光源一体式光传感器具备:设置在基板上的规定区域的受光部;设置在基板上的与受光部不同的区域的发光部;以覆盖该受光部的方式设置在受光部上的第一透光部件;与第一透光部件隔着空间设置,且以覆盖该发光部的方式设置在发光部上的第二透光部件;以及形成于空间的一部分的遮光部件。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】光源一体式光传感器具备:设置在基板上的规定区域的受光部;设置在基板上的与受光部不同的区域的发光部;以覆盖该受光部的方式设置在受光部上的第一透光部件;与第一透光部件隔着空间设置,且以覆盖该发光部的方式设置在发光部上的第二透光部件;以及形成于空间的一部分的遮光部件。【专利说明】
本专利技术涉及光源一体式光传感器及其制造方法。
技术介绍
公知有在基板上隔着不透明的树脂设置发光芯片以及受光芯片,并用透明树脂覆盖这些发光芯片以及受光芯片的光源一体式光传感器(参照专利文献I)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:美国专利申请公开第2010/0258710号说明书
技术实现思路
专利技术所要解决的课题 在现有技术中,由于由发光芯片产生的热向受光芯片侧传导,因而存在受光芯片上的透明树脂的表面的平坦形状受损变形、或者受光芯片上的透明树脂变质或变色的可能性。受光芯片上的透明树脂的表面的变质或变色关系到受光灵敏度下降等受光特性的劣化。 用于解决课题的方案 根据本专利技术的第I方案,光源一体式光传感器具备:设置在基板上的规定区域的受光部;设置在基板上的与受光部不同的区域的发光部;以覆盖该受光部的方式设置在受光部上的第一透光部件;与第一透光部件隔着空间设置,且以覆盖该发光部的方式设置在发光部上的第二透光部件;以及形成于空间的一部分的遮光部件。 根据本专利技术的第2方案,在第I方案的光源一体式光传感器中,优选遮光部件由绝热性材料构成。 根据本专利技术的第3方案,在第I方案的光源一体式光传感器中,优选遮光部件由导热性材料构成。 根据本专利技术的第4方案,在第3方案的光源一体式光传感器中,优选导热性材料位于基板上所设的通孔上。 根据本专利技术的第5方案,在第I?第4方案的光源一体式光传感器中,优选至少第一透光部件由树脂形成。 根据本专利技术的第6方案,光源一体式光传感器的制造方法按下述工序顺序进行:在基板上的规定区域分别设置受光部以及发光部的工序;在受光部与发光部之间设置掩模部件的工序;在受光部以及发光部以外的区域上形成遮光部件的工序;在受光部、发光部、以及遮光部件的区域上分别形成透光部件的工序;以及除去掩模部件的工序。 根据本专利技术的第7方案,光源一体式光传感器的制造方法按下述工序顺序进行:在基板上的规定区域分别设置受光部以及发光部的工序;在受光部以及发光部的区域上分别形成透光部件的工序;以及在受光部以及发光部以外的区域上,将遮光部件形成为比透光部件高的工序。 根据本专利技术的第8方案,光源一体式光传感器的制造方法按下述工序顺序进行:在基板上的规定区域分别设置受光部以及发光部的工序;在受光部以及发光部以外的区域上形成遮光部件的工序;以及在受光部以及发光部的区域上,分别将透光部件形成为比遮光部件低的工序。 根据本专利技术的第9方案,光源一体式光传感器的制造方法按下述工序顺序进行:在基板上的规定区域分别设置受光部以及发光部的工序;在受光部上,以包围入射口的方式形成遮光部件的工序;以及在遮光部件的内侧以及外侧各自的区域上形成透光部件的工序。 根据本专利技术的第10方案,光源一体式光传感器的制造方法按下述工序顺序进行:在基板上的规定区域分别设置受光部以及发光部的工序;在受光部的区域上设置玻璃部件的工序;在玻璃部件以及发光部以外的区域上,将遮光部件形成为比发光部高的工序;以及在发光部以及遮光部件的区域上形成透光部件的工序。 根据本专利技术的第11方案,在第6?第10方案的光源一体式光传感器的制造方法中,优选遮光部件使用绝热性材料。 专利技术的效果如下。 在本专利技术的光源一体式光传感器中,可抑制来自发光部的热引起的特性劣化。 【专利附图】【附图说明】 图1是本专利技术的第一实施方式的光源一体式光传感器的剖视图。 图2 (a)、图2 (b)、图2 (C)、图2 (d)是说明光源一体式光传感器的制造方法的图。 图3是变形例I的光源一体式光传感器的剖视图。 图4是变形例2的光源一体式光传感器的剖视图。 图5是变形例3的光源一体式光传感器的剖视图。 图6是变形例4的光源一体式光传感器的剖视图。 图7是变形例8的光源一体式光传感器的剖视图。 图8 (a)、图8 (b)、图8 (c)是说明光源一体式光传感器的制造方法的图。 图9是第二实施方式的光源一体式光传感器的剖视图。 图10(a)、图10(b)、图10(c)是说明光源一体式光传感器的制造顺序的图。 图11是第三实施方式的光源一体式光传感器的剖视图。 图12是说明光源一体式光传感器的制造顺序的图。 图13是第四实施方式的光源一体式光传感器的剖视图。 图14是说明光源一体式光传感器的制造顺序的图。 图15是说明变形例9的光源一体式光传感器的制造顺序的图。 图16是第五实施方式的光源一体式光传感器的剖视图。 图17是说明光源一体式光传感器的制造顺序的图。 图18是说明光源一体式光传感器的制造顺序的图。 图19是表示第二实施方式的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。 图20是表示第四实施方式的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。 图21是表示变形例9的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。 图22是表示第三实施方式的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。 图23是表示第五实施方式的光源一体式传感器的制造顺序的流程图。 【具体实施方式】 以下参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明。 <第一实施方式> 图1是本专利技术的第一实施方式的光源一体式光传感器I的剖视图。光源一体式光传感器I是将发光元件以及受光元件构成为一体而成的传感器,例如用于以下用途等,即、从发光元件发出的光由外部对象物反射,基于该反射光是否由受光元件接受来判定外部对象物的有无。 在图1中,在由有机材料、陶瓷、引线框等构成的基板10的上表面,设有具有受光元件(光电二极管)以及周边电路的受光芯片(PDIC)20。受光芯片20通过接合线21、22而与基板10上的图形11、12连接。 在基板10的上表面还设有由发光兀件构成的发光芯片30。发光芯片30例如是发光二极管(LED),发光芯片30的正极电极以及负极电极中的一方经由用金属构成的通孔15而与形成于基板10的下表面的图形14连接。发光芯片30的另一方的电极通过接合线31而与基板10上的未图示的图形连接。 在上述受光芯片20以及发光芯片30之间设有空间60,隔着空间60分别在受光芯片20侧设有不透明树脂51A、在发光芯片30侧设有不透明树脂51B。关于不透明树脂51B的高度,至少遮蔽从发光芯片30向受光芯片20侧射出的光,确保受光芯片20不会受到来自发光芯片30的直接光的高度。不透明树脂51A的高度与不透明树脂51B的高度大致相同。不透明树脂51A设为不使受光芯片20受到向空间60入射的外部光。 在不透明树脂51A的受光芯片20侧,以覆盖受光芯片20以及接合线21、22的方式设有透明树脂41A。另外,在不透明树脂51B的发光芯片30侧,以覆盖发光芯片30以及接合线31的方式设有透明树脂41B。 此外,基板10上的图形11、12经由与通孔15相同的其他通孔或者未图示的贯通孔而与形成于基板10的下表面本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光源一体式光传感器,其特征在于,具备:设置在基板上的规定区域的受光部;设置在上述基板上的与上述受光部不同的区域的发光部;以覆盖该受光部的方式设置在上述受光部上的第一透光部件;与上述第一透光部件隔着空间设置,且以覆盖该发光部的方式设置在上述发光部上的第二透光部件;以及形成于上述空间的一部分的遮光部件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:真崎伸一,井上修二,戎井崇裕,
申请(专利权)人:青井电子株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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