本实用新型专利技术公开了一种多晶硅生产中的余热回收装置，包括：保温罩，其呈钟罩型，底部是敞开的，内部是中空的，保温罩的壳体壁由内层壳体和外层壳体构成，下边缘焊接在一起，从而在外层壳体与内层壳体之间形成一进气腔，外层壳体上开设有与进气腔连通的若干第一进气口；第一进气环，内侧壁向内伸出若干第一进气接头，各第一进气接头连接至一个第一进气口；第一进气管，其一端连接至第一进气环，另一端连接至多晶硅生产反应器的排气口。使用时，将保温罩罩在多晶硅生产的反应器上，再将第一进气管连接至反应器的排气口上，将高温气体导入至保温罩的进气腔内，从而对反应器起到保温作用，保证多晶硅生产的稳定进行，充分利用多晶硅生产中的余热。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种多晶硅生产中的余热回收装置，包括：保温罩，其呈钟罩型，底部是敞开的，内部是中空的，保温罩的壳体壁由内层壳体和外层壳体构成，下边缘焊接在一起，从而在外层壳体与内层壳体之间形成一进气腔，外层壳体上开设有与进气腔连通的若干第一进气口；第一进气环，内侧壁向内伸出若干第一进气接头，各第一进气接头连接至一个第一进气口；第一进气管，其一端连接至第一进气环，另一端连接至多晶硅生产反应器的排气口。使用时，将保温罩罩在多晶硅生产的反应器上，再将第一进气管连接至反应器的排气口上，将高温气体导入至保温罩的进气腔内，从而对反应器起到保温作用，保证多晶硅生产的稳定进行，充分利用多晶硅生产中的余热。【专利说明】—种多晶硅生产中的余热回收装置
本技术涉及多晶硅生产领域，尤其涉及一种多晶硅生产中的余热回收装置。
技术介绍
目前多晶硅的生产主要采用西门子法，西门子法是将SiHCljPH2按一定比例通入至还原炉内，在1080?1100°C的高温下，生成的硅沉积在发热体硅芯上，反应产物HCl气体则被排出。除此之前，也有应用SiH4和H2进行反应的，甲硅烷在反应器内分解生成多晶硅和H2,反应温度也在850?900°C，反应产物以及未反应完全的H2被排出。不管是上述哪种方法，由反应器内排出的气体都携带有大量的热量，目前，对这一部分热量并没有加以利用，这就造成了一种能源、资源的浪费。
技术实现思路
针对上述技术问题，本技术提供了一种多晶硅生产中的余热回收装置。 本技术提供的技术方案为: 一种多晶硅生产中的余热回收装置，包括: 保温罩，其呈钟罩型，底部是敞开的，内部是中空的，所述保温罩的壳体壁由内层壳体和外层壳体构成，所述外层壳体包覆在所述内层壳体的外侧，所述外层壳体和所述内层壳体的下边缘焊接在一起，从而在所述外层壳体与所述内层壳体之间形成一进气腔，所述外层壳体上开设有与所述进气腔连通的若干第一进气口，若干第一进气口均位于所述外层壳体的下部且分布在一个圆周上，所述外层壳体的顶部开设有出气口 ； 第一进气环，其内部中空，套设在所述保温罩的外侧，所述第一进气环的内侧壁向内伸出若干的第一进气接头，各第一进气接头连接至一个第一进气口 ； 第一进气管，其一端连接至所述第一进气环，另一端连接至多晶硅生产反应器的排气口，所述第一进气管上设置有第一阀门； 其中，在所述保温罩上设置有贯通所述保温罩的多个孔道，各孔道通过孔道壁与所述进气腔相隔离，所述出气口上设置有第三阀门。 优选的是，所述的多晶硅生产中的余热回收装置，还包括: 支架，其设置在所述保温罩的下方，支撑所述保温罩。 优选的是，所述的多晶硅生产中的余热回收装置中， 所述外层壳体上开设有与所述进气腔连通的若干第二进气口，若干第二进气口均位于所述外层壳体的上部且分布在一个圆周上； 所述余热回收装置还包括: 第二进气环，所述第二进气环的内部中空，套设在所述保温罩的外侧，所述第二进气环的内侧壁向内伸出若干的第二进气接头，各第二进气接头连接至一个第二进气口 ； 第二进气管，其一端连接至所述第二进气环，另一端连接至多晶硅生产反应器的排气口，所述第二进气管上设置有第二阀门。 优选的是，所述的多晶硅生产中的余热回收装置，还包括: 出气管，其连接至所述出气口，所述出气管的中间一段相对一轴线以螺旋状盘绕，形成一个内部中空的管状结构； 输水管道或输气管道，其由所述管状结构的内部通过。 优选的是，所述的多晶硅生产中的余热回收装置中，若干的第一进气口包括6-8个第一进气口。 优选的是，所述的多晶硅生产中的余热回收装置中，若干的第二进气口包括6-8个第二进气口。 优选的是，所述的多晶硅生产中的余热回收装置中，若干的第一进气口分布在靠近所述外层壳体的下边缘的位置。 本技术所述的多晶硅生产中的余热回收装置具有以下有益效果: 本技术设计了一种专门对多晶硅生产中排出气体所携带的热量进行再利用的装置，使用时，将本技术的保温罩罩在多晶硅生产的反应器上，再将第一进气管连接至反应器的排气口上，将高温气体导入至保温罩的进气腔内，从而对反应器起到保温作用，保证多晶硅生产的稳定进行。另外，针对
技术介绍
所提到的两种生产方法，针对其中的后一种方法，排出的气体主要是H2，为了快速实现H2在进气腔内的扩散，将第一进气口设置在外层壳体的下部，针对前一种方法，排出的气体有HCl和H2, HCl气体比重大，则将第二进气口设置在外层壳体的上部，可以根据本技术的余热回收装置的应用场合选择将仅开启第一进气管或同时开启第一进气管和第二进气管。再次，由保温罩输出的气体仍旧有一定的热量，可以用作水的加热源或者待反应气体的预热源，此时将出气管设计成以螺旋状盘绕成管状结构，输水管道或输气管道从管状结构的中间通过并发生热交换。本技术充分利用多晶硅生产中的余热，提高了资源和能源的利用率。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术所述的多晶硅生产的余热回收装置的结构示意图； 图2为本技术所述的第一进气环的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。 如图1和图2所示，本技术提供一种多晶硅生产中的余热回收装置，包括:保温罩1，其呈钟罩型，底部是敞开的，内部是中空的，所述保温罩的壳体壁由内层壳体3和外层壳体2构成，所述外层壳体2包覆在所述内层壳体的外侧，所述外层壳体和所述内层壳体的下边缘焊接在一起，从而在所述外层壳体与所述内层壳体之间形成一进气腔4，所述外层壳体上开设有与所述进气腔连通的若干第一进气口 7，若干第一进气口 7均位于所述外层壳体的下部且分布在一个圆周上，所述外层壳体的顶部开设有出气口 12 ;第一进气环6，其内部中空，套设在所述保温罩的外侧，所述第一进气环的内侧壁向内伸出若干的第一进气接头，各第一进气接头连接至一个第一进气口 ；第一进气管10，其一端连接至所述第一进气环6，另一端连接至多晶硅生产反应器的排气口，所述第一进气管上设置有第一阀门；其中，在所述保温罩I上设置有贯通所述保温罩的多个孔道，各孔道通过孔道壁与所述进气腔相隔离，所述出气口上设置有第三阀门。 本技术使用时，是将保温罩罩在现有技术中的多晶硅生产反应器的上方，并将第一连接管连接至反应器上，以将反应器排出的高温气体导入至保温罩的进气腔内，保温罩可以对反应器起到保温作用，减少反应器内的温度波动，保证多晶硅生产的稳定进行。保温罩不能影响反应器的正常使用，因此，在保温罩上预设有多个孔道，各孔道通过孔道壁与进气腔彼此隔离，即与进气腔不连通。反应器的进气管可以穿过孔道再连接至反应器上。 针对
技术介绍
中提到的两种生产方法都会排出氢气，氢气比重小，向上扩散速度快，为了使高温气体快速充满进气腔，将第一进气口位于外层壳体的下部。考虑到前一种方法中还会排出HCl气体，HCl气体的比重大，向下扩散速度快，则在一个实施例中，还在外层壳体的上部设计第二进气口。当将本技术应用到前一种方法的生产中时，则同时开启第一阀门、第二阀门、第三阀门。用户可以根据具体应用的场合做出调整。 同样地本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多晶硅生产中的余热回收装置，其特征在于，包括：保温罩，其呈钟罩型，底部是敞开的，内部是中空的，所述保温罩的壳体壁由内层壳体和外层壳体构成，所述外层壳体包覆在所述内层壳体的外侧，所述外层壳体和所述内层壳体的下边缘焊接在一起，从而在所述外层壳体与所述内层壳体之间形成一进气腔，所述外层壳体上开设有与所述进气腔连通的若干第一进气口，若干第一进气口均位于所述外层壳体的下部且分布在一个圆周上，所述外层壳体的顶部开设有出气口；第一进气环，其内部中空，套设在所述保温罩的外侧，所述第一进气环的内侧壁向内伸出若干的第一进气接头，各第一进气接头连接至一个第一进气口；第一进气管，其一端连接至所述第一进气环，另一端连接至多晶硅生产反应器的排气口，所述第一进气管上设置有第一阀门；其中，在所述保温罩上设置有贯通所述保温罩的多个孔道，各孔道通过孔道壁与所述进气腔相隔离，所述出气口上设置有第三阀门。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李海军，王卫锋，崔凯彬，
申请(专利权)人：中国化学工程第六建设有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42
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