上层基片、中层基片和下层基片，上层基片与中层基片之间具有一定空间，空间内形成有相邻的进气区和反应区，进气区和反应区相隔离；上层基片上开设有第一进气口和第二进气口，第一进气口与进气区连通，第二进气口与反应区连通；上层基片上从靠近第二进气口的位置开始依次设有多个第二加热体；中层基片上设有氧泵、第一氧传感器和第二氧传感器，第一氧传感器位于进气区的靠近第一进气口的位置，第二氧传感器位于反应区的远离第二进气口的一端，氧泵位于靠近第二进气口的位置。本专利技术的氨气传感器，可以精确地得出检测气体中的氨气含量。【专利说明】氨气传感器
本专利技术涉及气体传感器，特别涉及一种氨气传感器。
技术介绍
随着人们生活水平的不断提高和社会对环境质量的日益关注，人们越来越需要对各种有毒、有害气体进行探测，对大气污染以及工业废气的监测都对气体传感器提出了高的要求。例如，在汽车尾气处理中，处理不完全会有氨气排出，因此就需要应用氨气传感器。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:为了克服现有汽车尾气处理不完全的不足，本专利技术提供一种氨气传感器。 本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种氨气传感器，包括上层基片、中层基片和下层基片，所述上层基片与中层基片之间具有一定空间，所述空间内形成有相邻的进气区和反应区，所述进气区和反应区相隔离； 所述上层基片上开设有第一进气口和第二进气口，第一进气口与进气区连通，第二进气口与反应区连通； 所述上层基片上从靠近第二进气口的位置开始依次设有多个第二加热体； 所述中层基片上设有氧泵、第一氧传感器和第二氧传感器，所述第一氧传感器位于进气区的靠近第一进气口的位置，所述第二氧传感器位于反应区的远离第二进气口的一端，所述氧泵位于靠近第二进气口的位置。 所述下层基片上设有第一加热体，所述第一加热体在中层基片上从靠近第一进气口的位置开始一直往靠近第二氧传感器的位置延伸。 所述上层基片上从靠近第二进气口的位置开始依次设有三个第二加热体，三个第二加热体从靠近第二进气口的位置一直延伸到靠近第二氧传感器的位置。 所述第一进气口位于反应区的靠近进气区的一端，第二进气口位于进气区的靠近反应区的一端。 本专利技术的有益效果是，本专利技术的氨气传感器，可以精确地得出检测气体中的氨气含量。 【专利附图】【附图说明】 下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。 图1是本专利技术的氨气传感器最优实施例的结构示意图。 图中10、上层基片，11、第一进气口，12、第二进气口，13、第二加热体，20、中层基片，21、氧泵、22、第一氧传感器，23、第二氧传感器，30、下层基片，31、第一加热体，40、进气区，50、反应区。 【具体实施方式】 现在结合附图对本专利技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。 如图1所示，本专利技术的一种氨气传感器，包括上层基片10、中层基片20和下层基片30，所述上层基片10与中层基片20之间具有一定空间，所述空间内形成有相邻的进气区40和反应区50，所述进气区40和反应区50相隔离。 所述上层基片10上开设有第一进气口 11和第二进气口 12，所述第一进气口 11位于反应区50的靠近进气区40的一端，第二进气口 12位于进气区40的靠近反应区50的一端，并且第一进气口 11与进气区40连通，第二进气口 12与反应区50连通。 所述上层基片10上从靠近第二进气口 12的位置开始依次设有三个第二加热体13 ;三个第二加热体13从靠近第二进气口 12的位置一直延伸到靠近第二氧传感器23的位置。 所述中层基片20上设有氧泵21、第一氧传感器22和第二氧传感器23，所述第一氧传感器22位于进气区40的靠近第一进气口 11的位置，所述第二氧传感器23位于反应区50的远离第二进气口 12的一端，所述氧泵21位于靠近第二进气口 12的位置。 所述下层基片30上设有第一加热体31，所述第一加热体31在中层基片20上从靠近第一进气口 11的位置开始一直往靠近第二氧传感器23的位置延伸。 本专利技术的原理如下: 根据化学式:NH3+02—N2+H20(600°C?700°C)，可以知道，氨气在(600°C?700°C )与氧气燃烧，反应后生成氮气和水。 根据以上条件，如图1所示， 第一氧传感器22，检测第一进气口 11处的含氧量，所得含氧量数值，为当前检测气体氧含量的初始值，记为O2 (初始值)。由于进气区40和反应区50隔离，第一进气口 11处的含氧量不会受到反应区的影响，能够检测到稳定的检测气体氧含量的初始值。 氧泵21，通过从第二进气口 12处泵入恒定值的氧气在反应区50燃烧，记为O2 (恒定值)。 第二氧传感器23，检测反应区50燃烧反应后剩余的氧含量,记为O2 (反应后剩余值)。 通过以上可以得出，与氨气反应掉的含氧值:02(反应值)可以表述为: O2 (初始值)+O2 (恒定值)-O2 (反应后剩余值)=O2 (反应值) 通过本专利技术的氨气传感器检测，得出反应值02，根据化学式:NH3+02 — Ν2+Η20,配平:4NH3+302 = 2N2+6H20，可得出检测气体中的氨气数值含量。 以上述依据本专利技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项专利技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项专利技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。【权利要求】1.一种氨气传感器，其特征在于:包括上层基片(10)、中层基片(20)和下层基片(30)，所述上层基片(10)与中层基片(20)之间具有一定空间，所述空间内形成有相邻的进气区(40)和反应区(50)，所述进气区(40)和反应区(50)相隔离； 所述上层基片(10)上开设有第一进气口(11)和第二进气口(12)，第一进气口(11)与进气区(40)连通，第二进气口(12)与反应区(50)连通； 所述上层基片(10)上从靠近第二进气口(12)的位置开始依次设有多个第二加热体(13)； 所述中层基片(20)上设有氧泵(21)、第一氧传感器(22)和第二氧传感器(23)，所述第一氧传感器(22)位于进气区(40)的靠近第一进气口(11)的位置，所述第二氧传感器(23)位于反应区(50)的远离第二进气口(12)的一端，所述氧泵(21)位于靠近第二进气口(12)的位置。2.如权利要求1所述的氨气传感器，其特征在于:所述下层基片(30)上设有第一加热体(31)，所述第一加热体(31)在中层基片(20)上从靠近第一进气口(11)的位置开始一直往靠近第二氧传感器(23)的位置延伸。3.如权利要求1所述的氨气传感器，其特征在于:所述上层基片(10)上从靠近第二进气口(12)的位置开始依次设有三个第二加热体(13)，三个第二加热体(13)从靠近第二进气口(12)的位置一直延伸到靠近第二氧传感器(23)的位置。4.如权利要求1所述的氨气传感器，其特征在于:所述第一进气口(11)位于反应区(50)的靠近进气区(40)的一端，第二进气口(12)位于本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种氨气传感器，其特征在于：包括上层基片(10)、中层基片(20)和下层基片(30)，所述上层基片(10)与中层基片(20)之间具有一定空间，所述空间内形成有相邻的进气区(40)和反应区(50)，所述进气区(40)和反应区(50)相隔离；所述上层基片(10)上开设有第一进气口(11)和第二进气口(12)，第一进气口(11)与进气区(40)连通，第二进气口(12)与反应区(50)连通；所述上层基片(10)上从靠近第二进气口(12)的位置开始依次设有多个第二加热体(13)；所述中层基片(20)上设有氧泵(21)、第一氧传感器(22)和第二氧传感器(23)，所述第一氧传感器(22)位于进气区(40)的靠近第一进气口(11)的位置，所述第二氧传感器(23)位于反应区(50)的远离第二进气口(12)的一端，所述氧泵(21)位于靠近第二进气口(12)的位置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汤忠华，潘登，刘屿，滕卫星，陈烈，
申请(专利权)人：金坛鸿鑫电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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